公开(公告)号：US09140986B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13539760

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： C08G77/08 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  C08L83/04 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/06

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A resist underlayer composition includes a solvent and an organosilane condensation polymerization product, the organosilane condensation polymerization product including about 40 to about 80 mol % of a structural unit represented by the following Chemical Formula 1,

摘要翻译： 抗蚀剂底层组合物包括溶剂和有机硅烷缩聚产物，所述有机硅烷缩聚产物包含约40至约80mol％的由以下化学式1表示的结构单元，

公开(公告)号：US09291899B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08K5/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US08758981B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13540111

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Chang-Soo Woo ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Chang-Soo Woo ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

摘要： A photoresist underlayer composition includes a solvent, and a polysiloxane resin represented by Chemical Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f.   [Chemical Formula 1]

摘要翻译： 光致抗蚀剂底层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂：{（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）x（SiO 2）y（XSiO 1.5）z}（OH）e（OR 1）f 。 [化学式1]

公开(公告)号：US20100167203A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US08058711B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469 ,  H01L21/20 ,  G11B5/706

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane.

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下相应的化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15〜 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量。

公开(公告)号：US20110129981A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下各化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15至 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量

公开(公告)号：US08766411B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13548519

申请日：2012-07-13

申请人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

摘要： A filler for filling a gap includes a compound represented by the following Chemical Formula 1. SiaNbOcHd.  [Chemical Formula 1] In Chemical Formula 1, a, b, c, and d represent relative amounts of Si, N, 0, and H, respectively, in the compound, 1.96

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括由以下化学式1表示的化合物。SiaNbOcHd。 [化学式1]在化学式1中，a，b，c和d分别表示化合物中的Si，N，O和H的相对量，1.96

公开(公告)号：US20120177829A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13339728

申请日：2011-12-29

申请人： Sang-Hak LIM ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-II Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Sang-Hak LIM ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-II Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： C08L83/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/00

CPC分类号： C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： A composition for forming silica-based insulation layer includes a hydrogenated polysiloxazane including a moiety represented by the following Chemical Formula 1 and a moiety represented by the following Chemical Formula 2, and having a chlorine concentration of about 1 ppm or less:

摘要翻译： 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包括氢化聚硅氧氮烷，其包含由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分，并且具有约1ppm或更低的氯浓度：

公开(公告)号：US09096726B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13339728

申请日：2011-12-29

申请人： Sang-Hak Lim ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Sang-Hak Lim ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： B05D3/02 ,  C08G77/54 ,  H01L21/02 ,  H01L49/02

CPC分类号： C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： A composition for forming silica-based insulation layer includes a hydrogenated polysiloxazane including a moiety represented by the following Chemical Formula 1 and a moiety represented by the following Chemical Formula 2, and having a chlorine concentration of about 1 ppm or less:

摘要翻译： 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包括氢化聚硅氧氮烷，其包含由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分，并且具有约1ppm或更低的氯浓度：

公开(公告)号：US09082612B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13330856

申请日：2011-12-20

申请人： Hui-Chan Yun ,  Taek-Soo Kwak ,  Bong-Hwan Kim ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Hak Lim ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Hui-Chan Yun ,  Taek-Soo Kwak ,  Bong-Hwan Kim ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Hak Lim ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： H01L21/02 ,  C09D183/02 ,  C08L83/16 ,  B32B9/00 ,  C09D183/00 ,  B05D5/12 ,  B05D5/00 ,  C09D183/08

CPC分类号： H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

摘要： A composition for forming a silica layer, a method of manufacturing the composition, a silica layer prepared using the composition, and a method of manufacturing the silica layer, the composition including hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, or a combination thereof, wherein a concentration of a sum of hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane having a weight average molecular weight, reduced to polystyrene, of greater than or equal to about 50,000 is about 0.1 wt % or less, based on a total amount of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane.

摘要翻译： 用于形成二氧化硅层的组合物，该组合物的制造方法，使用该组合物制备的二氧化硅层，以及二氧化硅层的制造方法，包含氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧氮烷或其组合的组合物，其中， 基于氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总量，氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总重量平均分子量（减少为聚苯乙烯）大于或等于约50,000的总量为约0.1重量％以下。