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    Method to etch non-volatile metal materials
    1.
    发明授权
    Method to etch non-volatile metal materials 有权
    蚀刻非挥发性金属材料的方法

    公开(公告)号：US09130158B1

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US14325911

    申请日：2014-07-08

    申请人： Lam Research Corporation

    发明人： Meihua Shen ,  Harmeet Singh ,  Samantha S. H. Tan ,  Jeffrey Marks ,  Thorsten Lill ,  Richard P. Janek ,  Wenbing Yang ,  Prithu Sharma

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  C23F1/08 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/1675

    摘要： A method for etching a stack with at least one metal layer in one or more cycles is provided. An initiation step is preformed, transforming part of the at least one metal layer into metal oxide, metal halide, or lattice damaged metallic sites. A reactive step is performed providing one or more cycles, where each cycle comprises providing an organic solvent vapor to form a solvated metal, metal halide, or metal oxide state and providing an organic ligand solvent to form volatile organometallic compounds. A desorption of the volatile organometallic compounds is performed.

    摘要翻译： 提供一种用于在一个或多个循环中用至少一个金属层蚀刻堆叠的方法。 进行引发步骤，将至少一个金属层的一部分转化为金属氧化物，金属卤化物或晶格损坏的金属部位。 执行反应性步骤提供一个或多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化金属，金属卤化物或金属氧化物状态，并提供有机配体溶剂以形成挥发性有机金属化合物。 进行挥发性有机金属化合物的解吸。

    Method to etch copper barrier film
    2.
    发明授权
    Method to etch copper barrier film 有权
    蚀刻铜阻挡膜的方法

    公开(公告)号：US09570320B2

    公开(公告)日：2017-02-14

    申请号：US14579822

    申请日：2014-12-22

    申请人： Lam Research Corporation

    发明人： Meihua Shen ,  Ji Zhu ,  Shuogang Huang ,  Baosuo Zhou ,  John Hoang ,  Prithu Sharma ,  Thorsten Lill

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76885

    摘要： A method of opening a barrier film below copper structures in a stack is provided. A pulsed gas is provided into a plasma processing chamber, wherein the providing the pulsed gas comprises providing a pulsed H2 containing gas and providing a pulsed halogen containing gas, wherein the pulsed H2 containing gas and the pulsed halogen containing gas are pulsed out of phase, and wherein the pulsed H2 containing gas has an H2 high flow period and the pulsed halogen containing gas has a halogen containing gas high flow period, wherein the H2 high flow period is greater than the halogen containing gas high flow period. The pulsed gas is formed into a plasma. The copper structures and the barrier film are exposed to the plasma, which etches the barrier film. In another embodiment, a wet and dry cyclical process may be used.

    摘要翻译： 提供了一种在堆叠中打开铜结构下方的阻挡膜的方法。 将脉冲气体提供到等离子体处理室中，其中提供脉冲气体包括提供脉冲的含H2气体并提供含脉冲的含卤素气体，其中脉冲的含H2气体和含有脉冲的含卤素气体是相位脉冲的， 并且其中脉冲的含H 2气体具有H 2高流动周期，并且所述脉冲含卤素气体具有含卤素气体高流动周期，其中所述H 2高流动周期大于含卤素气体高流量周期。 脉冲气体形成等离子体。 铜结构和阻挡膜暴露于等离子体，其蚀刻阻挡膜。 在另一个实施方案中，可以使用湿和干循环过程。