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    Driver Integrated Circuit
    1.
    发明申请
    Driver Integrated Circuit 有权
    驱动器集成电路

    公开(公告)号：US20140125398A1

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：US14122623

    申请日：2012-05-24

    申请人： Wen Li ,  Norio Chujo ,  Masami Makuuchi ,  Takehito Kamimura

    发明人： Wen Li ,  Norio Chujo ,  Masami Makuuchi ,  Takehito Kamimura

    IPC分类号： H03K19/0175

    CPC分类号： H03K19/0175 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/52 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/3022 ,  H03F2200/189 ,  H03K19/017509 ,  H01L2924/00012

    摘要： Provided is a configuration of a driver integrated circuit that can output a voltage exceeding the withstand voltage of a process, and that satisfies required apparatus performance (high speed and high voltage). A differential input circuit, a level shift circuit, and an output circuit are manufactured by the same process and divided and disposed on three or more chips with different substrate potentials (sub-potentials). By setting different applied voltages to the substrates of the chips, an output voltage greater than the process withstand voltage can be provided (see FIG. 2).

    摘要翻译： 提供可以输出超过工艺耐压的电压并满足所需设备性能（高速和高电压）的驱动器集成电路的结构。 差分输入电路，电平移位电路和输出电路通过相同的工艺制造并且被分配和布置在具有不同衬底电位（子电位）的三个或更多个芯片上。 通过对芯片的基板设置不同的施加电压，可以提供大于工艺耐受电压的输出电压（参见图2）。

    Contamination-inspecting apparatus and detection circuit
    3.
    发明授权
    Contamination-inspecting apparatus and detection circuit 有权
    污染检查装置和检测电路

    公开(公告)号：US08035071B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12116241

    申请日：2008-05-07

    申请人： Masami Makuuchi ,  Ritsurou Orihashi ,  Masayoshi Takahashi ,  Wen Li ,  Kengo Imagawa ,  Takahiro Jingu

    发明人： Masami Makuuchi ,  Ritsurou Orihashi ,  Masayoshi Takahashi ,  Wen Li ,  Kengo Imagawa ,  Takahiro Jingu

    IPC分类号： G01N21/88

    CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N2201/1241

    摘要： The detection part has: a subtraction module for calculating correction data from data of detection systems when a reference-voltage generation module applies a reference voltage to the detection systems; a data-holding module for holding the correction data; an addition module for making a correction of detection data; a comparison module for comparing the detection data with switching data; and a selector for switching data of the detection systems including data subjected to the correction according to the output of the comparison module.

    摘要翻译： 检测部具有：减法模块，用于当参考电压产生模块向检测系统施加参考电压时，从检测系统的数据计算校正数据; 用于保持校正数据的数据保持模块; 用于对检测数据进行校正的加法模块; 比较模块，用于将检测数据与切换数据进行比较; 以及选择器，用于根据比较模块的输出来切换包括经过校正的数据的检测系统的数据。

    CONTAMINATION-INSPECTING APPARATUS AND DETECTION CIRCUIT
    4.
    发明申请
    CONTAMINATION-INSPECTING APPARATUS AND DETECTION CIRCUIT 有权
    污染检查装置和检测电路

    公开(公告)号：US20080278717A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US12116241

    申请日：2008-05-07

    申请人： Masami Makuuchi ,  Ritsurou Orihashi ,  Masayoshi Takahashi ,  Wen Li ,  Kengo Imagawa ,  Takahiro Jingu

    发明人： Masami Makuuchi ,  Ritsurou Orihashi ,  Masayoshi Takahashi ,  Wen Li ,  Kengo Imagawa ,  Takahiro Jingu

    IPC分类号： G01N21/88

    CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N2201/1241

    摘要： The detection part has: a subtraction module for calculating correction data from data of detection systems when a reference-voltage generation module applies a reference voltage to the detection systems; a data-holding module for holding the correction data; an addition module for making a correction of detection data; a comparison module for comparing the detection data with switching data; and a selector for switching data of the detection systems including data subjected to the correction according to the output of the comparison module.

