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公开(公告)号：CN115915769A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211211466.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种垂直非易失性存储器设备，包括：存储器堆叠结构，包括栅极线和层间绝缘层，以及在堆叠方向上延伸的沟道孔；沟道层，在沟道孔中并且在堆叠方向上延伸；以及信息存储结构，包括从栅极线到沟道层在水平方向上顺序地布置的复合阻挡绝缘层、电荷存储层和隧穿绝缘层，其中，复合阻挡绝缘层包括介电常数高于氧化硅的金属氧化物，并且复合阻挡绝缘层包括在栅极线的侧面上的第一阻挡绝缘层以及在第一阻挡绝缘层和电荷存储层之间并且氧化密度低于第一阻挡绝缘层的第二阻挡绝缘层。
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