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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN111579956B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN111579956A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN111474465A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN111474465B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111007078B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN111337810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207223.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD-3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD-3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与所述热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD-3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN111337809A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207220.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的TO-254/257封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧固定底座、第一金属模块、第二金属模块、第三金属模块和环氧固定压块；环氧固定底座安装在散热基板上；第一金属模块和第三金属模块安装在环氧固定底座；第二金属模块设置在环氧固定底座与所述散热基板之间；待测TO-254/257封装功率器件置于散热基板上，待测器件的第一管脚和第三管脚分别与第一金属模块和第三金属模块连接，待测器件的第二管脚与第二金属模块连接；环氧固定压块与环氧固定底座连接，使待测器件的三个管脚与对应的金属模块压紧；第一金属模块、第二金属模块和第三金属模块均与热阻测试仪连接。
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公开(公告)号：CN212341365U
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202020374824.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型的TO‑254/257封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧固定底座、第一金属模块、第二金属模块、第三金属模块和环氧固定压块；环氧固定底座安装在散热基板上；第一金属模块和第三金属模块安装在环氧固定底座；第二金属模块设置在环氧固定底座与所述散热基板之间；待测TO‑254/257封装功率器件置于散热基板上，待测器件的第一管脚和第三管脚分别与第一金属模块和第三金属模块连接，待测器件的第二管脚与第二金属模块连接；环氧固定压块与环氧固定底座连接，使待测器件的三个管脚与对应的金属模块压紧；第一金属模块、第二金属模块和第三金属模块均与热阻测试仪连接。
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公开(公告)号：CN212207568U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020374303.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD‑3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD‑3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，满足散热同时形成电连接；该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD‑3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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