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公开(公告)号：CN100440655C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610019857.3
申请日：2006-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。
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公开(公告)号：CN101110394A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710007940.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III－V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN101026092A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610160403.8
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/308 , H01L33/00 , H01S5/02
CPC classification number: C30B7/005 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265
Abstract: 本发明提供了一种悬臂外延生长衬底及其制造方法。所述悬臂外延生长衬底包括：衬底；用于悬臂外延生长的多个图案区，沿第一方向形成在所述衬底上；和至少一个溶液阻隔层，接触所述多个图案区并沿第二方向形成在所述衬底上，因此防止半导体装置由于悬臂外延生长工艺中的半导体装置的空气间隙和百分比缺陷而导致的污染。
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公开(公告)号：CN102244172B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110124931.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。
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公开(公告)号：CN1527448A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310120206.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/0206 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2205 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1518134A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03158948.0
申请日：2003-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括：(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层，直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面；(d)去除金属氧化物层；以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。本发明减小了缺陷密度，并促进了均匀的缺陷分布。
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公开(公告)号：CN101110394B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710007940.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III-V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN100468893C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200310120206.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/0206 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2205 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。
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公开(公告)号：CN101017959A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610125681.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的下部多半导体层；形成于所述下部多半导体层上的有源层；具有脊形部分，并且形成于所述有源层上的上部多半导体层；以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极，其中，所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。
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公开(公告)号：CN1858946A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610019857.3
申请日：2006-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。
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