公开(公告)号：US20180175075A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：US15895172

申请日：2018-02-13

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  C21D9/00 ,  C22F1/08 ,  C21D1/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  C22F1/04 ,  B81C1/00 ,  H01B1/02 ,  G06F3/044 ,  G06F3/041 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L27/1244 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00523 ,  B81C1/00547 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  C21D2201/00 ,  C21D2211/00 ,  C21D2251/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/026 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78666 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12694 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12931 ,  H01L2924/00

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

公开(公告)号：US20140362307A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：US14296800

申请日：2014-06-05

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： H01B1/02 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/1244 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00523 ,  B81C1/00547 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  C21D2201/00 ,  C21D2211/00 ,  C21D2251/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/026 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78666 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12694 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12931 ,  H01L2924/00

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

摘要翻译： 在各种实施例中，诸如触摸面板显示器的电子设备包括具有导体层的互连件，并且在导体层上方设置有覆盖层，该覆盖层包括Cu和一种或多种难熔金属元素的合金，所述难熔金属元素选自Ta，Nb ，Mo，W，Zr，Hf，Re，Os，Ru，Rh，Ti，V，Cr和Ni。

公开(公告)号：US11640222B2

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：US17838476

申请日：2022-06-13

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/041 ,  H01B1/02 ,  B81C1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  C23C30/00 ,  C23C28/00 ,  C23C28/02 ,  B32B15/04 ,  B32B17/06 ,  B32B15/01 ,  B32B15/20 ,  B32B15/02 ,  B32B15/18 ,  C03C17/40 ,  C03C17/36

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

公开(公告)号：US20220308705A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：US17838476

申请日：2022-06-13

申请人： Shuwei SUN ,  Francois-Charles DARY ,  Marc ABOUAF ,  Patrick HOGAN ,  Qi ZHANG

发明人： Shuwei SUN ,  Francois-Charles DARY ,  Marc ABOUAF ,  Patrick HOGAN ,  Qi ZHANG

IPC分类号： G06F3/044 ,  H01B1/02 ,  B81C1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  H01L29/49 ,  G06F3/041 ,  C23C30/00 ,  B32B17/06 ,  B32B15/04 ,  B32B15/01 ,  B32B15/20 ,  C23C28/02 ,  C23C28/00 ,  B32B15/02 ,  B32B15/18 ,  C03C17/40 ,  C03C17/36 ,  H01L29/66 ,  H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

公开(公告)号：US10916569B2

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：US15895172

申请日：2018-02-13

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： B32B15/01 ,  H01B1/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  C21D9/00 ,  C21D1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  C22F1/04 ,  B81C1/00 ,  G06F3/044 ,  G06F3/041 ,  C23C30/00 ,  B32B17/06 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  C23C28/02 ,  C23C28/00 ,  B32B15/02 ,  B32B15/18 ,  C03C17/40 ,  C03C17/36

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

公开(公告)号：US09929187B2

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：US14296800

申请日：2014-06-05

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L27/12 ,  B81C1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  H01L29/66 ,  G06F3/041 ,  H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  G06F3/044

CPC分类号： H01L27/1244 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00523 ,  B81C1/00547 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  C21D2201/00 ,  C21D2211/00 ,  C21D2251/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/026 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78666 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12694 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12931 ,  H01L2924/00

摘要： In various embodiments, electronic devices such as touch-panel displays incorporate interconnects featuring a conductor layer and, disposed above the conductor layer, a capping layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

公开(公告)号：US08491959B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13465475

申请日：2012-05-07

申请人： Steven A. Miller ,  Olaf Schmidt-Park ,  Prabhat Kumar ,  Richard Wu ,  Shuwei Sun ,  Stefan Zimmerman

发明人： Steven A. Miller ,  Olaf Schmidt-Park ,  Prabhat Kumar ,  Richard Wu ,  Shuwei Sun ,  Stefan Zimmerman

IPC分类号： B05D1/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F1/0014 ,  C22C1/045 ,  C23C4/134 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332

摘要： In various embodiments, a sputtering target initially formed by ingot metallurgy or powder metallurgy and comprising a sputtering-target material is provided, the sputtering-target material (i) comprising a refractory metal, (ii) defining a recessed furrow therein, and (iii) having a first grain size and a first crystalline microstructure. A powder is spray-deposited within the furrow to form a layer therein, the layer (i) comprising the metal, (ii) having a second grain size finer than the first grain size, and (iii) having a second crystalline microstructure more random than the first crystalline microstructure. Spray-depositing the powder within the furrow forms a distinct boundary line between the layer and the sputtering-target material.

