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    NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
    2.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20140080298A1

    公开(公告)日：2014-03-20

    申请号：US14080877

    申请日：2013-11-15

    申请人： Jung-Geun JEE ,  Seok-Hoon KIM ,  Su-Jin SHIN ,  Woo-Sung LEE ,  Tae-Ouk KWON

    发明人： Jung-Geun JEE ,  Seok-Hoon KIM ,  Su-Jin SHIN ,  Woo-Sung LEE ,  Tae-Ouk KWON

    IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L27/11558 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： A non-volatile memory device includes a field region that defines an active region in a semiconductor substrate, a floating gate pattern on the active region, a dielectric layer on the floating gate pattern and a control gate on the dielectric layer. The control gate includes a first conductive pattern that has a first composition that crystallizes in a first temperature range, and a second conductive pattern that has a second composition that is different from the first composition and that crystallizes in a second temperature range that is lower than the first temperature range, the first conductive pattern being between the dielectric layer and the second conductive pattern.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括限定半导体衬底中的有源区域的场区域，有源区域上的浮置栅极图案，浮置栅极图案上的介电层和介电层上的控制栅极。 控制栅极包括具有在第一温度范围内结晶的第一组成的第一导电图案和具有与第一组成不同的第二组成的第二导电图案，并且在低于第一组成的第二温度范围内结晶 第一温度范围，第一导电图案在介电层和第二导电图案之间。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20130032878A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：US13560022

    申请日：2012-07-27

    申请人： Bi-O Kim ,  Byong-Ju Kim ,  Jung-Geun Jee ,  Jin-Gyun Kim ,  Jae-Young Ahn ,  Ki-Hyun Hwang

    发明人： Bi-O Kim ,  Byong-Ju Kim ,  Jung-Geun Jee ,  Jin-Gyun Kim ,  Jae-Young Ahn ,  Ki-Hyun Hwang

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/02

    CPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/105

    摘要： According to example embodiments, a semiconductor device includes horizontal patterns stacked on a substrate. The horizontal patterns define an opening through the horizontal patterns. A first core pattern is in the opening. A second core pattern is in the opening on the first core pattern. A first active pattern is between the first core pattern and the horizontal patterns. A second active pattern containing a first element is between the second core pattern and the horizontal patterns. The second active pattern contains the first element at a higher concentration than a concentration of the first element in the second core pattern.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，半导体器件包括堆叠在衬底上的水平图案。 水平图案通过水平图案定义开口。 第一个核心模式是在开幕。 第一个核心模式是第一个核心模式的开放。 第一活动模式在第一芯图案和水平图案之间。 包含第一元件的第二活动图案位于第二芯图案和水平图案之间。 第二活性图案含有比第二芯图案中的第一元素的浓度高的浓度的第一元素。

    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110260234A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13172578

    申请日：2011-06-29

    申请人： Jung-Hyun PARK ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    发明人： Jung-Hyun PARK ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/66825

    摘要： A semiconductor device may include a tunnel insulating layer disposed on an active region of a substrate, field insulating patterns disposed in surface portions of the substrate to define the active region, each of the field insulating patterns having an upper recess formed at an upper surface portion thereof, a stacked structure disposed on the tunnel insulating layer, and impurity diffusion regions disposed at surface portions of the active region adjacent to the stacked structure.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括设置在衬底的有源区上的隧道绝缘层，设置在衬底的表面部分中以限定有源区的场绝缘图案，每个场绝缘图案具有形成在上表面部分的上凹部 设置在隧道绝缘层上的堆叠结构，以及设置在与堆叠结构相邻的有源区的表面部分处的杂质扩散区。

    Method of Manufacturing a Semiconductor Device Using a Radical Oxidation Process
    10.
    发明申请
    Method of Manufacturing a Semiconductor Device Using a Radical Oxidation Process 审中-公开
    使用自由基氧化法制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080014753A1

    公开(公告)日：2008-01-17

    申请号：US11743774

    申请日：2007-05-03

    申请人： Won-Jun Jang ,  Yong-Woo Hyung ,  Jae-Jong Han ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Jung-Geun Jee

    发明人： Won-Jun Jang ,  Yong-Woo Hyung ,  Jae-Jong Han ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Jung-Geun Jee

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/32 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11531

    摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a polysilicon layer doped with impurities is formed on a front side and a backside of a substrate. An insulation layer is formed on the substrate having the polysilicon layer to cover the polysilicon layer on the backside of the substrate. The insulation layer on the front side of the substrate is partially etched to partially expose the front side of the substrate. An oxidation process using oxygen radicals is then carried out to form an oxide layer on the exposed front side of the substrate Thus, when the oxidation process is carried out, the insulation layer prevents impurities in the polysilicon layer on the backside of the substrate from being outgassed. As a result electrical characteristics of the transistor formed on the front side of the substrate may not be deteriorated.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在衬底的正面和背面上形成掺有杂质的多晶硅层。 在具有多晶硅层的基板上形成绝缘层，以覆盖基板背面的多晶硅层。 部分蚀刻衬底前侧的绝缘层以部分地暴露衬底的前侧。 然后进行使用氧自由基的氧化工艺，以在衬底的暴露的正面上形成氧化层。因此，当进行氧化处理时，绝缘层防止衬底背面上的多晶硅层中的杂质被 脱气 结果，形成在基板的前侧的晶体管的电特性可能不会劣化。