公开(公告)号：US20080005411A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11399760

申请日：2006-04-07

申请人： Min-Soo Kim

发明人： Min-Soo Kim

IPC分类号： G06F13/38

CPC分类号： G10H3/188 ,  G10H2240/285

摘要： An audio I/O system and method for a guitar equipped with a USB interface is disclosed. The audio I/O system converts an analog audio signal generated from an electronic guitar into a digital audio signal using a USB guitar module of the electronic guitar, performs signal processing on the digital audio signal according to the USB standard, transmits the signal-processed resultant signal to a Personal Computer (PC), employs a variety of application programs stored in the PC, and outputs the corresponding audio signal via a speaker of the PC. The audio I/O system receives the mixed/edited signal from the PC, performs signal processing on the received signal, outputs the corresponding signal via the headphone or speaker, allows the PC to output pre-stored audio signals of other guitars, plays the electronic guitar, and stores the played signal in the PC in real time.

摘要翻译： 公开了一种配有USB接口的吉他的音频I / O系统和方法。 音频I / O系统使用电吉他的USB吉他模块将从电子吉他产生的模拟音频信号转换为数字音频信号，根据USB标准对数字音频信号进行信号处理，发送信号处理 结果信号到个人计算机（PC），采用存储在PC中的各种应用程序，并通过PC的扬声器输出相应的音频信号。 音频I / O系统从PC接收混合/编辑的信号，对接收到的信号进行信号处理，通过耳机或扬声器输出相应的信号，允许PC输出其他吉他的预先存储的音频信号，播放 电子吉他，并将播放的信号实时存储在PC中。

公开(公告)号：US20060146619A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11327247

申请日：2006-01-05

申请人： Min-Soo Kim ,  Myeong-O Kim ,  Jae-Woong Lee

发明人： Min-Soo Kim ,  Myeong-O Kim ,  Jae-Woong Lee

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C7/22 ,  G11C8/18

CPC分类号： G11C7/1066 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076

摘要： A control unit for a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method for controlling the same. The control unit of a semiconductor memory device includes control signal circuits, each control signal circuit to receive a master signal and to generate at least one of a plurality of control signals in response to the master signal, each of the plurality of core control signals to be generated after a delay specific to the core control signals after a transition of the master signal, the plurality of control signals to control the semiconductor memory device.

摘要翻译： 一种用于半导体存储器件的控制单元，半导体存储器件及其控制方法。 半导体存储器件的控制单元包括控制信号电路，每个控制信号电路接收主信号并响应于主信号产生多个控制信号中的至少一个，多个核心控制信号中的每一个至 在主信号转换之后的核心控制信号的特定延迟之后产生多个控制信号以控制半导体存储器件。

公开(公告)号：US07068083B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US10738876

申请日：2003-12-17

申请人： Min-Soo Kim ,  Chi-Wook Kim

发明人： Min-Soo Kim ,  Chi-Wook Kim

IPC分类号： H03K3/00

CPC分类号： G11C29/022 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/106 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C29/02 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50012

摘要： An output buffer includes an output terminal, a pull up module, a pull down module and an output latching module. The pull up module pulls up the output terminal to a first source voltage when the pull up module is active The pull down module pulls down the output terminal to a second source voltage when the pull down module is active. The output latching module latches a data signal in response to a state of an output clock signal in a first operation mode. The output latching module latches the data signal in response to a leading edge of the output clock signal in a second operation mode. The output latching module drives the pull up module and the pull down module in response to the data signal latched by the output latching module, so that the output latching module outputs the data signal to the output terminal in a second operation mode.

摘要翻译： 输出缓冲器包括输出端子，上拉模块，下拉模块和输出锁存模块。 当上拉模块处于活动状态时，上拉模块将输出端子上拉至第一个源电压当下拉模块处于活动状态时，下拉模块将输出端子下拉至第二个源极电压。 输出锁存模块在第一操作模式下响应于输出时钟信号的状态来锁存数据信号。 输出锁存模块在第二操作模式下响应于输出时钟信号的前沿而锁存数据信号。 输出锁存模块响应于由输出锁存模块锁存的数据信号驱动上拉模块和下拉模块，使得输出锁存模块在第二操作模式下将数据信号输出到输出端子。

公开(公告)号：US06486021B2

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09727584

申请日：2000-12-04

申请人： Min-Soo Kim ,  Chan Lim

发明人： Min-Soo Kim ,  Chan Lim

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/90

摘要： A semiconductor device for use in a memory cell includes an active matrix an active matrix provided with a semiconductor substrate, a plurality of transistors formed on the semiconductor substrate and conductive plugs electrically connected to the transistors, a number of lower electrodes formed on top of the conductive plugs, Ta2O5 films formed on the lower electrodes, composite films formed on the Ta2O5 films and upper electrodes formed on the composite films.

