公开(公告)号：US08819610B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13778912

申请日：2013-02-27

申请人： Hsiang-Jen Tseng ,  Ting-Wei Chiang ,  Wei-Yu Chen ,  Ruei-Wun Sun ,  Hung-Jung Tseng ,  Shun Li Chen ,  Li-Chun Tien

发明人： Hsiang-Jen Tseng ,  Ting-Wei Chiang ,  Wei-Yu Chen ,  Ruei-Wun Sun ,  Hung-Jung Tseng ,  Shun Li Chen ,  Li-Chun Tien

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit layout includes a P-type active region, an N-type active region, a first metal connection, a second metal connection and a plurality of trunks. The plurality of trunks is formed substantially side-by-side, and in parallel with each other. The first metal connection is substantially disposed over the P-type active region, and is electrically connected with drain regions of PMOS transistors in the P-type active region. The second metal connection is substantially disposed over the N-type active region, and is electrically connected with drain regions of NMOS transistors in the N-type active region. The plurality of trunks is electrically connected with and is substantially perpendicular to the first metal connection and the second metal connection. A first trunk of the plurality of trunks has a width wider than a width of other trunks of the plurality of trunks and is arranged to be located between two groups of trunks.

摘要翻译： 集成电路布局包括P型有源区，N型有源区，第一金属连接，第二金属连接和多个树干。 多个树干基本并排地形成并且彼此平行。 第一金属连接基本上设置在P型有源区上，并且与P型有源区中的PMOS晶体管的漏极区域电连接。 第二金属连接基本上设置在N型有源区上，并且与N型有源区中的NMOS晶体管的漏区电连接。 多个树干电连接并且基本上垂直于第一金属连接和第二金属连接。 多个树干的第一树干具有比多个树干中的其他树干的宽度宽的宽度，并且布置成位于两组树干之间。

公开(公告)号：US20110291200A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13086186

申请日：2011-04-13

申请人： Ali KESHAVARZI ,  Ta-Pen GUO ,  Helen Shu-Hui CHANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  Shyue-Shyh LIN ,  Lee-Chung LU ,  Chung-Cheng WU ,  Li-Chun TIEN ,  Jung-Chan YANG ,  Shu-Min CHEN ,  Min CAO ,  Yung-Chin HOU

发明人： Ali KESHAVARZI ,  Ta-Pen GUO ,  Helen Shu-Hui CHANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  Shyue-Shyh LIN ,  Lee-Chung LU ,  Chung-Cheng WU ,  Li-Chun TIEN ,  Jung-Chan YANG ,  Shu-Min CHEN ,  Min CAO ,  Yung-Chin HOU

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit includes a first diffusion area for a first type transistor. The first type transistor includes a first drain region and a first source region. A second diffusion area for a second type transistor is separated from the first diffusion area. The second type transistor includes a second drain region and a second source region. A gate electrode continuously extends across the first diffusion area and the second diffusion area in a routing direction. A first metallic structure is electrically coupled with the first source region. A second metallic structure is electrically coupled with the second drain region. A third metallic structure is disposed over and electrically coupled with the first and second metallic structures. A width of the first metallic structure is substantially equal to or larger than a width of the third metallic structure.

摘要翻译： 集成电路包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。 第一类型晶体管包括第一漏极区域和第一源极区域。 用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域分离。 第二类型晶体管包括第二漏极区域和第二源极区域。 栅电极在布线方向上连续延伸穿过第一扩散区域和第二扩散区域。 第一金属结构与第一源区电耦合。 第二金属结构与第二漏区电耦合。 第三金属结构设置在第一和第二金属结构之上并与第一和第二金属结构电耦合。 第一金属结构体的宽度基本上等于或大于第三金属结构体的宽度。

公开(公告)号：US08362573B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12787966

申请日：2010-05-26

申请人： Chung-Cheng Wu ,  Ali Keshavarzi ,  Ka Hing Fung ,  Ta-Pen Guo ,  Jiann-Tyng Tzeng ,  Yen-Ming Chen ,  Shyue-Shyh Lin ,  Shyh-Wei Wang ,  Sheng-Jier Yang ,  Hsiang-Jen Tseng ,  David B. Scott ,  Min Cao

