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公开(公告)号：CN107799155A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710703382.8
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0207 , G06F3/0679 , G06F11/1048 , G11C7/12 , G11C8/12 , G11C29/42 , G11C29/76 , G11C29/785 , G11C2029/1204 , G11C2029/4402 , G11C8/10 , G11C29/44 , G11C29/781
Abstract: 一种包括列冗余的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列及列解码器。所述存储单元阵列包括连接到字线的多个垫。所述列解码器包括第一修复电路及第二修复电路，在所述第一修复电路中存储第一修复列地址，在所述第二修复电路中存储第二修复列地址。当所述第一修复列地址与读取命令或写入命令中的所接收列地址重合时，所述列解码器从所述多个垫中的一个垫中选择除与所述所接收列地址对应的位线之外的其他位线。当所述第二修复列地址与所述所接收列地址重合时，所述列解码器在所述多个垫中选择除与所述所接收列地址对应的所述位线之外的其他位线。根据本发明的存储装置可通过增加可使用的列冗余来提高修复效率。
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公开(公告)号：CN112216332A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010429014.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。
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公开(公告)号：CN110322923A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN117198372A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185568.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN107799155B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201710703382.8
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包括列冗余的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列及列解码器。所述存储单元阵列包括连接到字线的多个垫。所述列解码器包括第一修复电路及第二修复电路，在所述第一修复电路中存储第一修复列地址，在所述第二修复电路中存储第二修复列地址。当所述第一修复列地址与读取命令或写入命令中的所接收列地址重合时，所述列解码器从所述多个垫中的一个垫中选择除与所述所接收列地址对应的位线之外的其他位线。当所述第二修复列地址与所述所接收列地址重合时，所述列解码器在所述多个垫中选择除与所述所接收列地址对应的所述位线之外的其他位线。根据本发明的存储装置可通过增加可使用的列冗余来提高修复效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112735504A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010946856.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00 , G06F12/0802
Abstract: 提供了存储器装置及其修复方法。存储器装置包括行解码器、列解码器和修复控制电路，修复控制电路被配置为：(i)将行地址与存储的故障行地址进行比较，(ii)将列地址与存储的故障列地址进行比较，(iii)当行地址对应于故障行地址时控制行解码器激活多条冗余字线中的至少一条，以及(iv)当列地址对应于故障列地址时控制列解码器激活多条冗余位线中的至少一条。修复控制电路在修复操作期间根据输入的地址来改变修复单元。
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公开(公告)号：CN111951872A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010268069.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、位线开关、块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的存储块，并且存储块中的每个包括存储单元。位线开关连接在第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与第一存储块的第二半局部I/O线之间。块开关连接在第一存储块的第二半局部I/O线和与第一存储块相邻的第二存储块的第一半局部I/O线之间。列译码器包括修复电路，该修复电路通过向位线开关施加第一开关控制信号和向块开关施加第二开关控制信号来控制连接。
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公开(公告)号：CN112216332B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010429014.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。
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公开(公告)号：CN110322923B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910246502.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/44
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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公开(公告)号：CN103425814A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310164040.5
申请日：2013-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F11/0766 , G01R31/287 , G11C29/006 , G11C29/56008 , G11C29/808 , G11C2029/5604
Abstract: 提供一种虚拟故障地址产生系统、冗余分析仿真系统及其方法。并提供一种故障分布产生系统。所述故障分布产生系统包括：故障地址映射模块，接收将包括在半导体装置中的故障表示为具有多个不同故障等级的多个像素的故障比特映射以及包括在半导体装置中的故障的故障地址，并将故障地址映射到故障比特映射的每个像素；故障模式分析模块，从故障地址映射模块接收关于故障地址被映射到的每个像素的信息，分析接收到的信息，并将包括在每个像素中的故障分类为预定故障模式；故障分布估计模块，基于故障模式分析模块的分类的结果估计根据故障等级的故障模式的发生概率分布。
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