化学物质供应结构和具有其的显影设备

    公开(公告)号:CN111158222A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201910846787.6

    申请日:2019-09-09

    Abstract: 提供了一种化学物质供应结构和具有其的显影设备。所述化学物质供应结构包括:条形主体,所述条形主体具有多个化学物质贮存器,所述多个化学物质贮存器被配置为分别储存多种化学物质;条形喷嘴,所述条形喷嘴从所述主体的底表面突出,并且被配置为将由所述多种化学物质的混合所形成的喷射化学物质喷射到待处理的衬底上;以及疏水单元,所述疏水单元布置在所述主体的所述底表面上并布置在所述喷嘴的侧表面上,从而通过控制混合有所述喷射化学物质的混合溶液相对于所述底表面和所述侧表面的接触角来防止所述混合溶液粘附到所述底表面和所述侧表面。

    化学物质供应结构和具有其的显影设备

    公开(公告)号:CN111158222B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN201910846787.6

    申请日:2019-09-09

    Abstract: 提供了一种化学物质供应结构和具有其的显影设备。所述化学物质供应结构包括:条形主体,所述条形主体具有多个化学物质贮存器,所述多个化学物质贮存器被配置为分别储存多种化学物质;条形喷嘴,所述条形喷嘴从所述主体的底表面突出,并且被配置为将由所述多种化学物质的混合所形成的喷射化学物质喷射到待处理的衬底上;以及疏水单元,所述疏水单元布置在所述主体的所述底表面上并布置在所述喷嘴的侧表面上,从而通过控制混合有所述喷射化学物质的混合溶液相对于所述底表面和所述侧表面的接触角来防止所述混合溶液粘附到所述底表面和所述侧表面。

    制造极紫外(EUV)光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置

    公开(公告)号:CN114355721A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111179241.3

    申请日:2021-10-09

    Abstract: 提供了一种方法。所述方法包括:制备掩模坯,掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层;通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模,其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素,并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸;识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域;将蚀刻剂施加于光掩模;以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时,将激光束照射到校正目标区域。

    制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN117192885A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310657956.8

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。所述制造光掩模的方法包括:形成包括多个图案元素的光掩模,其中,所述多个图案元素包括具有临界尺寸偏差的校正目标图案元素;获取局部CD校正信息;将激光束导向数字微镜器件(DMD)的镜阵列,其中,所述镜阵列具有以多个行和多个列布置的镜;通过基于所述局部CD校正信息控制每个所述镜的开启/关闭切换,将所述激光束转换成与所述镜阵列相对应的光束图案阵列;通过经由光学系统聚焦所述光束图案阵列来形成线性光束;向所述光掩模施加蚀刻剂并将所述线性光束导向所述光掩模,并且移动所述线性光束以照射所述光掩模。

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