公开(公告)号：CN117953934A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311330379.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐廷硕 ,  秋喆焕 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 公开了存储器装置、存储器系统以及操作存储器装置的方法。所述操作存储器装置的方法包括：周期性地从主机接收刷新命令；确定在预定时间段期间目标行地址是否被激活；以及当目标行地址被激活时，跳过对与目标行地址对应的字线的刷新操作并且将与刷新操作被跳过的字线对应的刷新跳过信号发送到主机；并且当目标行地址未被激活时，响应于刷新命令对与目标行地址对应的字线执行刷新操作。

公开(公告)号：CN114530172A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111397188.4

申请日：2021-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐廷硕 ,  金光贤 ,  金治国 ,  柳承佑 ,  黄斗熙

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了半导体存储器装置和包括其的存储器系统。一种半导体存储器装置包括：外部电阻器,其设置在板上；以及多个存储器晶片，其安装在板上并且被指定为主晶片和从晶片。存储器晶片共同连接至外部电阻器。主晶片在半导体存储器装置的初始化序列期间执行第一阻抗校准操作，并且在其中的第一寄存器集中存储第一校准数据、第一电压和第一温度。在第一阻抗校准操作完成之后，在初始化序列期间，多个从晶片中的每一个执行第二阻抗校准操作，并且在其中的第二寄存器集中存储与第二阻抗校准操作关联的第二校准数据和对应于第一校准数据和第二校准数据之间的差的偏差数据。