公开(公告)号：CN109256172B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201810763620.9

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金用勋 ,  杜粹然 ,  姜东锡 ,  权慧贞 ,  金荣柱

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/00

Abstract: 存储器设备包括输出引脚、模式寄存器、信号生成器，被配置为响应于来自模式寄存器的第一和第二控制信号生成包括随机数据样式和保持数据样式中的一个的检测时钟输出信号，并通过输出引脚输出检测时钟输出信号。随机数据样式包括由存储器设备生成的伪随机数据。保持数据样式是预先存储在存储器设备中的固定样式。检测时钟输出信号被用于时钟和数据恢复操作。

公开(公告)号：CN117953932A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310832247.9

申请日：2023-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在祐 ,  金用勋 ,  金基汉 ,  俞昌植

IPC: G11C7/22 ,  G11C29/12 ,  H03K5/156

Abstract: 提供了存储器件、存储控制器以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：多相时钟发生器，其被配置为基于来自存储控制器的时钟信号生成具有N个不同相位的第一时钟信号至第N时钟信号；以及监视时钟信号发生器，其被配置为与第一时钟信号至第N时钟信号的边沿同步地生成具有与数据模式相对应的逻辑状态的监视时钟信号，其中，监视时钟信号包括被配置为在训练操作的第一步骤中检测第一时钟信号与第三时钟信号之间的偏斜的第一监视时钟信号、被配置为在训练操作的第二步骤中检测第二时钟信号与第四时钟信号之间的偏斜的第二监视时钟信号、以及被配置为在训练操作的第三步骤中检测第一时钟信号与第二时钟信号之间的偏斜第三监视时钟信号。

公开(公告)号：CN115691593A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210852607.7

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰珉 ,  金用勋 ,  郑在祐 ,  金经纶 ,  成侑昶 ,  俞昌植

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

Abstract: 提供半导体装置和包括该半导体装置的存储器系统。半导体装置包括：多个焊盘，其连接到使用具有不同相位的第一时钟信号至第四时钟信号接收数据信号的存储器装置；数据发送/接收电路，其将数据信号输出到多个焊盘中的多个数据焊盘并从多个数据焊盘接收数据信号，并且包括调整数据信号的相位的数据延迟单元；时钟输出电路，其将第一时钟信号至第四时钟信号输出到多个焊盘中的多个时钟焊盘，并且包括调整第一时钟信号至第四时钟信号的相位的第一时钟延迟单元至第四时钟延迟单元；以及控制器，其调整第一时钟延迟单元至第四时钟延迟单元和数据延迟单元中的至少一个的延迟量，使得第一时钟信号至第四时钟信号中的每一个在存储器装置中与数据信号对齐。

公开(公告)号：CN113964126A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110796992.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金衡辰 ,  金容峻 ,  金用勋 ,  安民守 ,  吴凛 ,  崔轸湧

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：单元区域，在所述单元区域中以阵列结构布置有多个存储单元；以及外围区域，在所述外围区域中布置有被配置为驱动所述多个存储单元的电路，并且所述外围区域紧邻所述单元区域。所述单元区域被分成多个存储体，并且所述多个存储体包括具有基本尺寸的第一存储体和尺寸为所述基本尺寸的1/(2*n)的第二存储体，其中，n是大于或等于1的整数。所述多个存储体布置在第一方向上和垂直于所述第一方向的第二方向上，并且所述半导体器件形成为在所述第二方向上伸长的矩形芯片。

公开(公告)号：CN117854552A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311017668.2

申请日：2023-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔佳滥 ,  金用勋 ,  李财雨 ,  金基汉 ,  张豪埈

IPC: G11C7/10

Abstract: 一种半导体芯片包括写入时钟缓冲器、电压调节器、工艺校准电路和温度校准电路。所述电压调节器生成多个调节电压。所述工艺校准电路依据所述半导体芯片的工艺变化，将所述调节电压中的一个调节电压输出为所述写入时钟缓冲器的偏置电压。所述温度校准电路实时地跟踪所述半导体芯片的温度变化，依据所跟踪的结果对来自所述工艺校准电路的所述偏置电压实时地执行模拟校准，并且将模拟校准的偏置电压输出到所述写入时钟缓冲器。

公开(公告)号：CN109256172A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810763620.9

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金用勋 ,  杜粹然 ,  姜东锡 ,  权慧贞 ,  金荣柱

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/00

Abstract: 存储器设备包括输出引脚、模式寄存器、信号生成器，被配置为响应于来自模式寄存器的第一和第二控制信号生成包括随机数据样式和保持数据样式中的一个的检测时钟输出信号，并通过输出引脚输出检测时钟输出信号。随机数据样式包括由存储器设备生成的伪随机数据。保持数据样式是预先存储在存储器设备中的固定样式。检测时钟输出信号被用于时钟和数据恢复操作。