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公开(公告)号：CN116364776A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211664988.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。
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公开(公告)号：CN114944360A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111527486.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，设置在基底上；第一沟槽，形成在第一层间绝缘层内部；接触插塞，设置在第一沟槽内部；第一布线图案，设置在接触插塞上；第二布线图案，设置在第一层间绝缘层上并在水平方向上与第一布线图案间隔开；第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上并围绕第一布线图案的每个侧壁和第二布线图案的每个侧壁；以及第一气隙，在第一沟槽内部形成在接触插塞上。
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公开(公告)号：CN112103247A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010455683.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/763 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种垂直场效应晶体管(VFET)的鳍状结构及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成多个芯轴，在所述芯轴之间具有至少一个第一间隙；分别在所述芯轴的侧表面上形成多个第一间隔物，使得在所述第一间隔物之间形成至少一个小于所述第一间隙的第二间隙；在所述第一间隔物的侧表面上形成第二间隔物；去除所述芯轴和所述第一间隔物，保留所述第二间隔物；去除所述第二间隔物的预定部分，使得剩余的第二间隔物在俯视图中具有二维形状；以及去除所述衬底的不在所述剩余的第二间隔物下方的部分和所述剩余的第二间隔物，使得所述衬底位于所述剩余的第二间隔物下方的部分形成所述鳍状结构。
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公开(公告)号：CN115084132A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111446580.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，该半导体衬底包括突出的有源图案；设置在有源图案上并延伸以与有源图案交叉的第一栅极图案；设置在第一栅极图案的顶面上的第一盖帽图案，第一盖帽图案具有顶面、侧面和圆角边缘；以及覆盖第一盖帽图案的侧面和边缘的第一绝缘图案。在第一盖帽图案的边缘上的第一绝缘图案的厚度与在间隔物图案的外侧面上的第一绝缘图案的厚度不同。
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公开(公告)号：CN114864523A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111224272.6
申请日：2021-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底上的有源区；与有源区相交的栅极结构；位于有源区上且在栅极结构的侧表面处的源/漏极区；栅极结构与源/漏极区之间的栅极侧墙，栅极侧墙接触栅极结构的侧表面；连接到源/漏极区的下源/漏级接触插塞；栅极侧墙上的栅极隔离层，栅极隔离层的上端处于比栅极结构的上表面和下源/漏极接触插塞的上表面高的高度处；覆盖栅极结构、下源/漏级接触插塞和栅极隔离层的覆盖层；以及连接到下源/漏极接触插塞并延伸穿过覆盖层的上源/漏极接触插塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068530A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110878115.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。
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公开(公告)号：CN101639167A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910148837.X
申请日：2009-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G3/342 , G09G3/3426 , G09G2320/02 , G09G2320/064
Abstract: 提供了一种用于驱动背光组件的方法和设备。所述背光组件包括：脉冲宽度调制信号输出单元，接收调光信号并输出具有与调光信号相应的占空比并具有不同时间段的脉冲宽度调制信号；光源，基于脉冲宽度调制信号发射光。
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公开(公告)号：CN101481615A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810173917.6
申请日：2008-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种荧光混合物、荧光灯、具有该荧光灯的背光组件及具有该荧光灯的显示装置，所述荧光灯包括灯体、荧光层和放电电极。灯体具有放电空间，在放电空间中产生紫外光。在灯体的内表面上形成荧光层以将紫外光转换为可见光。放电电极在灯体的端部上以将电压施加到放电空间。在波长为大约545nm处和波长为大约516nm处的可见光的强度比例为大约1.32∶1至大约1.71∶1。因此，可提高色再现性和亮度。
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公开(公告)号：CN110504320B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910405404.1
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了VFET器件。一种VFET器件包括基板，该基板包括第一突出部和第二突出部。该VFET器件包括位于第一突出部和第二突出部之间的隔离区域。该VFET器件包括分别位于第一突出部和第二突出部上的第一硅化物区域和第二硅化物区域。此外，该VFET器件包括位于第一硅化物区域和第二硅化物区域上的接触部。还提供了形成VFET器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN118693083A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410191892.1
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/538 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出并在第一水平方向上纵向延伸的鳍型有源区域；栅极线，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，并且与鳍型有源区域交叉；源极/漏极区域，在鳍型有源区域上位于栅极线之间；栅极间绝缘层，在栅极线之间且覆盖源极/漏极区域；有源接触件，在源极/漏极区域上并与源极/漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于在第二水平方向上的相邻源极/漏极区域之间，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。
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