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公开(公告)号：CN117111832A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310363803.2
申请日：2023-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , H04L67/1097
Abstract: 提供了用于管理分布式存储装置的计算系统及操作其的方法。所述计算系统包括多个存储装置、存储器装置、主机装置和交换机。所述方法包括：由存储器装置从主机装置接收与目标用户数据对应的第一请求；由存储器装置基于第一请求根据与所述多个存储装置对应的遥测信息和存储器装置的缓冲存储器中的映射数据生成第一输入/输出(I/O)流信息，其中，第一I/O流信息指示所述多个存储装置中的第一存储装置与主机装置之间的数据路径；由存储器装置通过交换机将第一重定向请求提供给主机装置或第一存储装置，第一重定向请求包括第一请求和第一I/O流信息；以及根据第一重定向请求中的第一I/O流信息来处理所述目标用户数据。
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公开(公告)号：CN101533849B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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公开(公告)号：CN101533892A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127435.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN117111830A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310324924.6
申请日：2023-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储装置、存储器装置和包括其的计算系统。所述存储器装置包括：缓冲存储器；以及存储器控制器，被配置为：从至少一个外部存储装置获得映射数据和用于恢复映射数据的元数据；将从所述至少一个外部存储装置获得的映射数据和元数据存储在缓冲存储器中，缓冲存储器被分配用于所述至少一个外部存储装置；将与所述至少一个外部存储装置对应的逻辑地址转换为缓冲存储器的物理地址；以及响应于检测到突然断电事件，将映射数据和元数据发送到所述至少一个外部存储装置。
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公开(公告)号：CN117009278A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310308179.6
申请日：2023-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供计算系统及操作其的方法。所述计算系统包括多个存储装置、存储器装置和交换机。所述方法包括：由所述多个存储装置中的第一存储装置通过交换机将包括与第一用户数据对应的第一元数据的第一映射请求提供给存储器装置；由存储器装置基于第一映射请求识别与第一元数据对应的第一标准；以及由存储器装置基于第一标准生成指示第一用户数据的第一物理块地址与第一逻辑块地址之间的关系的第一映射数据。
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公开(公告)号：CN101533849A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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