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公开(公告)号：CN111223834A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910800057.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
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公开(公告)号：CN103839944B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN109390407A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810812764.9
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。
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公开(公告)号：CN110718548B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910238881.3
申请日：2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
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公开(公告)号：CN110931545B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910811500.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122137A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111002444.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。
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公开(公告)号：CN110875393B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN109390407B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810812764.9
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。
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公开(公告)号：CN111223834B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910800057.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
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公开(公告)号：CN110875393A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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