发明人： Chung-Cheng Wu ,  Ali Keshavarzi ,  Ka Hing Fung ,  Ta-Pen Guo ,  Jiann-Tyng Tzeng ,  Yen-Ming Chen ,  Shyue-Shyh Lin ,  Shyh-Wei Wang ,  Sheng-Jier Yang ,  Hsiang-Jen Tseng ,  David B. Scott ,  Min Cao

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7848 ,  H01L2224/16225

摘要： An integrated circuit includes a first diffusion area for a first type transistor. The first type transistor includes a first drain region and a first source region. A second diffusion area for a second type transistor is spaced from the first diffusion area. The second type transistor includes a second drain region and a second source region. A gate electrode continuously extends across the first diffusion area and the second diffusion area in a routing direction. The first metallic layer is electrically coupled with the first source region. The first metallic layer and the first diffusion area overlap with a first distance. A second metallic layer is electrically coupled with the first drain region and the second drain region. The second metallic layer and the first diffusion area overlap with a second distance. The first distance is larger than the second distance.

摘要翻译： 集成电路包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。 第一类型晶体管包括第一漏极区域和第一源极区域。 用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域间隔开。 第二类型晶体管包括第二漏极区域和第二源极区域。 栅电极在布线方向上连续延伸穿过第一扩散区域和第二扩散区域。 第一金属层与第一源区电耦合。 第一金属层和第一扩散区域与第一距离重叠。 第二金属层与第一漏极区域和第二漏极区域电耦合。 第二金属层和第一扩散区域与第二距离重叠。 第一距离大于第二距离。

公开(公告)号：US20110291197A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12787966

申请日：2010-05-26

申请人： Chung-Cheng WU ,  Ali KESHAVARZI ,  Ka Hing FUNG ,  Ta-Pen GUO ,  Jiann-Tyng TZENG ,  Yen-Ming CHEN ,  Shyue-Shyh LIN ,  Shyh-Wei WANG ,  Sheng-Jier YANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  David B. SCOTT ,  Min CAO

发明人： Chung-Cheng WU ,  Ali KESHAVARZI ,  Ka Hing FUNG ,  Ta-Pen GUO ,  Jiann-Tyng TZENG ,  Yen-Ming CHEN ,  Shyue-Shyh LIN ,  Shyh-Wei WANG ,  Sheng-Jier YANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  David B. SCOTT ,  Min CAO

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7848 ,  H01L2224/16225

摘要： An integrated circuit includes a first diffusion area for a first type transistor. The first type transistor includes a first drain region and a first source region. A second diffusion area for a second type transistor is spaced from the first diffusion area. The second type transistor includes a second drain region and a second source region. A gate electrode continuously extends across the first diffusion area and the second diffusion area in a routing direction. The first metallic layer is electrically coupled with the first source region. The first metallic layer and the first diffusion area overlap with a first distance. A second metallic layer is electrically coupled with the first drain region and the second drain region. The second metallic layer and the first diffusion area overlap with a second distance. The first distance is larger than the second distance.

摘要翻译： 集成电路包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。 第一类型晶体管包括第一漏极区域和第一源极区域。 用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域间隔开。 第二类型晶体管包括第二漏极区域和第二源极区域。 栅电极在布线方向上连续延伸穿过第一扩散区域和第二扩散区域。 第一金属层与第一源区电耦合。 第一金属层和第一扩散区域与第一距离重叠。 第二金属层与第一漏极区域和第二漏极区域电耦合。 第二金属层和第一扩散区域与第二距离重叠。 第一距离大于第二距离。

公开(公告)号：US09323881B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14341130

申请日：2014-07-25

申请人： Hsiang-Jen Tseng ,  Ting-Wei Chiang ,  Wei-Yu Chen ,  Ruei-Wun Sun ,  Hung-Jung Tseng ,  Shun Li Chen ,  Li-Chun Tien

发明人： Hsiang-Jen Tseng ,  Ting-Wei Chiang ,  Wei-Yu Chen ,  Ruei-Wun Sun ,  Hung-Jung Tseng ,  Shun Li Chen ,  Li-Chun Tien

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L23/482

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit layout includes a P-type active region and an N-type active region, and a plurality of trunks. The integrated circuit layout further includes a first metal connection connected to the P-type active region; and a second metal connection connected to the N-type active region. Each trunk of the plurality of trunks is electrically connected with the first metal connection and the second metal connection. Each trunk of the plurality of trunks is substantially perpendicular to the first metal connection and the second metal connection. A first trunk of the plurality of trunks has a width wider than a width of other trunks of the plurality of trunks.

