公开(公告)号：CN119811445A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411022606.5

申请日：2024-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旻佑 ,  曹丙坤 ,  金德成 ,  全俊镐 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4063

Abstract: 一种存储器件，包括：第一核心管芯和第二核心管芯，包括多个存储单元并且沿第一方向堆叠；以及缓冲器管芯，沿第一方向与第一核心管芯和第二核心管芯堆叠，并且包括第一物理层和第二物理层，其中，缓冲器管芯被配置为通过第一物理层输出多个存储单元的数据，其中，通过沿第一方向穿过第一核心管芯和第二核心管芯的通孔来从第一核心管芯和第二核心管芯提供多个存储单元的数据，并且其中，第二物理层与第一物理层分离并被配置为接收来自外部的电力信号。

公开(公告)号：CN114550768A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111368418.4

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔娟圭 ,  金度均 ,  李圣镇 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供一种存储器系统、控制存储器装置的刷新的方法和存储器装置。存储器系统包括存储器控制器和存储器装置。存储器控制器以平均刷新间隔周期性地生成刷新命令。存储器装置在刷新周期时间期间执行正常刷新操作和锤刷新操作。存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接至所述多条字线的存储器单元；温度传感器，其被配置为通过测量所述存储器单元阵列的操作温度提供温度信息；以及刷新控制器，其被配置为控制所述正常刷新操作和所述锤刷新操作。刷新控制器改变所述刷新周期时间期间执行的锤刷新操作的单位锤执行数相对于所述刷新周期时间期间执行的正常刷新操作的单位正常执行数的锤率。

公开(公告)号：CN113299826A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110202376.0

申请日：2021-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  姜周宪 ,  禹明勋 ,  尹健郁 ,  黄斗熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 垂直可变电阻存储器件包括栅电极和柱结构。栅电极在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上在衬底上彼此间隔开。柱结构在衬底上在垂直方向上延伸穿过栅电极。柱结构包括在垂直方向上延伸的垂直栅电极、设置在垂直栅电极的侧壁上的可变电阻图案、以及设置在可变电阻图案的外侧壁上的沟道。沟道和垂直栅电极彼此接触。

公开(公告)号：CN112447237A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010543803.7

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄斗熙 ,  金泰勋 ,  裵敏敬 ,  禹明勋 ,  李奉镕

IPC: G11C16/14

Abstract: 提供了半导体器件及操作半导体器件的方法。所述半导体器件包括源极层、多个沟道结构、多个栅电极和公共源极线。所述多个栅电极中的至少一个栅电极提供GIDL线。在擦除操作期间，施加到所述公共源极线的擦除电压达到目标电压，并且在所述擦除电压达到所述目标电压之后，将阶跃增量电压增加到所述擦除电压，使得所述擦除电压的电压电平高于所述目标电压的电压电平。在所需时间段内已经增加了所述阶跃增量电压之后，在所述擦除操作的剩余操作中，所述擦除电压的电压电平减小到所述目标电压的电压电平。

公开(公告)号：CN118053467A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310907998.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄晙夏 ,  李泳斌 ,  金刚逸 ,  宋新美 ,  吴起硕 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种存储器件、存储器件的操作方法和存储系统。所述存储器件包括：包括多个存储单元行的存储单元阵列；刷新控制电路，其被配置为输出刷新行地址以控制将对所述多个存储单元行中的至少一个存储单元行执行的刷新操作；以及控制逻辑电路，其被配置为从存储控制器接收与多个模式中的模式相对应的错误检查和清理(ECS)设定数据，将所述ECS设定数据存储在模式寄存器中，并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ECS设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。

公开(公告)号：CN117953934A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311330379.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐廷硕 ,  秋喆焕 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 公开了存储器装置、存储器系统以及操作存储器装置的方法。所述操作存储器装置的方法包括：周期性地从主机接收刷新命令；确定在预定时间段期间目标行地址是否被激活；以及当目标行地址被激活时，跳过对与目标行地址对应的字线的刷新操作并且将与刷新操作被跳过的字线对应的刷新跳过信号发送到主机；并且当目标行地址未被激活时，响应于刷新命令对与目标行地址对应的字线执行刷新操作。

公开(公告)号：CN115915769A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211211466.7

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄斗熙 ,  金泰勋 ,  裵敏敬 ,  尹那瑛

IPC: H10B43/35

Abstract: 一种垂直非易失性存储器设备，包括：存储器堆叠结构，包括栅极线和层间绝缘层，以及在堆叠方向上延伸的沟道孔；沟道层，在沟道孔中并且在堆叠方向上延伸；以及信息存储结构，包括从栅极线到沟道层在水平方向上顺序地布置的复合阻挡绝缘层、电荷存储层和隧穿绝缘层，其中，复合阻挡绝缘层包括介电常数高于氧化硅的金属氧化物，并且复合阻挡绝缘层包括在栅极线的侧面上的第一阻挡绝缘层以及在第一阻挡绝缘层和电荷存储层之间并且氧化密度低于第一阻挡绝缘层的第二阻挡绝缘层。

公开(公告)号：CN119181403A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410552975.9

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全俊镐 ,  李旻佑 ,  曹丙坤 ,  金德成 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/42 ,  G02B6/43 ,  G02F3/00 ,  G06E1/00

Abstract: 本申请涉及光学存储器模块和包括该光学存储器模块的光学计算系统。光学存储器模块包括衬底、衬底上的第一存储器控制器以及衬底上的多个第一存储器设备。第一存储器控制器包括第一收发器。第一收发器通过第一光学互连接收第一光学输入信号或通过第一光学互连输出第一光学输出信号。第一存储器控制器通过第一收发器和第一光学互连光学地连接到位于光学存储器模块外部的光学逻辑模块。该多个第一存储器设备由第一存储器控制器控制，并且由光学逻辑模块通过第一存储器控制器、第一收发器和第一光学互连来访问。

公开(公告)号：CN114664347A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111431969.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋新美 ,  金度均 ,  崔娟圭 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供了一种存储器设备、存储器系统和刷新存储器设备的方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；和刷新控制电路，被配置为响应于刷新命令来对多个存储器单元行执行刷新操作，刷新控制电路被配置为在每个基本刷新率定期接收刷新命令，其中，刷新控制电路基于存储器设备的温度来确定要刷新的存储器单元行的数量，并且响应于刷新命令，在与基本刷新率相关联的基本刷新周期期间，从多个存储器单元行当中刷新所确定的数量的存储器单元行。

公开(公告)号：CN112086461A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010423499.2

申请日：2020-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  金泰勋 ,  沈在龙 ,  郑光泳 ,  郑基容 ,  韩智勋 ,  黄斗熙

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。