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公开(公告)号：CN110322923A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN107025927A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710017894.9
申请日：2017-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种存储器设备，包括存储器组、行选择电路和刷新控制器。存储器组包括多个存储器块，并且每个存储器块包括以行和列布置的多个存储器单元。所述行选择电路相对于存储器组执行访问操作，并相对于物理上与被密集地访问的行相邻的行执行锤刷新操作。所述刷新控制器控制所述行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行所述锤刷新操作。可以有效地执行锤刷新操作，并且可以在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作来增强存储器设备的性能。
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公开(公告)号：CN117198372A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185568.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN107025927B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201710017894.9
申请日：2017-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种存储器设备，包括存储器组、行选择电路和刷新控制器。存储器组包括多个存储器块，并且每个存储器块包括以行和列布置的多个存储器单元。所述行选择电路相对于存储器组执行访问操作，并相对于物理上与被密集地访问的行相邻的行执行锤刷新操作。所述刷新控制器控制所述行选择电路，以使得在访问操作的行激活时间期间执行所述锤刷新操作。可以有效地执行锤刷新操作，并且可以在访问操作的行激活时间期间执行锤刷新操作来增强存储器设备的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110322923B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN107403638A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710292037.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4093
CPC classification number: G06F3/0634 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G06F3/0614 , G06F3/0673 , G11C11/4074 , G11C11/4093
Abstract: 本发明提供一种能够调节操作电压的存储器设备，并且提供一种用于控制所述存储器设备的应用处理器。所述存储器设备可以包括：接收端子，所述接收端子用于从外部源接收电压控制信号，所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节操作电压电平；以及电压调节单元，所述电压调节单元用于响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以对应于经调节的操作电压的操作速度执行存储器操作之前被调节。
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公开(公告)号：CN108288482B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810019422.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种存储设备包括：存储单元阵列，包括多个存储单元行；温度传感器，检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据；第一寄存器，存储从存储设备外部接收的外部温度数据；以及刷新控制单元，通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率，并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN107403638B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201710292037.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4093
Abstract: 本发明提供一种能够调节操作电压的存储器设备，并且提供一种用于控制所述存储器设备的应用处理器。所述存储器设备可以包括：接收端子，所述接收端子用于从外部源接收电压控制信号，所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节操作电压电平；以及电压调节单元，所述电压调节单元用于响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以对应于经调节的操作电压的操作速度执行存储器操作之前被调节。
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公开(公告)号：CN108288482A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810019422.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种存储设备包括：存储单元阵列，包括多个存储单元行；温度传感器，检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据；第一寄存器，存储从存储设备外部接收的外部温度数据；以及刷新控制单元，通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率，并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。
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