公开(公告)号：CN107221560B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710170062.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  M.坎托罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

公开(公告)号：CN108511526A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810156564.2

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  金昶熹 ,  李允逸 ,  M.坎托罗 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。

公开(公告)号：CN107393922B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

公开(公告)号：CN107393922A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

公开(公告)号：CN107464846A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710406601.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开涉及场效应晶体管和半导体结构。场效应晶体管包括半导体基板和在半导体基板上的鳍结构，该半导体基板包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数与第一晶格常数不同。鳍结构还包括在第一方向上伸长的下部、从下部突出并在不同于第一方向的第二方向上伸长的多个上部以及与多个上部交叉的栅极结构。

公开(公告)号：CN107342287A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710218411.1

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：具有NMOSFET区域和PMOSFET区域的基板；在NMOSFET区域上的第一有源图案；在PMOSFET区域上的第二有源图案；在NMOSFET区域和PMOSFET区域之间的虚设图案；以及在基板上的器件隔离图案，填充第一有源图案、第二有源图案和虚设图案之间的沟槽。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分具有在器件隔离图案之间突出的鳍形结构。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分分别包含彼此不同的半导体材料，虚设图案的上部分包含绝缘材料。

公开(公告)号：CN107689375B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。

公开(公告)号：CN107689375A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。

公开(公告)号：CN108511526B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201810156564.2

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  金昶熹 ,  李允逸 ,  M.坎托罗 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。

公开(公告)号：CN107342287B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201710218411.1

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：具有NMOSFET区域和PMOSFET区域的基板；在NMOSFET区域上的第一有源图案；在PMOSFET区域上的第二有源图案；在NMOSFET区域和PMOSFET区域之间的虚设图案；以及在基板上的器件隔离图案，填充第一有源图案、第二有源图案和虚设图案之间的沟槽。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分具有在器件隔离图案之间突出的鳍形结构。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分分别包含彼此不同的半导体材料，虚设图案的上部分包含绝缘材料。