公开(公告)号：CN117253786A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310717086.9

申请日：2023-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  林相铉 ,  林宰弘 ,  许硕

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括：在晶圆上提供光致抗蚀剂；以第一流速向烘烤室供应包含氧的第一气体，使得光致抗蚀剂的氧溶解度变得饱和，并且以第二流速向烘烤室供应不含氧的第二气体；以及在烘烤室中对晶圆执行烘烤工艺。

公开(公告)号：CN109909870B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201811354271.1

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁之恩 ,  尹东一 ,  严泰民 ,  赵贵铉 ,  许硕 ,  徐钟辉 ,  崔溶元

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B37/34 ,  B24B7/22 ,  H01L21/68

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，具体地，提供了一种装载杯，所述装载杯包括：具有内部空间的杯；基座，所述基座设置在所述内部空间中，能够上升或下降，并且将晶片装载到抛光头上或将所述晶片从所述抛光头卸载；以及多个布置部件，所述多个布置部件具有多个紧固部分和布置部件主体，所述多个紧固部分围绕所述基座设置并沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动，所述布置部件主体分别结合到所述多个紧固部分并且能够旋转或往复运动以接触所述抛光头的侧表面，从而调整所述晶片的中心与所述抛光头的中心对准。

公开(公告)号：CN112138905B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010596996.2

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴炅桓 ,  姜景元 ,  姜现准 ,  李柱奉 ,  张星勋 ,  许硕 ,  黄铉雄

IPC: B05B13/04 ,  B05B13/02 ,  B05B12/00 ,  B05B12/12 ,  B05B15/68 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于半导体装置的制造设备，所述制造设备包括：旋转卡盘，其被配置为固定并旋转晶圆；喷嘴，其被配置为朝向晶圆喷洒化学试剂；横向位移传感器，其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时测量到的晶圆的侧表面位移变化；以及控制器，其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时通过使用位移变化来控制喷嘴的位置。

公开(公告)号：CN115963699A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211043815.9

申请日：2022-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 佐佐卓志 ,  吴炅桓 ,  李相昊 ,  许硕 ,  金浩均 ,  李周炯

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了一种光刻胶供应系统，包括：泵，包括存储光刻胶的第一管膜和过滤光刻胶的过滤器；第二管膜，存储光刻胶并设置在泵的外部，其中，第二管膜将光刻胶传输到第一管膜；存储单元，存储光刻胶，其中，存储单元将光刻胶提供给第二管膜；以及管膜驱动单元，与第一管膜连接。管膜驱动单元调节第一管膜的内部容积并对第一管膜的柔性外壁施加压力以将光刻胶从第一管膜传输到安装在腔室中的喷嘴。存储在第一管膜中的光刻胶的至少一部分传输到第二管膜。

公开(公告)号：CN109524328B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201811100549.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在原 ,  Y·金 ,  闵昌基 ,  李振雨 ,  许硕 ,  崔溶元 ,  崔允钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。

公开(公告)号：CN115719720A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211011661.5

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许硕 ,  高次元 ,  金贤友 ,  洪尚俊 ,  姜景元 ,  金东昱 ,  徐璟源 ,  张永日 ,  崔容锡

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜。加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。

公开(公告)号：CN109909870A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201811354271.1

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁之恩 ,  尹东一 ,  严泰民 ,  赵贵铉 ,  许硕 ,  徐钟辉 ,  崔溶元

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B37/34 ,  B24B7/22 ,  H01L21/68

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，具体地，提供了一种装载杯，所述装载杯包括：具有内部空间的杯；基座，所述基座设置在所述内部空间中，能够上升或下降，并且将晶片装载到抛光头上或将所述晶片从所述抛光头卸载；以及多个布置部件，所述多个布置部件具有多个紧固部分和布置部件主体，所述多个紧固部分围绕所述基座设置并沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动，所述布置部件主体分别结合到所述多个紧固部分并且能够旋转或往复运动以接触所述抛光头的侧表面，从而调整所述晶片的中心与所述抛光头的中心对准。

公开(公告)号：CN112309894A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010310465.2

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  朴成龙 ,  徐恩锡 ,  曹亨硕 ,  许硕

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种晶片加工装置。所述装置包括：加热板，其中穿过加热板形成有真空端口；多个温度传感器；加热设备，被配置为对加热板进行加热；第一电源和第二电源；温度控制器，用于基于温度传感器生成的测量值，生成第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号，以控制电源的电力输出；电子压力调节器，被配置为向多个真空端口提供用于固定晶片的真空压力；以及晶片卡紧控制器，被配置为控制电子压力调节器，并基于第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号生成用于控制电子压力调节器的反馈压力控制信号。

公开(公告)号：CN109524328A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811100549.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在原 ,  Y·金 ,  闵昌基 ,  李振雨 ,  许硕 ,  崔溶元 ,  崔允钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。

公开(公告)号：CN112138905A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010596996.2

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴炅桓 ,  姜景元 ,  姜现准 ,  李柱奉 ,  张星勋 ,  许硕 ,  黄铉雄

IPC: B05B13/04 ,  B05B13/02 ,  B05B12/00 ,  B05B12/12 ,  B05B15/68 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于半导体装置的制造设备，所述制造设备包括：旋转卡盘，其被配置为固定并旋转晶圆；喷嘴，其被配置为朝向晶圆喷洒化学试剂；横向位移传感器，其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时测量到的晶圆的侧表面位移变化；以及控制器，其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时通过使用位移变化来控制喷嘴的位置。