摘要翻译： 集成电路布局包括P型有源区和N型有源区，以及多个树干。 集成电路布局还包括连接到P型有源区的第一金属连接; 以及连接到N型有源区的第二金属连接。 多个树干的每个中继线与第一金属连接和第二金属连接电连接。 多个树干的每个树干基本上垂直于第一金属连接和第二金属连接。 多个树干的第一树干具有比多个树干中的其他树干的宽度宽的宽度。

公开(公告)号：US09312260B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US13086186

申请日：2011-04-13

申请人： Ali Keshavarzi ,  Ta-Pen Guo ,  Helen Shu-Hui Chang ,  Hsiang-Jen Tseng ,  Shyue-Shyh Lin ,  Lee-Chung Lu ,  Chung-Cheng Wu ,  Li-Chun Tien ,  Jung-Chan Yang ,  Shu-Min Chen ,  Min Cao ,  Yung-Chin Hou

发明人： Ali Keshavarzi ,  Ta-Pen Guo ,  Helen Shu-Hui Chang ,  Hsiang-Jen Tseng ,  Shyue-Shyh Lin ,  Lee-Chung Lu ,  Chung-Cheng Wu ,  Li-Chun Tien ,  Jung-Chan Yang ,  Shu-Min Chen ,  Min Cao ,  Yung-Chin Hou

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit includes a first diffusion area for a first type transistor. The first type transistor includes a first drain region and a first source region. A second diffusion area for a second type transistor is separated from the first diffusion area. The second type transistor includes a second drain region and a second source region. A gate electrode continuously extends across the first diffusion area and the second diffusion area in a routing direction. A first metallic structure is electrically coupled with the first source region. A second metallic structure is electrically coupled with the second drain region. A third metallic structure is disposed over and electrically coupled with the first and second metallic structures. A width of the first metallic structure is substantially equal to or larger than a width of the third metallic structure.

摘要翻译： 集成电路包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。 第一类型晶体管包括第一漏极区域和第一源极区域。 用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域分离。 第二类型晶体管包括第二漏极区域和第二源极区域。 栅电极在布线方向上连续延伸穿过第一扩散区域和第二扩散区域。 第一金属结构与第一源区电耦合。 第二金属结构与第二漏区电耦合。 第三金属结构设置在第一和第二金属结构之上并与第一和第二金属结构电耦合。 第一金属结构体的宽度基本上等于或大于第三金属结构体的宽度。

公开(公告)号：US20140332971A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14341130

申请日：2014-07-25

申请人： Hsiang-Jen TSENG ,  Ting-Wei CHIANG ,  Wei-Yu CHEN ,  Ruei-Wun SUN ,  Hung-Jung TSENG ,  Shun Li CHEN ,  Li-Chun TIEN

发明人： Hsiang-Jen TSENG ,  Ting-Wei CHIANG ,  Wei-Yu CHEN ,  Ruei-Wun SUN ,  Hung-Jung TSENG ,  Shun Li CHEN ,  Li-Chun TIEN

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L23/482

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit layout includes a P-type active region and an N-type active region, and a plurality of trunks. The integrated circuit layout further includes a first metal connection connected to the P-type active region; and a second metal connection connected to the N-type active region. Each trunk of the plurality of trunks is electrically connected with the first metal connection and the second metal connection. Each trunk of the plurality of trunks is substantially perpendicular to the first metal connection and the second metal connection. A first trunk of the plurality of trunks has a width wider than a width of other trunks of the plurality of trunks.

