公开(公告)号：US08946093B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13421272

申请日：2012-03-15

申请人： Shinji Mikami

发明人： Shinji Mikami

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L21/3086 ,  B29C59/002 ,  B29C59/026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/6715

摘要： In an imprint method of an embodiment, in the imprinting of an imprint shot including an outermost peripheral region of a substrate where resist is not desired to be entered at the time of imprinting, light curing the resist is applied to a light irradiation region with a predetermined width including a boundary between the outermost peripheral region and a pattern formation region more inside than the outermost peripheral region, whereby the resist which is to enter inside the outermost peripheral region is cured. Then, light curing the resist filled in a template pattern is applied onto a template.

摘要翻译： 在一个实施例的印记方法中，在印刷包括在印刷时不希望进入抗蚀剂的基板的最外周区域的印记射影的印记中，将抗蚀剂的光固化施加到光照射区域 预定宽度包括最外周区域和比最外周区域更内侧的图案形成区域之间的边界，从而固化进入最外周区域内的抗蚀剂。 然后，将填充有模板图案的抗蚀剂的光固化施加到模板上。

公开(公告)号：US08796158B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13346041

申请日：2012-01-09

申请人： Kyoung-sei Choi

发明人： Kyoung-sei Choi

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L23/053 ,  H01L21/48 ,  H01L21/312 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/3122 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4985 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/045 ,  H05K3/06 ,  H05K3/107 ,  H05K3/1258 ,  H05K3/243 ,  H05K3/28 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2203/0108 ,  Y10T29/49227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A method for forming a circuit pattern forming region in an insulating substrate may include preparing a metallic pattern, coating a polymer solution on a casting vessel, precuring the polymer solution, and forming an imprinted circuit pattern forming region in the precured polymer solution using the metallic pattern.

摘要翻译： 用于在绝缘基板中形成电路图案形成区域的方法可以包括制备金属图案，在浇铸容器上涂覆聚合物溶液，预聚合物溶液，以及在预固化聚合物溶液中形成印记电路图案形成区域，使用金属 模式。

公开(公告)号：US20140080305A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13615669

申请日：2012-09-14

申请人： Jenn-Wei Lee ,  Hung-Jen Liu

发明人： Jenn-Wei Lee ,  Hung-Jen Liu

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0271

摘要： A double patterning process is described. A substrate having a first area and a second area is provided. A target layer is formed over the substrate. A patterned first photoresist layer is formed over the target layer, wherein the patterned first photoresist layer has openings and has a first thickness in the first area, and at least a portion of the patterned first photoresist layer in the second area has a second thickness less than the first thickness. A second photoresist layer is then formed covering the patterned first photoresist layer and filling in the openings.

摘要翻译： 描述双重图案化工艺。 提供具有第一区域和第二区域的衬底。 目标层形成在衬底上。 图案化的第一光致抗蚀剂层形成在目标层上，其中图案化的第一光致抗蚀剂层具有开口并且具有第一区域中的第一厚度，并且第二区域中图案化的第一光致抗蚀剂层的至少一部分具有较小的第二厚度 比第一厚度。 然后形成覆盖图案化的第一光致抗蚀剂层并填充在开口中的第二光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08518835B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13589892

申请日：2012-08-20

申请人： Scott E. Sills

发明人： Scott E. Sills

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/0337 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00637 ,  B82Y40/00

摘要： Some embodiments include methods of forming patterns utilizing copolymer. A copolymer composition is formed across a substrate. The composition includes subunits A and B, and will be self-assembled to form core structures spaced center-to-center by a distance of L0. The core structures are contained within a repeating pattern of polygonal unit cells. Distances from the core structures to various locations of the unit cells are calculated to determine desired distributions of subunit lengths.

摘要翻译： 一些实施方案包括使用共聚物形成图案的方法。 在基材上形成共聚物组合物。 组合物包括亚基A和B，并且将自组装形成以中心至中心间隔L0的核心结构。 核心结构包含在多边形单元电池的重复图案中。 计算从核心结构到单位单元的各个位置的距离，以确定亚基长度的期望分布。

公开(公告)号：US08394724B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US11843629

申请日：2007-08-22

申请人： Hai Cong ,  Wei Loong Loh ,  Krishan Gopal ,  Xin Zhang ,  Mei Sheng Zhou ,  Pradeep Ramachandramurthy Yelehanka

发明人： Hai Cong ,  Wei Loong Loh ,  Krishan Gopal ,  Xin Zhang ,  Mei Sheng Zhou ,  Pradeep Ramachandramurthy Yelehanka

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： A method for forming device features with reduced line end shortening (LES) includes trimming the device feature to achieve the desired sub-ground rule critical dimension during the etch to form the device feature.

摘要翻译： 用于形成具有减少的线端缩短（LES）的器件特征的方法包括修整器件特征以在蚀刻期间实现期望的子接地规则临界尺寸以形成器件特征。

公开(公告)号：US20130040448A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13570812

申请日：2012-08-09

申请人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

发明人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

摘要： In a method of forming a metal or metal nitride pattern, a metal or metal nitride layer is formed on a substrate, and a photoresist pattern is formed on the metal or metal nitride layer. An over-coating composition is coated on the metal or metal nitride layer and on the photoresist pattern to form a capping layer on the photoresist pattern. The over-coating composition includes a polymer having amine groups as a side chain or a branch and a solvent. A remaining portion of the over-coating composition is removed by washing with a hydrophilic solution. The metal or metal nitride layer is partially removed using the capping layer and the photoresist pattern as an etching mask.

