公开(公告)号：CN1770392A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106861.9

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊 ,  殷华湘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。

公开(公告)号：CN101114585B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610172718.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。

公开(公告)号：CN101235541A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710192803.1

申请日：2007-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  赵世泳 ,  殷华湘 ,  林赫

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B13/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  Y10T428/2962

Abstract: 一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。

公开(公告)号：CN101114585A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610172718.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。

公开(公告)号：CN101064258A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。

公开(公告)号：CN1753156A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510081936.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  郑智心

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN101819982B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101064258B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。

公开(公告)号：CN101378076A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810131345.5

申请日：2008-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装置中，可在基底上形成至少一个底部栅电极。在该至少一个底部栅电极上可形成至少一个电荷存储层，在该至少一个电荷存储层上可形成至少一个半导体沟道层。

公开(公告)号：CN1630099A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410081934.9

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  野口隆 ,  鲜于文旭 ,  金道暎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法，可以减少工序和掩模的数量，从而降低生产成本。该薄膜晶体管包括衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；在缓冲层上形成的使源极和漏极彼此连接起来的沟道层；及在缓冲层上形成的与源极、漏极和沟道层间隔开的栅极。