摘要翻译： 集成电路布局包括P型有源区和N型有源区，以及多个树干。 集成电路布局还包括连接到P型有源区的第一金属连接; 以及连接到N型有源区的第二金属连接。 多个树干的每个中继线与第一金属连接和第二金属连接电连接。 多个树干的每个树干基本上垂直于第一金属连接和第二金属连接。 多个树干的第一树干具有比多个树干中的其他树干的宽度宽的宽度。

公开(公告)号：US20130130456A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13722142

申请日：2012-12-20

申请人： Chung-Cheng WU ,  Ali KESHAVARZI ,  Fung Ka HING ,  Ta-Pen GUO ,  Jiann-Tyng TZENG ,  Yen-Ming CHEN ,  Shyue-Shyh LIN ,  Shyh-Wei WANG ,  Sheng-Jier YANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  David B. Scott ,  Min CAO

发明人： Chung-Cheng WU ,  Ali KESHAVARZI ,  Fung Ka HING ,  Ta-Pen GUO ,  Jiann-Tyng TZENG ,  Yen-Ming CHEN ,  Shyue-Shyh LIN ,  Shyh-Wei WANG ,  Sheng-Jier YANG ,  Hsiang-Jen TSENG ,  David B. Scott ,  Min CAO

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7848 ,  H01L2224/16225

摘要： A method of forming an integrated circuit including forming a first diffusion area and a second diffusion area on a substrate, wherein the first diffusion area is configured for a first type transistor, the second diffusion area is configured for a second type transistor. The method further includes forming first source and drain regions in the first diffusion area. The method further includes forming second source and drain regions in the second diffusion area. The method further includes forming a gate electrode extending across the first diffusion area and the second diffusion area. The method further includes forming a first metallic layer, a second metallic layer, and a third metallic layer. The first metallic layer is electrically coupled with the first source region. The second metallic layer is electrically coupled with the first and second drain regions. The third metallic layer is electrically coupled with the second source region.

摘要翻译： 一种形成集成电路的方法，包括在衬底上形成第一扩散区域和第二扩散区域，其中所述第一扩散区域被配置为用于第一类型晶体管，所述第二扩散区域被配置为用于第二类型晶体管。 该方法还包括在第一扩散区域中形成第一源区和漏区。 该方法还包括在第二扩散区域中形成第二源区和漏区。 该方法还包括形成跨越第一扩散区域和第二扩散区域延伸的栅电极。 该方法还包括形成第一金属层，第二金属层和第三金属层。 第一金属层与第一源区电耦合。 第二金属层与第一和第二漏极区域电耦合。 第三金属层与第二源极区域电耦合。

公开(公告)号：US20140195997A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US13778912

申请日：2013-02-27

申请人： Hsiang-Jen TSENG ,  Ting-Wei CHIANG ,  Wei-Yu CHEN ,  Ruei-Wun SUN ,  Hung-Jung TSENG ,  Shun Li CHEN ,  Li-Chun TIEN

发明人： Hsiang-Jen TSENG ,  Ting-Wei CHIANG ,  Wei-Yu CHEN ,  Ruei-Wun SUN ,  Hung-Jung TSENG ,  Shun Li CHEN ,  Li-Chun TIEN

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit layout includes a P-type active region, an N-type active region, a first metal connection, a second metal connection and a plurality of trunks. The plurality of trunks is formed substantially side-by-side, and in parallel with each other. The first metal connection is substantially disposed over the P-type active region, and is electrically connected with drain regions of PMOS transistors in the P-type active region. The second metal connection is substantially disposed over the N-type active region, and is electrically connected with drain regions of NMOS transistors in the N-type active region. The plurality of trunks is electrically connected with and is substantially perpendicular to the first metal connection and the second metal connection. A first trunk of the plurality of trunks has a width wider than a width of other trunks of the plurality of trunks and is arranged to be located between two groups of trunks.

摘要翻译： 集成电路布局包括P型有源区，N型有源区，第一金属连接，第二金属连接和多个树干。 多个树干基本并排地形成并且彼此平行。 第一金属连接基本上设置在P型有源区上，并且与P型有源区中的PMOS晶体管的漏极区域电连接。 第二金属连接基本上设置在N型有源区上，并且与N型有源区中的NMOS晶体管的漏区电连接。 多个树干电连接并且基本上垂直于第一金属连接和第二金属连接。 多个树干的第一树干具有比多个树干中的其他树干的宽度宽的宽度，并且布置成位于两组树干之间。