摘要翻译： 在各种实施方案中，提供了最初通过铸锭冶金或粉末冶金形成并且包括溅射靶材料的溅射靶，其中包含难熔金属的溅射靶材料（i），（ii）在其中限定凹陷的沟槽，和（iii ）具有第一晶粒尺寸和第一晶体微结构。 将粉末喷涂在沟槽内以在其中形成层，层（i）包含金属，（ii）具有比第一粒度更细的第二粒度，和（iii）具有更随机的第二结晶微结构 比第一个结晶微结构。 将粉末喷射沉积在沟槽内，在层和溅射靶材料之间形成明显的边界线。

公开(公告)号：US20120003486A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US12827550

申请日：2010-06-30

申请人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

发明人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

IPC分类号： B32B15/04 ,  B44C1/22 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C14/185 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5873 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15

摘要： The invention is directed at sputter targets including 50 atomic % or more molybdenum, a second metal element of niobium or vanadium, and a third metal element selected from the group consisting of titanium, chromium, niobium, vanadium, and tantalum, wherein the third metal element is different from the second metal element, and deposited films prepared by the sputter targets. In a preferred aspect of the invention, the sputter target includes a phase that is rich in molybdenum, a phase that is rich in the second metal element, and a phase that is rich in the third metal element.

摘要翻译： 本发明涉及包括50原子％或更多的钼，铌或钒的第二金属元素和选自钛，铬，铌，钒和钽的第三金属元素的溅射靶，其中第三金属 元素不同于第二金属元素，以及由溅射靶制备的沉积膜。 在本发明的优选方面，溅射靶包括富含钼的相，富含第二金属元素的相和富含第三金属元素的相。

公开(公告)号：US09299472B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US14296796

申请日：2014-06-05

申请人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

发明人： Shuwei Sun ,  Francois-Charles Dary ,  Marc Abouaf ,  Patrick Hogan ,  Qi Zhang

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01B1/02 ,  H01L29/66 ,  G06F3/041 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L27/1244 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00523 ,  B81C1/00547 ,  C21D1/00 ,  C21D9/00 ,  C21D2201/00 ,  C21D2211/00 ,  C21D2251/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/026 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78666 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12694 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12931 ,  H01L2924/00

摘要： In various embodiments, electronic devices such as thin-film transistors incorporate electrodes featuring a conductor layer and, disposed below the conductor layer, a barrier layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.

摘要翻译： 在各种实施例中，诸如薄膜晶体管的电子器件包括具有导体层的电极，并且在导体层下方设置阻挡层，该阻挡层包括Cu和一种或多种难熔金属元素的合金，所述难熔金属元素选自Ta，Nb ，Mo，W，Zr，Hf，Re，Os，Ru，Rh，Ti，V，Cr和Ni。

公开(公告)号：US08449818B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12827562

申请日：2010-06-30

申请人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

发明人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

IPC分类号： C22C27/04 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F2998/10 ,  C03C17/40 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5873 ,  C23G1/106 ,  C23G1/205 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/31678 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/18

摘要： The invention is directed at sputter targets including 50 atomic % or more molybdenum, a second metal element of titanium, and a third metal element of chromium or tantalum, and deposited films prepared by the sputter targets. In a preferred aspect of the invention, the sputter target includes a phase that is rich in molybdenum, a phase that is rich in titanium, and a phase that is rich in the third metal element.

摘要翻译： 本发明涉及包括50原子％或更多的钼，钛的第二金属元素和铬​​或钽的第三金属元素以及由溅射靶制备的沉积膜的溅射靶。 在本发明的优选方面，溅射靶包括富含钼的相，富含钛的相和富含第三金属元素的相。