    摘要翻译： 检测部具有：减法模块，用于当参考电压产生模块向检测系统施加参考电压时，从检测系统的数据计算校正数据; 用于保持校正数据的数据保持模块; 用于对检测数据进行校正的加法模块; 比较模块，用于将检测数据与切换数据进行比较; 以及选择器，用于根据比较模块的输出来切换包括经过校正的数据的检测系统的数据。

    Metal hydrides with embedded metal structures for hydrogen storage
    5.
    发明授权
    Metal hydrides with embedded metal structures for hydrogen storage 有权
    具有嵌入金属结构的金属氢化物用于储氢

    公开(公告)号：US09506603B2

    公开(公告)日：2016-11-29

    申请号：US13615988

    申请日：2012-09-14

    申请人： Wen Li ,  John J. Vajo ,  Alan J. Jacobsen ,  Mei Cai ,  Martin P. Sulic

    发明人： Wen Li ,  John J. Vajo ,  Alan J. Jacobsen ,  Mei Cai ,  Martin P. Sulic

    IPC分类号： F17C11/00

    CPC分类号： F17C11/005 ,  Y02E60/321 ,  Y10T29/49826

    摘要： One illustrative embodiment includes materials and devices including an integrated hydrogen storage structure including a plurality of continuously connected thermally conductive elongated members, the elongated members including continuously connected openings between the elongated members; and, a metal hydride material contacting the elongated members and disposed within the connected openings and surrounding the elongated members.

    摘要翻译： 一个说明性实施例包括包括包括多个连续连接的导热细长构件的集成氢存储结构的材料和装置，细长构件包括在细长构件之间的连续连接的开口; 以及金属氢化物材料，其与细长构件接触并且设置在连接的开口内并围绕细长构件。

    Instruction length based cracking for instruction of variable length storage operands
    8.
    发明授权
    Instruction length based cracking for instruction of variable length storage operands 有权
    指令长度为可变长度存储操作数指令的破解

    公开(公告)号：US08495341B2

    公开(公告)日：2013-07-23

    申请号：US12707163

    申请日：2010-02-17

    申请人： Fadi Busaba ,  Brian Curran ,  Bruce Giamei ,  Christian Jacobi ,  Wen Li

    发明人： Fadi Busaba ,  Brian Curran ,  Bruce Giamei ,  Christian Jacobi ,  Wen Li

    IPC分类号： G06F9/30

    CPC分类号： G06F9/30032 ,  G06F9/30149 ,  G06F9/3016 ,  G06F9/3017

    摘要： A method, information processing system, and computer program product manage variable operand length instructions. At least one variable operand length instruction is received. The at least one variable operand length instruction is analyzed. A length of at least one operand in the variable operand length instruction is identified based on the analyzing. The at least one variable operand length instruction is organized into a set of unit of operations. The set of unit of operations are executed. The executing increases one or more performance metrics of the at least one variable operand length instruction.

    摘要翻译： 一种方法，信息处理系统和计算机程序产品管理可变操作数长度指令。 接收至少一个可变操作数长度指令。 分析至少一个可变操作数长度指令。 基于分析来识别可变操作数长度指令中的至少一个操作数的长度。 所述至少一个可变操作数长度指令被组织成一组操作单元。 执行操作单元的集合。 所述执行增加所述至少一个可变操作数长度指令的一个或多个性能度量。

    PHOTODIODE ARRAYS AND METHODS OF FABRICATION
    9.
    发明申请
    PHOTODIODE ARRAYS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
    光电子阵列和制造方法

    公开(公告)号：US20130168796A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13343146

    申请日：2012-01-04

    申请人： Abdelaziz Ikhlef ,  Wen Li

    发明人： Abdelaziz Ikhlef ,  Wen Li

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14658 ,  A61B6/032 ,  A61B6/037 ,  A61B6/4233 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

    摘要： Photodiode arrays and methods of fabrication are provided. One photodiode array includes a silicon wafer having a first surface and an opposite second surface. The photodiode array also includes a plurality of refilled conductive vias through the silicon wafer, wherein the refilled conductive vias have a doping type different than the doping type of the substrate, and an interface between the refilled conductive vias and the substrate form diode junctions. The photodiode array further includes a patterned doped layer on the first surface overlapping the refilled conductive vias, wherein the patterned doped layer defines an array of photodiodes.

    摘要翻译： 提供了光电二极管阵列和制造方法。 一个光电二极管阵列包括具有第一表面和相对的第二表面的硅晶片。 光电二极管阵列还包括通过硅晶片的多个重新填充的导电通孔，其中重新填充的导电通孔具有不同于衬底的掺杂类型的掺杂类型，并且再填充的导电通孔和衬底之间的界面形成二极管结。 光电二极管阵列还包括在重新填充的导电通孔上的第一表面上的图案化掺杂层，其中图案化掺杂层限定光电二极管阵列。