公开(公告)号：CN112768436B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。

公开(公告)号：CN112993022B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202011144164.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  朴正敏 ,  金容诚 ,  李周浩

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H10N97/00 ,  H10B12/00 ,  H10B53/00 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。

公开(公告)号：CN109285847B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN114334879A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111180685.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  金海龙 ,  朴瑛琳 ,  赵哲珍

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。

公开(公告)号：CN112993158A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011097721.0

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器结构和一种包括该电容器结构的半导体装置，所述电容器结构包括：下电极，位于基底上；种子层，位于下电极上；介电层，位于种子层上；以及上电极，位于介电层上，其中，介电层包括化学式为ABO3的三元金属氧化物，其中，A和B中的每个独立地为金属，并且种子层包括化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物，化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物中的A和B中的每个是与化学式为ABO3的三元金属氧化物中的A和B相同的金属，0

公开(公告)号：CN112768436A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。

公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。

公开(公告)号：CN109285847A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN118335725A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410041311.6

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李珍镐 ,  金东昡 ,  金泛锡 ,  金载兴 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供电容器和包括其的电子器件。所述电容器包括第一电极层、第二电极层、设置在第一电极层和第二电极层之间的电介质层、以及设置在第一电极层和电介质层之间的中间层。所述中间层包括第一界面材料，所述第一界面材料包括至少一种第13族元素，并且所述至少一种第13族元素不为铝(Al)。

公开(公告)号：CN109830548B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。