公开(公告)号：US08455605B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13535673

申请日：2012-06-28

申请人： Sang-Ran Koh ,  June-Ho Shin ,  Hyun-Jung Ahn ,  Sung-Hwan Cha ,  Young-Eun Choi ,  Doo-Young Jung ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Ran Koh ,  June-Ho Shin ,  Hyun-Jung Ahn ,  Sung-Hwan Cha ,  Young-Eun Choi ,  Doo-Young Jung ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： C08G77/60

CPC分类号： C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/80

摘要： A resin composition for a transparent encapsulation material, the resin composition including a polysiloxane obtained by copolymerization of a first silicon compound represented by the following Chemical Formula 1 and a second silicon compound including a compound represented by the following Chemical Formula 2,

摘要翻译： 一种透明包封材料用树脂组合物，该树脂组合物含有通过由下述化学式1表示的第一硅化合物的共聚合得到的聚硅氧烷和包含由下述化学式2表示的化合物的第二硅化合物，

公开(公告)号：US09140986B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13539760

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： C08G77/08 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  C08L83/04 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/06

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A resist underlayer composition includes a solvent and an organosilane condensation polymerization product, the organosilane condensation polymerization product including about 40 to about 80 mol % of a structural unit represented by the following Chemical Formula 1,

摘要翻译： 抗蚀剂底层组合物包括溶剂和有机硅烷缩聚产物，所述有机硅烷缩聚产物包含约40至约80mol％的由以下化学式1表示的结构单元，

公开(公告)号：US08758981B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13540111

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Chang-Soo Woo ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Chang-Soo Woo ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

摘要： A photoresist underlayer composition includes a solvent, and a polysiloxane resin represented by Chemical Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f.   [Chemical Formula 1]

摘要翻译： 光致抗蚀剂底层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂：{（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）x（SiO 2）y（XSiO 1.5）z}（OH）e（OR 1）f 。 [化学式1]

公开(公告)号：US20100167203A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US20100167212A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654742

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chang Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim ,  In-Sun Jung

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chang Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim ,  In-Sun Jung

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08L61/00 ,  C08L83/00 ,  C08K5/3432 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the resist underlayer composition including a solvent and an organosilane-based polymer, the organosilane-based polymer being a polymerization product of at least one first compound represented Chemical Formulae 1 to 3 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 4 and 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述抗蚀剂底层组合物包含溶剂和有机硅烷系聚合物，所述有机硅烷类聚合物为至少一种化学式1〜3的第一化合物的聚合产物 和由化学式4和5表示的至少一种第二化合物。

公开(公告)号：US09291899B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08K5/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US08962747B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13539971

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Woo-Jin Lee ,  Kwen-Woo Han ,  Han-Song Lee ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Woo-Jin Lee ,  Kwen-Woo Han ,  Han-Song Lee ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： C08L83/00 ,  H01L21/033 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

摘要： A resist underlayer composition includes a solvent, and an organosilane condensation polymerization product of: a compound represented by the following Chemical Formula 1, a compound represented by the following Chemical Formula 2, and a compound represented by the following Chemical Formula 3, [R1O]3Si—X  [Chemical Formula 1] [R2O]3Si—R3  [Chemical Formula 2] [R4O]3Si—Si[OR5]3.  [Chemical Formula 3]

摘要翻译： 抗蚀剂底层组合物包括溶剂和由以下化学式1表示的化合物，由以下化学式2表示的化合物和由以下化学式3表示的化合物的有机硅烷缩聚产物[R1O] 3Si-X [化学式1] [R2O] 3Si-R3 [化学式2] [R4O] 3Si-Si [OR5] 3。 [化学式3]

公开(公告)号：US08058711B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469 ,  H01L21/20 ,  G11B5/706

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane.

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下相应的化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15〜 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量。

公开(公告)号：US20110129981A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下各化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15至 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量

公开(公告)号：US08420289B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12588023

申请日：2009-10-01

申请人： Min Soo Kim ,  Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Kyong Ho Yoon ,  Kyung Hee Hyung ,  Jin Kuk Lee ,  Jong-Seob Kim ,  Hwan Sung Cheon ,  Irina Nam ,  Nataliya Tokareva

发明人： Min Soo Kim ,  Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Kyong Ho Yoon ,  Kyung Hee Hyung ,  Jin Kuk Lee ,  Jong-Seob Kim ,  Hwan Sung Cheon ,  Irina Nam ,  Nataliya Tokareva

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/091

摘要： An aromatic ring-containing polymer, a polymer mixture, an antireflective hardmask composition, and a method for patterning a material on a substrate, the aromatic ring-containing polymer including at least one aromatic ring-containing polymer represented by Formulae 1, 2, or 3.

摘要翻译： 含芳环的聚合物，聚合物混合物，抗反射硬掩模组​​合物和用于在基材上图案化材料的方法，所述含芳族环的聚合物包括至少一种由式1,2所示的含芳族环的聚合物或 3。