公开(公告)号：US20130094278A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13552355

申请日：2012-07-18

申请人： Kun Hou ,  Yung-Tin Chen ,  Zhida Lan ,  Huiwen Xu

发明人： Kun Hou ,  Yung-Tin Chen ,  Zhida Lan ,  Huiwen Xu

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory cell includes a first electrode, a steering element, a metal oxide storage element located in series with the steering element, a dielectric resistor located in series with the steering element and the metal oxide storage element, and a second electrode.

摘要翻译： 非易失性存储单元包括与转向元件串联设置的第一电极，操舵元件，金属氧化物存储元件，与转向元件和金属氧化物存储元件串联的介质电阻器和第二电极。

公开(公告)号：US08879299B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13552355

申请日：2012-07-18

申请人： Kun Hou ,  Yung-Tin Chen ,  Zhida Lan ,  Huiwen Xu

发明人： Kun Hou ,  Yung-Tin Chen ,  Zhida Lan ,  Huiwen Xu

IPC分类号： G11C11/36 ,  H01L27/24 ,  G11C17/16 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory cell includes a first electrode, a steering element, a metal oxide storage element located in series with the steering element, a dielectric resistor located in series with the steering element and the metal oxide storage element, and a second electrode.

摘要翻译： 非易失性存储单元包括与转向元件串联设置的第一电极，操舵元件，金属氧化物存储元件，与转向元件和金属氧化物存储元件串联的介质电阻器和第二电极。

公开(公告)号：US20120135603A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13366916

申请日：2012-02-06

申请人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

发明人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： The embodiments generally relate to methods of making semiconductor devices, and more particularly, to methods for making semiconductor pillar structures and increasing array feature pattern density using selective or directional gap fill. The technique has application to a variety of materials and can be applied to making monolithic two or three-dimensional memory arrays.

摘要翻译： 实施例通常涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造半导体柱结构的方法以及使用选择性或方向性间隙填充来增加阵列特征图案密度。 该技术可应用于各种材料，可应用于制作单片二维或三维存储阵列。

公开(公告)号：US08114765B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12754602

申请日：2010-04-05

申请人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

发明人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： The embodiments generally relate to methods of making semiconductor devices, and more particularly, to methods for making semiconductor pillar structures and increasing array feature pattern density using selective or directional gap fill. The technique has application to a variety of materials and can be applied to making monolithic two or three-dimensional memory arrays.

摘要翻译： 实施例通常涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造半导体柱结构的方法以及使用选择性或方向性间隙填充来增加阵列特征图案密度。 该技术可应用于各种材料，可应用于制作单片二维或三维存储阵列。

公开(公告)号：US20100193916A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12754602

申请日：2010-04-05

申请人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

发明人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： The embodiments generally relate to methods of making semiconductor devices, and more particularly, to methods for making semiconductor pillar structures and increasing array feature pattern density using selective or directional gap fill. The technique has application to a variety of materials and can be applied to making monolithic two or three-dimensional memory arrays.

摘要翻译： 实施例通常涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造半导体柱结构的方法以及使用选择性或方向性间隙填充来增加阵列特征图案密度。 该技术可应用于各种材料，可应用于制作单片二维或三维存储阵列。

公开(公告)号：US08372740B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US13366916

申请日：2012-02-06

申请人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

发明人： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： The embodiments generally relate to methods of making semiconductor devices, and more particularly, to methods for making semiconductor pillar structures and increasing array feature pattern density using selective or directional gap fill. The technique has application to a variety of materials and can be applied to making monolithic two or three-dimensional memory arrays.

摘要翻译： 实施例通常涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造半导体柱结构的方法以及使用选择性或方向性间隙填充来增加阵列特征图案密度。 该技术可应用于各种材料，可应用于制作单片二维或三维存储阵列。

公开(公告)号：US08557685B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12536463

申请日：2009-08-05

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention form a memory cell by (a) depositing a layer of the carbon material above a substrate; (b) doping the deposited carbon layer with a dopant; (c) depositing a layer of the carbon material over the doped carbon layer; and (d) iteratively repeating steps (b) and (c) to form a stack of doped carbon layers having a desired thickness. Other aspects are also provided.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括碳基可逆电阻率切换材料。 在特定实施例中，根据本发明的方法通过以下步骤形成存储器单元：（a）在基底上沉积碳材料层; （b）用掺杂剂掺杂沉积的碳层; （c）在所述掺杂碳层上沉积所述碳材料层; 和（d）重复地重复步骤（b）和（c）以形成具有期望厚度的掺杂碳层的堆叠。 还提供其他方面。

公开(公告)号：US08445075B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12975833

申请日：2010-12-22

申请人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Huiwen Xu ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： B05D3/10

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： Methods of processing films on substrates are provided. In one aspect, the methods comprise treating a patterned low dielectric constant film after a photoresist is removed from the film by depositing a thin layer comprising silicon, carbon, and optionally oxygen and/or nitrogen on the film. The thin layer provides a carbon-rich, hydrophobic surface for the patterned low dielectric constant film. The thin layer also protects the low dielectric constant film from subsequent wet cleaning processes and penetration by precursors for layers that are subsequently deposited on the low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供了在基板上处理膜的方法。 在一个方面，所述方法包括在通过在膜上沉积包含硅，碳和任选的氧和/或氮的薄层来从膜去除光致抗蚀剂之后处理图案化的低介电常数膜。 薄层为图案化的低介电常数膜提供了富含碳的疏水性表面。 薄层还保护低介电常数膜免于随后的湿法清洗工艺和前体渗透，随后沉积在低介电常数膜上。

公开(公告)号：US20110278529A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12780564

申请日：2010-05-14

申请人： Huiwen Xu

发明人： Huiwen Xu

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： In a first aspect, a method of forming a memory cell having a diamond like carbon (DLC) resistivity-switching material is provided that includes (1) forming a metal-insulator-metal (MIM) stack that includes (a) a first conductive layer; (b) a DLC switching layer above the first conductive layer; and (c) a second conductive layer above the DLC switching layer; (2) forming a compressive dielectric liner along a sidewall of the MIM stack; and (3) forming a steering element coupled to the MIM stack. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了形成具有类金刚石（DLC）电阻率切换材料的存储单元的方法，其包括（1）形成金属绝缘体金属（MIM）堆叠，所述金属绝缘体金属（MIM）堆叠包括（a）第一导电 层; （b）在第一导电层之上的DLC切换层; 和（c）DLC开关层上方的第二导电层; （2）沿着MIM堆叠的侧壁形成压缩电介质衬垫; 和（3）形成耦合到所述MIM堆叠的操纵元件。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20110204474A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12711810

申请日：2010-02-24

申请人： Franz Kreupl ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

发明人： Franz Kreupl ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/149 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： In a first aspect, a method of forming a memory cell is provided that includes (1) forming a metal-insulator-metal (MIM) stack, the MIM stack including (a) a first conductive carbon layer; (b) a low-hydrogen, silicon-containing carbon layer above the first conductive carbon layer; and (c) a second conductive carbon layer above the low-hydrogen, silicon-containing carbon layer; and (2) forming a steering element coupled to the MIM stack. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供一种形成存储单元的方法，其包括：（1）形成金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠，所述MIM堆叠包括（a）第一导电碳层; （b）在第一导电碳层之上的低氢含硅碳层; 和（c）低于含氢的碳层之上的第二导电碳层; 和（2）形成耦合到所述MIM堆叠的操纵元件。 提供了许多其他方面。