包括具有与栅极电极相同材料的着陆结构的图像传感器

    公开(公告)号:CN117641963A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311100420.2

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 一种图像传感器,包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底,设置在第一表面上的下电路器件,电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构,在第二表面上的下键合垫,在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔,设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构,在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。

    半导体存储器器件和具有半导体存储器器件的存储器系统

    公开(公告)号:CN110400586A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201811124242.6

    申请日:2018-09-26

    Abstract: 提供了一种半导体存储器器件和具有该半导体存储器器件的存储器系统。该半导体存储器器件包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元阵列块;以及刷新控制器,被配置为控制存储器单元阵列块来执行正常刷新操作和锤击刷新操作。刷新控制器控制除第一存储器单元阵列块和与第一存储器单元阵列块相邻的一个或多个第二存储器单元阵列块之外的一个或多个第三存储器单元阵列块来在对存储器单元阵列块当中的第一存储器单元阵列块执行正常刷新操作的同时执行锤击刷新操作。

    洗衣机及控制其的方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110520566B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201780089543.7

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 提供了一种洗衣机及控制其的方法。该洗衣机包括第一旋转桶、配置为使第一旋转桶旋转的第一驱动器、第二旋转桶、配置为使第二旋转桶旋转的第二驱动器、以及至少一个处理器,所述至少一个处理器配置为以使第一旋转桶和第二旋转桶旋转的方式控制第一驱动器和第二驱动器。如果第一旋转桶的转速等于或高于第一参考速度,则所述至少一个处理器控制第二驱动器,使得第二旋转桶的转度增加到目标速度,然后降低。

    洗衣机及控制其的方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110520566A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201780089543.7

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 提供了一种洗衣机及控制其的方法。该洗衣机包括第一旋转桶、配置为使第一旋转桶旋转的第一驱动器、第二旋转桶、配置为使第二旋转桶旋转的第二驱动器、以及至少一个处理器,所述至少一个处理器配置为以使第一旋转桶和第二旋转桶旋转的方式控制第一驱动器和第二驱动器。如果第一旋转桶的转速等于或高于第一参考速度,则所述至少一个处理器控制第二驱动器,使得第二旋转桶的转度增加到目标速度,然后降低。

    存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法

    公开(公告)号:CN110473577A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910184820.3

    申请日:2019-03-12

    Abstract: 提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元行;行锤击处理器,被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作,产生确定结果;刷新管理器,被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。

    包括接合衬底的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN118866918A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202311534265.5

    申请日:2023-11-17

    Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:第一衬底,其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线;以及第二衬底,其附接到第一衬底的第一侧,并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘,第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。

    三层堆叠式图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN118116940A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202311168005.0

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 发明构思提供了其中降低了贯通电极与垫之间的未对准并且降低了相邻垫之间的耦合噪声的三层堆叠式图像传感器及其制造方法。三层堆叠式图像传感器包括:上部芯片,包括以二维阵列结构布置的像素和第一布线层,每个像素包括光电二极管、传输栅极和浮置扩散区域;中间芯片,包括与每个像素对应的源极跟随器栅极、选择栅极和复位栅极、第一硅层以及第二布线层;以及下部芯片,包括图像传感器处理器、第三布线层和第二硅层,从第二布线层延伸穿过第一硅层的贯通电极的上部部分的剖面具有倒梯形结构。

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