公开(公告)号：CN112216332B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010429014.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  吴伦娜 ,  辛昊炫 ,  李载镐

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。

公开(公告)号：CN112216332A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010429014.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  吴伦娜 ,  辛昊炫 ,  李载镐

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。