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    Resistive memory device capable of compensating for variations of bit line resistances
    1.
    发明授权
    Resistive memory device capable of compensating for variations of bit line resistances 有权
    能够补偿位线电阻变化的电阻式存储器件

    公开(公告)号：US08102729B2

    公开(公告)日：2012-01-24

    申请号：US12659689

    申请日：2010-03-17

    申请人： Jung Hyuk Lee ,  Daewon Ha ,  Kwang-Woo Lee

    发明人： Jung Hyuk Lee ,  Daewon Ha ,  Kwang-Woo Lee

    IPC分类号： G11C8/08

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/72

    摘要： A variable resistance memory device may include first and second memory cells connected to different lengths of bit lines, respectively, and a select circuit, configured to select the first and second memory cells, which is connected to the first and second memory cells through word lines. The select circuit is configured to compensate for a difference of resistances in the different of the lengths of the bit lines.

    摘要翻译： 可变电阻存储器件可以包括分别连接到不同长度的位线的第一和第二存储器单元，以及选择电路，其被配置为选择通过字线连接到第一和第二存储器单元的第一和第二存储器单元 。 选择电路被配置为补偿位线的不同长度中的电阻差。

    Resistive memory device and sensing margin trimming method thereof
    4.
    发明授权
    Resistive memory device and sensing margin trimming method thereof 有权
    电阻式存储器件及其检测边缘微调方法

    公开(公告)号：US08902628B2

    公开(公告)日：2014-12-02

    申请号：US13485163

    申请日：2012-05-31

    申请人： Daewon Ha ,  Jung Hyuk Lee

    发明人： Daewon Ha ,  Jung Hyuk Lee

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/10 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/75

    摘要： A resistive memory device and a sensing margin trimming method are provided. The resistive memory device includes a memory cell array and a trimming circuit. The memory cell array has a plurality of resistive memory cells. The trimming circuit generates a trimming signal according to a characteristic distribution shift value of the resistive memory cells. With the inventive concept, although a characteristic distribution of memory cells is varied, an erroneous read operation is minimized or reduced by securing a sensing margin stably. Accordingly, a fabrication yield of the resistive memory device is bettered.

    摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件和感测余量修整方法。 电阻式存储器件包括存储单元阵列和微调电路。 存储单元阵列具有多个电阻存储单元。 微调电路根据电阻性存储单元的特征分布偏移值产生微调信号。 利用本发明的概念，尽管存储单元的特性分布是变化的，但是通过稳定地确保感测余量来最小化或减少错误的读取操作。 因此，提高了电阻式存储器件的制造成品率。

    Variable resistive memory device compensating bit line resistance
    7.
    发明申请
    Variable resistive memory device compensating bit line resistance 有权
    可变电阻存储器件补偿位线电阻

    公开(公告)号：US20100271867A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12659689

    申请日：2010-03-17

    申请人： Jung Hyuk Lee ,  Daewon Ha ,  Kwang-Woo Lee

    发明人： Jung Hyuk Lee ,  Daewon Ha ,  Kwang-Woo Lee

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/72

    摘要： Provided is a variable resistance memory device. The variable resistance memory device may include first and second memory cells connected to different lengths of bit lines, respectively, and a select circuit, configured to select the first and second memory cells, which is connected to the first and second memory cells through word lines. The select circuit is configured to compensate for a difference of resistances in the different of the lengths of the bit lines.

    摘要翻译： 提供了可变电阻存储器件。 可变电阻存储器件可以包括分别连接到不同长度的位线的第一和第二存储器单元，以及选择电路，其被配置为选择通过字线连接到第一和第二存储器单元的第一和第二存储器单元 。 选择电路被配置为补偿位线的不同长度中的电阻差。