公开(公告)号：CN103019050A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN103019050B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN115602640A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210489897.3

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李亨周 ,  姜芸炳 ,  朴世哲 ,  朴商植 ,  尹孝镇 ,  李泽勋 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；底部填充材料层，介于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；以及第一坝体结构，设置在第一半导体芯片上。第一坝体结构沿第二半导体芯片的边缘延伸并且包括彼此间隔开且其间具有狭缝的单元坝体结构。第一坝体结构的上表面的竖直高度位于第二半导体芯片的下表面的竖直高度和第二半导体芯片的上表面的竖直高度之间。第一坝体结构的第一侧壁与底部填充材料层接触，并且包括与第二半导体芯片的面向第一坝体结构的第一侧壁的侧壁平行的平坦表面。

公开(公告)号：CN115706088A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210944734.X

申请日：2022-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜芸炳 ,  朴世哲 ,  尹孝镇 ,  郑泰和 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/544 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片包括围绕第一接合焊盘结构和第二接合焊盘结构中的每个的至少一部分的第二接合绝缘层，其中第一接合焊盘结构包括第一接触部分、第一接合焊盘以及设置在第一接合焊盘和第一接触部分之间并在第一方向上延伸的第一籽晶层，第二接合焊盘结构包括第二接触部分、第二接合焊盘以及设置在第二接合焊盘和第二接触部分之间并在第一方向上延伸的第二籽晶层，并且第二接合绝缘层与第一籽晶层和第二籽晶层以及第一接合焊盘和第二接合焊盘中的每个的侧表面接触。

公开(公告)号：CN101231464B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810003862.4

申请日：2008-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹孝镇 ,  权宁吉 ,  金永虎 ,  金导永 ,  崔在喜 ,  白世卿

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07D493/08 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含：约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂；约0.1％至约0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有锍盐阳离子基团和含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团；和余量的溶剂。所述光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN101231464A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810003862.4

申请日：2008-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹孝镇 ,  权宁吉 ,  金永虎 ,  金导永 ,  崔在喜 ,  白世卿

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07D493/08 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含：约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂；约0.1％至约0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有锍盐阳离子基团和含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团；和余量的溶剂。所述光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。