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公开(公告)号：CN108572512B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201711188432.X
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
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公开(公告)号：CN113161412A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011576877.7
申请日：2020-12-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。
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公开(公告)号：CN106410002A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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公开(公告)号：CN108987463A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711443416.0
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/16
CPC classification number: H01L29/1606 , C01B32/186 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/3065 , H01L23/53276 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/66015
Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110752204B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910012228.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。
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公开(公告)号：CN113725107A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110333720.X
申请日：2021-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N23/2273
Abstract: 提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
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公开(公告)号：CN113410304A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110280227.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/092
Abstract: 示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。
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公开(公告)号：CN106410002B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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