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公开(公告)号：CN112309894A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010310465.2
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了一种晶片加工装置。所述装置包括：加热板，其中穿过加热板形成有真空端口；多个温度传感器；加热设备，被配置为对加热板进行加热；第一电源和第二电源；温度控制器，用于基于温度传感器生成的测量值，生成第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号，以控制电源的电力输出；电子压力调节器，被配置为向多个真空端口提供用于固定晶片的真空压力；以及晶片卡紧控制器，被配置为控制电子压力调节器，并基于第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号生成用于控制电子压力调节器的反馈压力控制信号。
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