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    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING A GROUP III-V FILM USING A HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY PROCESS
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING A GROUP III-V FILM USING A HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY PROCESS 审中-公开
    使用氢化物​​蒸气相外延过程沉积III-V族薄膜的方法和装置

    公开(公告)号：US20080289575A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：US11753376

    申请日：2007-05-24

    申请人： Brian H. Burrows ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan

    发明人： Brian H. Burrows ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan

    IPC分类号： C23C16/08

    CPC分类号： C30B29/403 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

    摘要： An improved method and apparatus for depositing a Group III-V for a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process are provided. In one embodiment, an apparatus for a hydride vapor phase epitaxy process may include an elongated body having a trough defined between a first and a second wall, a channel formed in the first wall configured to provide a gas to the trough, and an inlet port formed in the body coupled to the channel. In another embodiment, a method for a hydride vapor phase epitaxy process may include providing Group III metal liquid precursor in a container disposed in a chamber, flowing a halogen containing gas across the container to form a Group III metal halide vapor to a reacting zone in the chamber, and mixing the Group III metal halide vapor with a Group V gas supplied in the chamber in the reacting zone.

    摘要翻译： 提供了用于沉积氢化物气相外延（HVPE）工艺的III-V族的改进方法和装置。 在一个实施例中，用于氢化物气相外延工艺的装置可以包括细长体，其具有限定在第一和第二壁之间的槽，在第一壁中形成的通道，其被配置成向槽提供气体，以及入口 形成在与身体相连的通道上。 在另一个实施方案中，氢化物气相外延法的方法可以包括在设置在室中的容器中提供III族金属液体前体，使含卤素气体流过容器以形成第III族金属卤化物蒸汽至反应区 并且将III族金属卤化物蒸气与在反应区中的室中供应的V族气体混合。

    Epitaxial chamber with cross flow
    5.
    发明授权
    Epitaxial chamber with cross flow 有权
    具有交叉流动的外延室

    公开(公告)号：US09127360B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US12887647

    申请日：2010-09-22

    申请人： Balasubramanian Ramachandran ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Nyi O. Myo ,  Kevin Joseph Bautista ,  Harpreet Singh Juneja ,  Zuoming Zhu

    发明人： Balasubramanian Ramachandran ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Nyi O. Myo ,  Kevin Joseph Bautista ,  Harpreet Singh Juneja ,  Zuoming Zhu

    IPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

    CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

    摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a substrate support disposed therein to support a processing surface of a substrate at a desired position within the process chamber; a first inlet port to provide a first process gas over the processing surface of the substrate in a first direction; a second inlet port to provide a second process gas over the processing surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein an azimuthal angle measured between the first direction and the second direction with respect to a central axis of the substrate support is up to about 145 degrees; and an exhaust port disposed opposite the first inlet port to exhaust the first and second process gases from the process chamber.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，用于处理衬底的设备包括处理室，其具有设置在其中的衬底支撑件，以在处理室内的期望位置处支撑衬底的处理表面; 第一入口端口，用于在第一方向上在衬底的处理表面上提供第一工艺气体; 第二入口端口，用于在不同于第一方向的第二方向上在衬底的处理表面上提供第二工艺气体，其中在第一方向和第二方向之间相对于衬底支撑件的中心轴线测量的方位角 高达约145度; 以及与第一入口相对设置的排气口，以从处理室排出第一和第二处理气体。

    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION PROCESSES
    8.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION PROCESSES 有权
    沉积过程的方法和装置

    公开(公告)号：US20110209660A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US13028842

    申请日：2011-02-16

    申请人： NYI O. MYO ,  KEVIN BAUTISTA ,  ZHIYUAN YE ,  SCHUBERT S. CHU ,  YIHWAN KIM

    发明人： NYI O. MYO ,  KEVIN BAUTISTA ,  ZHIYUAN YE ,  SCHUBERT S. CHU ,  YIHWAN KIM

    IPC分类号： C30B25/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

    CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

    摘要： Methods and apparatus for deposition processes are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a substrate support comprising a susceptor plate having a pocket disposed in an upper surface of the susceptor plate and having a lip formed in the upper surface and circumscribing the pocket, the lip configured to support a substrate on the lip; and a plurality of vents extending from the pocket to the upper surface of the susceptor plate to exhaust gases trapped between the backside of the substrate and the pocket when a substrate is disposed on the lip. Methods of utilizing the inventive apparatus for depositing a layer on a substrate are also disclosed.

