公开(公告)号：US08963264B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13539063

申请日：2012-06-29

申请人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wonjoon Jung

发明人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wonjoon Jung

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00

CPC分类号： H01L43/08

摘要： Various embodiments may configure a magnetic stack with a magnetically free layer, a reference structure, and a biasing layer. The magnetically free layer and reference structure can each be respectively configured with first and second magnetizations aligned along a first plane while the biasing layer has a third magnetization aligned along a second plane, substantially perpendicular to the first plane.

摘要翻译： 各种实施例可以配置具有无磁性层，参考结构和偏置层的磁性堆叠。 磁性层和参考结构各自可以分别配置有沿着第一平面排列的第一和第二磁化，而偏置层具有沿着基本上垂直于第一平面的第二平面排列的第三磁化。

公开(公告)号：US08553369B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12956752

申请日：2010-11-30

申请人： Dion Song ,  Mark William Covington ,  Qing He ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wei Tian ,  Wonjoon Jung ,  Sunita Bhardwaj Gangopadhyay

发明人： Dion Song ,  Mark William Covington ,  Qing He ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wei Tian ,  Wonjoon Jung ,  Sunita Bhardwaj Gangopadhyay

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3912 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic element capable of detecting changes in magnetic states, such as for use as a read sensor in a data transducing head or as a solid-state non-volatile memory element. In accordance with various embodiments, the magnetic element includes a magnetically responsive stack or lamination with a first areal extent. The stack includes a spacer layer positioned between first and second ferromagnetic free layers. At least one antiferromagnetic (AFM) tab is connected to the first free layer on a surface thereof opposite the spacer layer, the AFM tab having a second areal extent that is less than the first areal extent.

摘要翻译： 能够检测磁状态变化的磁性元件，例如用作数据转换头中的读取传感器或作为固态非易失性存储元件。 根据各种实施例，磁性元件包括具有第一面积范围的磁响应叠层或叠层。 堆叠包括位于第一和第二铁磁自由层之间的间隔层。 至少一个反铁磁（AFM）接头连接到与隔离层相对的表面上的第一自由层，AFM接头具有小于第一面积范围的第二面积范围。

公开(公告)号：US08395867B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12405051

申请日：2009-03-16

申请人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Sharat Batra ,  Olle Gunnar Heinonen

发明人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Sharat Batra ,  Olle Gunnar Heinonen

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic sensor has at least a free sub-stack, a reference sub-stack and a front shield. The free sub-stack has a magnetization direction substantially perpendicular to the planar orientation of the layer and extends to an air bearing surface. The reference sub-stack has a magnetization direction substantially perpendicular to the magnetization direction of the free sub-stack. The reference sub-stack is recessed from the air bearing surface and a front shield is positioned between the reference sub-stack and the air bearing surface.

摘要翻译： 磁传感器至少具有一个自由子堆，参考子堆和前屏蔽。 自由子堆具有基本上垂直于层的平面取向的磁化方向并且延伸到空气轴承表面。 参考子堆叠具有基本上垂直于自由子堆叠的磁化方向的磁化方向。 参考子堆叠从空气轴承表面凹陷，并且前屏蔽件位于参考子堆和空气轴承表面之间。

公开(公告)号：US20120104522A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US12916738

申请日：2010-11-01

申请人： Wonjoon Jung ,  Yuankai Zheng ,  Zheng Gao

发明人： Wonjoon Jung ,  Yuankai Zheng ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/3254 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic tunnel junction cell that includes a ferromagnetic free layer; an enhancement layer having a thickness of at least about 15 Å; an oxide barrier layer; and a ferromagnetic reference layer, wherein the enhancement layer and the oxide barrier layer are positioned between the ferromagnetic reference layer and ferromagnetic free layer and the oxide barrier layer is positioned adjacent the ferromagnetic reference layer, and wherein the ferromagnetic free layer, the ferromagnetic reference layer, and the enhancement layer all have magnetization orientations that are out-of-plane

摘要翻译： 包括铁磁自由层的磁性隧道结电池; 增强层，其厚度至少约为15埃; 氧化物阻挡层; 和铁磁参考层，其中增强层和氧化物阻挡层位于铁磁参考层和铁磁性自由层之间，氧化物阻挡层位于铁磁参考层附近，其中铁磁性自由层铁磁参考层 ，增强层都具有非平面的磁化方向

公开(公告)号：US20110260274A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13176029

申请日：2011-07-05

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。

公开(公告)号：US08519498B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13613002

申请日：2012-09-13

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。

公开(公告)号：US20130071692A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13239010

申请日：2011-09-21

申请人： Mark William Covington ,  Mark Thomas Kief ,  Wonjoon Jung

发明人： Mark William Covington ,  Mark Thomas Kief ,  Wonjoon Jung

IPC分类号： G11B5/33 ,  B05D3/02 ,  B05D5/00

CPC分类号： G11B5/3932 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193

摘要： Various embodiments may be generally directed to a magnetic sensor constructed with a decoupling layer that has a predetermined first morphology. A magnetic free layer can be deposited contactingly adjacent to the decoupling layer with the magnetic free layer configured to have at least a first sub-layer having a predetermined second morphology.