摘要翻译： 在形成金属或金属氮化物图形的方法中，在基板上形成金属或金属氮化物层，并且在金属或金属氮化物层上形成光刻胶图案。 在金属或金属氮化物层和光致抗蚀剂图案上涂覆过涂层组合物以在光致抗蚀剂图案上形成覆盖层。 该覆盖组合物包括具有侧基或分支和溶剂的胺基的聚合物。 通过用亲水溶液洗涤除去剩余部分的外涂层组合物。 使用覆盖层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来部分去除金属或金属氮化物层。

公开(公告)号：US20120313199A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13480549

申请日：2012-05-25

申请人： Akihiro Orita ,  Masato Yoshida ,  Takeshi Nojiri ,  Yoichi Machii ,  Mitsunori Iwamuro ,  Shuchiro Adachi ,  Tetsuya Sato ,  Toru Tanaka

发明人： Akihiro Orita ,  Masato Yoshida ,  Takeshi Nojiri ,  Yoichi Machii ,  Mitsunori Iwamuro ,  Shuchiro Adachi ,  Tetsuya Sato ,  Toru Tanaka

IPC分类号： C09D127/12 ,  H01L21/312 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C08K5/05 ,  C09D181/06 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K3/28 ,  C08K5/5415 ,  H01L29/06 ,  C09D125/18

CPC分类号： H01L31/1868 ,  B82Y10/00 ,  C08J5/24 ,  C08J2363/00 ,  C08J2425/08 ,  C08J2433/24 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/34 ,  C08K5/05 ,  C09D127/18 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/5012 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a material for forming a passivation film for a semiconductor substrate. The material includes a polymer compound having an anionic group or a cationic group.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成用于半导体衬底的钝化膜的材料。 该材料包括具有阴离子基团或阳离子基团的高分子化合物。

公开(公告)号：US20120208374A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13455916

申请日：2012-04-25

申请人： Hang Yu ,  Deenesh Padhi ,  Man-Ping Cai ,  Naomi Yoshida ,  Li Yan Miao ,  Siu F. Cheng ,  Shahid Shaikh ,  Sohyun Park ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

发明人： Hang Yu ,  Deenesh Padhi ,  Man-Ping Cai ,  Naomi Yoshida ,  Li Yan Miao ,  Siu F. Cheng ,  Shahid Shaikh ,  Sohyun Park ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： Embodiments described herein relate to materials and processes for patterning and etching features in a semiconductor substrate. In one embodiment, a method of forming a composite amorphous carbon layer is provided. The method comprises positioning a substrate in a process chamber, introducing a hydrocarbon source gas into the process chamber, introducing a diluent source gas into the process chamber, introducing a plasma-initiating gas into the process chamber, generating a plasma in the process chamber, forming an amorphous carbon initiation layer on the substrate, wherein the hydrocarbon source gas has a volumetric flow rate to diluent source gas flow rate ratio of 1:12 or less, and forming a bulk amorphous carbon layer on the amorphous carbon initiation layer, wherein a hydrocarbon source gas used to form the bulk amorphous carbon layer has a volumetric flow rate to a diluent source gas flow rate of 1:6 or greater.

摘要翻译： 本文描述的实施例涉及用于图案化和蚀刻半导体衬底中的特征的材料和工艺。 在一个实施方案中，提供了形成复合无定形碳层的方法。 该方法包括将基板定位在处理室中，将烃源气体引入处理室中，将稀释源气体引入处理室，将等离子体起始气体引入处理室，在处理室中产生等离子体， 在所述基板上形成无定形碳起始层，其中所述烃源气体的体积流量与稀释剂源气体流量比为1:12以下，并且在所述无定形碳起始层上形成块状无定形碳层，其中， 用于形成大块无定形碳层的烃源气体的体积流量为稀释剂源气体流速为1：6或更大。

公开(公告)号：US20120190212A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13440480

申请日：2012-04-05

申请人： Seiji SAMUKAWA ,  Shigeo Yasuhara ,  Shingo Kadomura ,  Tsutomu Shimayama ,  Hisashi Yano ,  Kunitoshi Tajima ,  Noriaki Matsunaga ,  Masaki Yoshimaru

发明人： Seiji SAMUKAWA ,  Shigeo Yasuhara ,  Shingo Kadomura ,  Tsutomu Shimayama ,  Hisashi Yano ,  Kunitoshi Tajima ,  Noriaki Matsunaga ,  Masaki Yoshimaru

IPC分类号： H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/486 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02277

摘要： Disclosed is a low dielectric constant insulating film formed of a polymer containing Si atoms, O atoms, C atoms, and H atoms, which includes straight chain molecules in which a plurality of basic molecules with an SiO structure are linked in a straight chain, binder molecules with an SiO structure linking a plurality of the straight chain molecules. The area ratio of a signal indicating a linear type SiO structure is 49% or more, and the signal amount of the signal indicating Si(CH3) is 66% or more.

摘要翻译： 公开了由包含Si原子，O原子，C原子和H原子的聚合物形成的低介电常数绝缘膜，其包括其中多个具有SiO结构的碱性分子在直链中键合的直链分子，粘合剂 具有连接多个直链分子的SiO结构的分子。 指示线性型SiO结构的信号的面积比为49％以上，表示Si（CH3）的信号的信号量为66％以上。

公开(公告)号：US20120115333A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13352589

申请日：2012-01-18

申请人： Kenichiro SATO ,  Tsukasa YAMANAKA

发明人： Kenichiro SATO ,  Tsukasa YAMANAKA

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08G73/14 ,  C07D403/12

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08F2/50 ,  C08G69/48 ,  C08G73/22 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/037 ,  H01L21/312

摘要： A polybenzoxazole precursor is represented by the following formula (1): wherein R1a to R4a, R1b to R4b, X1, Y1 and m are defined in the specification.

摘要翻译： 聚苯并恶唑前体由下式（1）表示：其中R1a至R4a，R1b至R4b，X1，Y1和m在本说明书中定义。