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公开(公告)号:CN109754830A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811285149.3
申请日:2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/4091 , G11C11/4097
Abstract: 公开了半导体存储器设备,包括:单元阵列,其包括第一行块和第二行块;位线感测放大器块,其感测存储在第一行块或第二行块中的数据;局部感测放大器,其锁存从位线感测放大器块传送的感测的数据;以及开关,其响应于选择信号将局部感测放大器与第一全局数据线和第二全局数据线中的所选择的全局数据线连接。第二行块可以位于单元阵列的边缘处,并且当第一行块被激活时,开关将局部感测放大器与第一全局数据线连接,并且当第二行块被激活时,开关将局部感测放大器与第二全局数据线连接。
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公开(公告)号:CN109754830B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN201811285149.3
申请日:2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/4091 , G11C11/4097
Abstract: 公开了半导体存储器设备,包括:单元阵列,其包括第一行块和第二行块;位线感测放大器块,其感测存储在第一行块或第二行块中的数据;局部感测放大器,其锁存从位线感测放大器块传送的感测的数据;以及开关,其响应于选择信号将局部感测放大器与第一全局数据线和第二全局数据线中的所选择的全局数据线连接。第二行块可以位于单元阵列的边缘处,并且当第一行块被激活时,开关将局部感测放大器与第一全局数据线连接,并且当第二行块被激活时,开关将局部感测放大器与第二全局数据线连接。
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公开(公告)号:CN107403638A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201710292037.X
申请日:2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4093
CPC classification number: G06F3/0634 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G06F3/0614 , G06F3/0673 , G11C11/4074 , G11C11/4093
Abstract: 本发明提供一种能够调节操作电压的存储器设备,并且提供一种用于控制所述存储器设备的应用处理器。所述存储器设备可以包括:接收端子,所述接收端子用于从外部源接收电压控制信号,所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节操作电压电平;以及电压调节单元,所述电压调节单元用于响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以对应于经调节的操作电压的操作速度执行存储器操作之前被调节。
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公开(公告)号:CN107403638B
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201710292037.X
申请日:2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4093
Abstract: 本发明提供一种能够调节操作电压的存储器设备,并且提供一种用于控制所述存储器设备的应用处理器。所述存储器设备可以包括:接收端子,所述接收端子用于从外部源接收电压控制信号,所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节操作电压电平;以及电压调节单元,所述电压调节单元用于响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以对应于经调节的操作电压的操作速度执行存储器操作之前被调节。
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公开(公告)号:CN101241749A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200710199789.8
申请日:2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C7/065 , G11C2207/005
Abstract: 一种半导体存储器设备的读出放大器电路及其操作方法,其中读出放大器电路包括:与位线连接来读出和放大位线的信号的位线读出放大器,以及基于位线读出放大器的逻辑阈值来校准位线的电压电平的校准电路。在位线的电压电平被校准之后,位线读出放大器读出和放大位线的信号。位线读出放大器可以包括2-级级联锁存器,其包括具有与位线连接的输入端子的第一反相器;以及第二反相器,其具有与第一反相器的输出端子连接的输入端子和与位线连接的输出端子,并且响应于读出控制信号被启用/禁用。校准电路包括开关元件,其连接在第一反向器的输出端子和位线之间,并且响应于校准控制信号被导通或关断。
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