公开(公告)号：CN109524328B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201811100549.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在原 ,  Y·金 ,  闵昌基 ,  李振雨 ,  许硕 ,  崔溶元 ,  崔允钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。

公开(公告)号：CN109524328A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811100549.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在原 ,  Y·金 ,  闵昌基 ,  李振雨 ,  许硕 ,  崔溶元 ,  崔允钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。