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公开(公告)号：CN110580933B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201910495485.9
申请日：2019-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/24
Abstract: 一种存储器设备，包括：存储体，其包括连接到第一列选择线的第一存储器单元和连接到第二列选择线的第二存储器单元；第一列解码器，其通过在第一方向上通过所述第一列选择线发送第一列选择信号来选择所述第一存储器单元；以及第二列解码器，其通过在与所述第一方向相反的第二方向上通过所述第二列选择线发送第二列选择信号来选择所述第二存储器单元。所述第一列解码器包括存储所述第一存储器单元的第一故障列地址的第一寄存器，以及存储所述第二存储器单元的第二故障列地址的第二寄存器。
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公开(公告)号：CN101009135A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710007727.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/413
Abstract: 一种增强的半导体存储装置，其能够消除或最小化由不同位线对中的位线之间的电容性电压耦合引起的单元数据翻转现象。每个存储器单元被连接到字线并且位于位线对之间。第一预充电和均衡电路被连接到第一位线对，而第二预充电和均衡电路被连接到相邻的第二位线对。第一和第二预充电和均衡电路在不同的时间被独立地激活，以便减少在不同位线对中的相邻位线之间的电压耦合，从而最小化或消除由位线之间的电压耦合引起的相邻存储器单元的单元数据翻转现象。
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公开(公告)号：CN110322923B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN113964126A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110796992.3
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：单元区域，在所述单元区域中以阵列结构布置有多个存储单元；以及外围区域，在所述外围区域中布置有被配置为驱动所述多个存储单元的电路，并且所述外围区域紧邻所述单元区域。所述单元区域被分成多个存储体，并且所述多个存储体包括具有基本尺寸的第一存储体和尺寸为所述基本尺寸的1/(2*n)的第二存储体，其中，n是大于或等于1的整数。所述多个存储体布置在第一方向上和垂直于所述第一方向的第二方向上，并且所述半导体器件形成为在所述第二方向上伸长的矩形芯片。
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公开(公告)号：CN115729342A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210867629.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 提供了一种操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件。在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133350A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010581826.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金衡辰
Abstract: 搜索电路包括：内容可寻址存储器(CAM)，其包括被配置为存储多个条目数据的多个CAM单元，每个条目数据包括对应于最低有效位的第一位至对应于最高有效位的第K位，CAM被配置为提供指示多个条目数据中的每一个是否与搜索数据匹配的多个匹配信号；以及CAM控制器，其被配置为执行部分搜索操作，使得CAM控制器将与第一位至第K位的一部分相对应的比较位作为搜索数据施加至CAM，并且使得CAM控制器基于指示目标条目数据的对应位与比较位匹配的多个匹配信号在多个条目数据中搜索所述目标条目数据。
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公开(公告)号：CN110322923A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN117198372A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185568.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN117059156A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310326690.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件，包括具有多个存储单元的存储单元阵列，该多个存储单元跨被分组为段的多个行和被分组为节的多个列。节包括正常节和备用节，备用节跨存储单元阵列中的存储单元的至少一个冗余列。提供了一种修复电路，该修复电路被配置为：(i)用正常节之一中的合格列的第一目的地地址修复跨多个段的第一故障列的第一源地址，然后(ii)进一步用备用节内的对应于第一目的地地址的第一冗余列修复该合格列的第一目的地地址。
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公开(公告)号：CN110580933A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910495485.9
申请日：2019-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/24
Abstract: 一种存储器设备，包括：存储体，其包括连接到第一列选择线的第一存储器单元和连接到第二列选择线的第二存储器单元；第一列解码器，其通过在第一方向上通过所述第一列选择线发送第一列选择信号来选择所述第一存储器单元；以及第二列解码器，其通过在与所述第一方向相反的第二方向上通过所述第二列选择线发送第二列选择信号来选择所述第二存储器单元。所述第一列解码器包括存储所述第一存储器单元的第一故障列地址的第一寄存器，以及存储所述第二存储器单元的第二故障列地址的第二寄存器。
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