    摘要翻译： 本文提供了沉积工艺的方法和设备。 在一些实施例中，设备可以包括基底支撑件，其包括基座板，所述基座板具有设置在所述基座板的上表面中的口袋，并且具有形成在所述上表面中并围绕所述口袋的唇缘，所述​​唇缘构造成将基底 唇; 以及多个通气孔，当基底设置在唇缘上时，从口袋延伸到基座板的上表面以排出被捕获在基底的背面和口袋之间的气体。 还公开了利用本发明的用于在衬底上沉积层的方法。

    EPITAXIAL CHAMBER WITH CROSS FLOW
    9.
    发明申请
    EPITAXIAL CHAMBER WITH CROSS FLOW 有权
    具有交叉流动的外墙室

    公开(公告)号：US20110174212A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US12887647

    申请日：2010-09-22

    申请人： BALASUBRAMANIAN RAMACHANDRAN ,  ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  NYI O. MYO ,  KEVIN JOSEPH BAUTISTA ,  HARPREET SINGH JUNEJA ,  ZUOMING ZHU

    发明人： BALASUBRAMANIAN RAMACHANDRAN ,  ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  NYI O. MYO ,  KEVIN JOSEPH BAUTISTA ,  HARPREET SINGH JUNEJA ,  ZUOMING ZHU

    IPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16

    CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

    摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a substrate support disposed therein to support a processing surface of a substrate at a desired position within the process chamber; a first inlet port to provide a first process gas over the processing surface of the substrate in a first direction; a second inlet port to provide a second process gas over the processing surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein an azimuthal angle measured between the first direction and the second direction with respect to a central axis of the substrate support is up to about 145 degrees; and an exhaust port disposed opposite the first inlet port to exhaust the first and second process gases from the process chamber.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，用于处理衬底的设备包括处理室，其具有设置在其中的衬底支撑件，以在处理室内的期望位置处支撑衬底的处理表面; 第一入口端口，用于在第一方向上在衬底的处理表面上提供第一工艺气体; 第二入口端口，用于在不同于第一方向的第二方向上在衬底的处理表面上提供第二工艺气体，其中在第一方向和第二方向之间相对于衬底支撑件的中心轴线测量的方位角 高达约145度; 以及与第一入口相对设置的排气口，以从处理室排出第一和第二处理气体。

    NON-CONTACT SUBSTRATE PROCESSING
    10.
    发明申请
    NON-CONTACT SUBSTRATE PROCESSING 审中-公开
    非接触式基板加工

    公开(公告)号：US20130224962A1

    公开(公告)日：2013-08-29

    申请号：US13786189

    申请日：2013-03-05

    申请人： Blake KOELMEL ,  Nyi O. MYO

    发明人： Blake KOELMEL ,  Nyi O. MYO

    IPC分类号： H01L21/687

    CPC分类号： H01L21/68742 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785

    摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and methods for supporting, positioning or rotating a semiconductor substrate during processing. One embodiment of the present invention provides a method for processing a substrate comprising positioning the substrate on a substrate receiving surface of a susceptor, and rotating the susceptor and the substrate by delivering flow of fluid from one or more rotating ports.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于在加工期间支撑，定位或旋转半导体衬底的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种用于处理衬底的方法，包括将衬底定位在基座的衬底接收表面上，并且通过从一个或多个旋转端口传送流体流来旋转基座和衬底。