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公开(公告)号：CN103715240A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310128726.9
申请日：2013-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。
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公开(公告)号：CN103151374A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210526107.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。
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公开(公告)号：CN102280992A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113535.6
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。
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公开(公告)号：CN120035165A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410780055.2
申请日：2024-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。
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公开(公告)号：CN117855262A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311031978.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可包括沟道层上的势垒层、势垒层上的栅电极、势垒层与栅电极之间的栅极半导体层、以及沟道层上的彼此间隔开的源极和漏极。势垒层可具有比沟道层大的能带隙。栅极半导体层可包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁。栅极半导体层的第二表面的区域可比第一表面的区域窄。栅极半导体层的侧壁可包括具有不同斜率的多个表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151374B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201210526107.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。
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公开(公告)号：CN103311289A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210427387.X
申请日：2012-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。
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公开(公告)号：CN102916044A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210256482.8
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。
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公开(公告)号：CN102194867A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110051882.0
申请日：2011-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。
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公开(公告)号：CN113555427B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011409970.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。
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