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公开(公告)号：CN100481373C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03107903.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76235
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成缓冲膜(10)，形成元件隔离沟槽(2)，在元件隔离沟槽的表面上形成氧化膜(3)，以及用氢氟酸清洗半导体衬底。清洗去除了部分缓冲膜，缓冲膜的端部从元件隔离沟槽的顶边向内去除预定的距离(x)。距离和氧化膜的厚度(d)由表达式0≤x≤(d/2sinθ)表示，其中x表示距离，θ表示平行于半导体衬底的平面和元件隔离沟槽的侧面之间的角度。
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公开(公告)号：CN100459156C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410031622.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。
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公开(公告)号：CN1649394A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005140.9
申请日：2005-01-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/3725
Abstract: 本发明提供可以抑制由于光量不足引起的画面质量下降的摄像装置。具有进行光电变换的摄像部；将从摄像部传送的至少两个像素的电子进行混合的混合部；具有比后段的栅极的传送方向的长度小的传送方向的长度、并且将由混合部混合的电子排出的电子排出用栅极。
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公开(公告)号：CN100345441C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510056308.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/372 , H01L27/1485 , H04N5/3454 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种能解决在摄像装置中的像素混合时产生的不需要的电子流增大、转送效率降低问题的发明。摄像装置(10)中，在半导体基板的受光区域上，多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷后进行蓄积的受光像素配置成矩阵状形成摄像部(12)。蓄积部(14)，将从摄像部(12)垂直转送来的信息电荷暂时蓄积。水平转送部(16)，将蓄积于蓄积部(14)中的信息电荷以行为单位进行水平转送。驱动部(19)，对垂直转送进行控制。通过驱动部(19)的控制，实现摄像部(12)中包含的多个受光像素之中的任一个受光像素的信息电荷、在整个摄像期间中都排出到半导体基板，并且在电荷转送时对两个以上的受光像素进行像素混合。
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公开(公告)号：CN1764245A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510116461.6
申请日：2005-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 小田真弘
IPC: H04N5/335 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/1463 , H01L27/14656
Abstract: 本发明提供一种既可抑制在邻接的电荷传输通路(电荷传输区域)之间电荷相互混合的情况，也可抑制电荷的传输效率的降低的固体摄像装置。在该固体摄像装置中，电荷传输区域包括：具有第1沟道宽度的第1区域；与具有比上述第1沟道宽度还小的第2沟道宽度的第2区域。另外，电荷传输区域中的具有上述第1沟道宽度的第1区域和具有上述第2沟道宽度的第2区域的边界部配置于邻接的2个传输电极之间的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1671186A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510056308.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/372 , H01L27/1485 , H04N5/3454 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种能解决在摄像装置中的像素混合时产生的不需要的电子流增大、转送效率降低问题的发明。摄像装置(10)中，在半导体基板的受光区域上，多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷后进行蓄积的受光元素配置成矩阵状形成摄像部(12)。蓄积部(14)，将从摄像部(12)垂直转送来的信息电荷暂时蓄积。水平转送部(16)，将蓄积于蓄积部(14)中的信息电荷以行为单位进行水平转送。驱动部(19)，对垂直转送进行控制。通过驱动部(19)的控制，实现摄像部(12)中包含的多个受光像素之中的任一个受光像素的信息电荷、在整个摄像期间中都排出到半导体基板，并且在电荷转送时对两个以上的受光像素进行像素混合。
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公开(公告)号：CN101068302A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109934.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N3/15 , H04N5/335 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种能防止因信息电荷漏出到其他沟道区域而导致画质劣化的摄像装置该摄像装置，具备：摄像部，其在基板上的受光区域中，配置多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷并进行蓄积的受光像素而形成；蓄积部，其将从所述摄像部垂直转送来的信息电荷暂时蓄积；以及，转送部，其对蓄积于所述蓄积部中的信息电荷进行转送，所述蓄积部中包含的各像素的栅极面积，形成得比所述摄像部中包含的各像素的栅极面积大。
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公开(公告)号：CN101013712A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004796.8
申请日：2007-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 小田真弘
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，该摄像装置具备：载流子存储部，其具有光电变换功能，并且存储由光电变换生成的载流子；倍增部，其包括施加用于通过基于电场的碰撞电离而使载流子倍增的电场的倍增电极；和一个第一传送电极，设置在载流子存储部和倍增电极之间以使其与载流子存储部及倍增电极邻接。从而可获得一种可使载流子倍增并且可使装置小型化的摄像装置。
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公开(公告)号：CN1329964C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03141280.7
申请日：2003-06-03
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/76 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/76235 , H01L21/823878
Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。
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公开(公告)号：CN1758442A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510104189.X
申请日：2005-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/1485 , H01L27/14689 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供一种在抑制暗电流和耗电增大的同时，可抑制电子传送效率降低的固体摄像装置。该固体摄像装置具备电荷存储区域，其包含：距半导体基板的主表面具有第1深度的第1导电型第1杂质区域；具有比第1深度还大的第2深度的同时，还具有比第1杂质区域的杂质浓度还低的杂质浓度的第1导电型的第2杂质区域；和具有比第1深度还大、且比第2深度还小的第3深度的第1导电型的第3杂质区域。
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