摘要翻译： 各种实施例可以通常涉及由具有预定的第一形态的解耦层构造的磁传感器。 磁性层可以与去耦层接触沉积，其中无磁性层被配置为具有至少具有预定第二形态的第一子层。

公开(公告)号：US20130071691A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13238981

申请日：2011-09-21

申请人： Mark William Covington ,  Qing He ,  Wonjoon Jung ,  Vladyslav Alexandrovich Vas'ko

发明人： Mark William Covington ,  Qing He ,  Wonjoon Jung ,  Vladyslav Alexandrovich Vas'ko

IPC分类号： G11B5/33 ,  B32B37/02 ,  B32B37/14 ,  G11B5/39

CPC分类号： B32B37/02 ,  B32B37/14 ,  B32B2457/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1193

摘要： Various embodiments of the present invention are generally directed to a magnetically responsive lamination that may be constructed with a spacer layer disposed between a first and second ferromagnetic free layer. At least one ferromagnetic free layer can have a coupling sub-layer that enhances magnetoresistance ratio (MR) of the magnetically responsive lamination.

摘要翻译： 本发明的各种实施方案通常涉及磁响应层压体，其可以由设置在第一和第二铁磁性自由层之间的间隔层构成。 至少一个铁磁自由层可以具有增强磁响应层压体的磁阻比（MR）的耦合子层。

公开(公告)号：US20130050876A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13222113

申请日：2011-08-31

申请人： Mark William Covington ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wonjoon Jung ,  Dion Song

发明人： Mark William Covington ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wonjoon Jung ,  Dion Song

IPC分类号： G11B21/21

CPC分类号： G11B5/6005 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/398 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10

摘要： Disclosed herein are magnetic sensors that include: a sensor stack having a front and an opposing back, wherein the front of the sensor stack defines an air bearing surface of the magnetic sensor, and the sensor stack includes: a free layer assembly having a second magnetization direction, that is substantially perpendicular to a plane of each layer of the sensor stack; and a stabilizing structure positioned away from the air bearing surface at the back of the sensor stack.

摘要翻译： 这里公开的是磁传感器，其包括：传感器堆叠，其具有前部和相对的后部，其中传感器堆的前部限定了磁性传感器的空气轴承表面，并且传感器堆包括：具有第二磁化的自由层组件 方向，其基本上垂直于传感器堆叠的每个层的平面; 以及在传感器堆叠的背面远离空气支承表面定位的稳定结构。

公开(公告)号：US20120134057A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US12956752

申请日：2010-11-30

申请人： Dion Song ,  Mark William Covington ,  Qing He ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wei Tian ,  Wonjoon Jung ,  Sunita Bhardwaj Gangopadhyay

发明人： Dion Song ,  Mark William Covington ,  Qing He ,  Dimitar Velikov Dimitrov ,  Wei Tian ,  Wonjoon Jung ,  Sunita Bhardwaj Gangopadhyay

IPC分类号： G11B5/33 ,  H01L29/82 ,  G11B5/11

CPC分类号： G11B5/3912 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic element capable of detecting changes in magnetic states, such as for use as a read sensor in a data transducing head or as a solid-state non-volatile memory element. In accordance with various embodiments, the magnetic element includes a magnetically responsive stack or lamination with a first areal extent. The stack includes a spacer layer positioned between first and second ferromagnetic free layers. At least one antiferromagnetic (AFM) tab is connected to the first free layer on a surface thereof opposite the spacer layer, the AFM tab having a second areal extent that is less than the first areal extent.

摘要翻译： 能够检测磁状态变化的磁性元件，例如用作数据转换头中的读取传感器或作为固态非易失性存储元件。 根据各种实施例，磁性元件包括具有第一面积范围的磁响应叠层或叠层。 堆叠包括位于第一和第二铁磁自由层之间的间隔层。 至少一个反铁磁（AFM）接头连接到与隔离层相对的表面上的第一自由层，AFM接头具有小于第一面积范围的第二面积范围。