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公开(公告)号：CN118829754A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025589.8
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 仁荷大学校产学协力团
IPC: D06F37/22 , D06F33/48 , F16F9/53 , D06F39/12 , D06F103/26 , D06F103/44
Abstract: 洗衣机包括：机柜；桶，设置在机柜内部；滚筒，能够旋转地设置在桶内部；至少一个阻尼器，联接到机柜和桶，并且包括磁流变流体和至少一个线圈，磁流变流体响应于磁场而改变粘度，至少一个线圈产生磁场；以及控制单元，基于滚筒的旋转速度和桶的振动值来控制施加到至少一个线圈的电压，以产生改变磁流变流体的粘度的磁场，从而减小由滚筒的旋转导致的桶的振动。
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公开(公告)号：CN110277453B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN111192923B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201910489544.1
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在有源区上；栅电极，与有源区交叉，在有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极/漏极区，与栅电极的两侧相邻，在有源区上，并与所述至少一个沟道层接触，其中，成对的源极/漏极区包括选择性外延生长(SEG)层，以及成对的源极/漏极区中的每个在第一方向上的最大宽度是有源区在第一方向上的宽度的1.3倍或者更小。
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公开(公告)号：CN109494221B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811052594.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN111816565A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010194754.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。
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公开(公告)号：CN111816565B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010194754.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。
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公开(公告)号：CN110277453A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN109494221A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811052594.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , H01L29/0642 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/0684 , H01L29/0692
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN119127411A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311699422.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种具有图生成和任务集调度的电子装置和方法。所述电子装置包括：一个或多个第一处理器，被配置为：基于包括在任务集中的多个任务中的每个的周期和执行时间来确定与所述多个任务对应的多个节点的特征；确定与所述多个任务之间的关系对应的所述多个节点之间的一个或多个边；以及基于所述多个节点的特征和所述多个节点之间的所述一个或多个边来生成与任务集对应的图，其中，在所述多个任务被分配给的一个或多个第二处理器中，根据针对所述多个任务中的每个设定的截止期限来执行所述多个任务。
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公开(公告)号：CN117594597A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310665406.0
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域；基底，包括第一表面和第二表面；第一有源图案至第三有源图案，在第一单元区域中沿第一水平方向延伸，第一有源图案至第三有源图案沿第二水平方向彼此间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中沿第一水平方向延伸，第四有源图案沿第一水平方向与第二有源图案对准；有源切口，将第二有源图案和第四有源图案分离；源极/漏极区域，在第二有源图案上；掩埋轨道，在基底的第二表面上沿第一水平方向延伸，掩埋轨道在竖直方向上与第二有源图案和第四有源图案中的每个叠置；以及源极/漏极接触件，穿透基底和第二有源图案并将源极/漏极区域连接到掩埋轨道。
