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公开(公告)号：CN103782399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN102169934B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110056959.3
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103782399A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103650178A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072220.X
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
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公开(公告)号：CN103650173A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072081.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。
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公开(公告)号：CN103797594A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073508.9
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面提供了一种波长转换发光二极管（LED）芯片以及用于制造该波长转换LED芯片的方法，其中所述方法包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的顶面上的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的表面朝向上部；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在芯片排列区域上形成含荧光物质树脂封装部件以覆盖导电凸块；抛光含荧光物质树脂封装部件以暴露该含荧光物质树脂封装部件的顶面上的导电凸块；切割LED芯片之间的含荧光物质树脂封装部件，以形成波长转换LED芯片（在此，通过含荧光物质树脂封装部件获得的波长转换层形成在波长转换LED芯片的侧表面和顶面上）；以及从波长转换LED芯片去除临时支撑板。
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公开(公告)号：CN103733359A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180072761.2
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。
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公开(公告)号：CN103650175A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180071914.1
申请日：2011-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
Abstract: 本发明涉及能够改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：n型半导体层，其上表面上有至少一个凹坑；形成在所述n型半导体层上的有源层，所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面；和形成在所述有源层上的p型半导体层，所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。
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