摘要翻译： 用于存储单元的半导体器件包括有源矩阵，设置有半导体衬底的有源矩阵，形成在半导体衬底上的多个晶体管和与晶体管电连接的导电插头，多个下电极形成在 导电插头，形成在下电极上的Ta2O5膜，形成在Ta2O5膜上的复合膜和形成在复合膜上的上电极。

公开(公告)号：US5196763A

公开(公告)日：1993-03-23

申请号：US697967

申请日：1991-05-10

申请人： Joon-Mo Yang ,  Min-Soo Kim ,  Woo-Chan Kim

发明人： Joon-Mo Yang ,  Min-Soo Kim ,  Woo-Chan Kim

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/63 ,  C09K11/77 ,  C09K11/80 ,  C09K11/86 ,  H01J29/18 ,  H01J29/20

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/595 ,  C09K11/7755 ,  C09K11/777 ,  H01J29/187

摘要： A mixed green light-emitting phosphor for a fluorescent screen of a projection cathode ray tube is prepared by mixing LaOCl phosphor activated with Tb with at least a mixture of phosphors selected from the group of a Y.sub.3 (Al,Ga).sub.5 O.sub.12 phosphor activated with Tb and a Zn.sub.2 SiO.sub.4 phosphor activated with Mn, a Y.sub.3 (Al,Ga).sub.5 O.sub.12 phosphor activated with Tb and a InBo.sub.3 phosphor activated with Tb, or a InBO.sub.3 phosphor activated with Tb and a Zn.sub.2 SiO.sub.4 phosphor activated with Mn. The fluorescent screen of the cathode ray tube is tested under standard drive conditions. From the test results, it is noted that the characteristics of the brightness and the C.I.E. coordinates of the fluorescent screen using the mixed green light-emitting phosphors is remarkably improved compared with that of the conventional Y.sub.3 Al.sub.5 O.sub.12 phosphor activated with Tb.

摘要翻译： 通过将由Tb活化的LaOCl荧光体与至少一种选自由Tb激活的Y3（Al，Ga）5O12荧光体的荧光体的混合物混合制备投影阴极射线管荧光屏的混合绿色荧光体 和用Mn激活的Zn2SiO4荧光体，用Tb活化的Y 3（Al，Ga）5 O 12荧光体和用Tb活化的InBo 3荧光体，或用Tb活化的InBO 3荧光体和用Mn活化的Zn2SiO4荧光体。 在标准驱动条件下测试阴极射线管的荧光屏。 从测试结果可以看出，亮度特性和C.I.E. 与使用Tb激活的常规Y3Al5O12荧光体相比，使用混合的绿色发光荧光体的荧光屏的坐标显着提高。

公开(公告)号：US09069810B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13558178

申请日：2012-07-25

申请人： Min-Soo Kim ,  Lin Qiao ,  Vijayshankar Raman ,  Eugene J. Shekita

发明人： Min-Soo Kim ,  Lin Qiao ,  Vijayshankar Raman ,  Eugene J. Shekita

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06F12/08

CPC分类号： G06F17/3033 ,  G06F12/0802 ,  G06F17/30097 ,  G06F17/30109 ,  G06F17/30864 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/465

摘要： System, method and computer program products for storing data by computing a plurality of hash functions of data values in a data item, and determining a corresponding memory location for one of the plurality of hash functions of data values in the data item. Each memory location is of a cacheline size wherein a data item is stored in a memory location. Each memory location can store a plurality of data items. A key portion of all data items is contiguously stored within the memory location, and a payload portion is contiguously stored within the memory location. Payload portions are packed as bit-aligned in a fixed-sized memory location, comprising a bucket in a bucketized hash table, each bucket sized to store multiple key portions and payload portions that are packed as bit-aligned in a fixed-sized bucket. Corresponding key portions are stored as compressed keys in said fixed-sized bucket.

摘要翻译： 用于通过计算数据项中的数据值的多个散列函数来存储数据的系统，方法和计算机程序产品，以及确定数据项中数据值的多个哈希函数之一的相应存储器位置。 每个存储器位置具有高速缓存行大小，其中数据项被存储在存储器位置中。 每个存储器位置可以存储多个数据项。 所有数据项的关键部分被连续地存储在存储器位置内，并且有效载荷部分被连续地存储在存储器位置内。 有效载荷部分在固定大小的存储器位置中以比特对齐的方式打包，包括桶形哈希表中的桶，每个桶的大小设置为存储多个密钥部分和在固定大小的桶中以比特排列方式打包的有效载荷部分。 对应的密钥部分作为压缩密钥存储在所述固定大小的桶中。

公开(公告)号：US09063592B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13065269

申请日：2011-03-18

申请人： Min-Soo Kim ,  Seung-Hyun Park ,  Woong-Seok Yang ,  Eui-Jeong Kim

发明人： Min-Soo Kim ,  Seung-Hyun Park ,  Woong-Seok Yang ,  Eui-Jeong Kim

IPC分类号： G06F3/02 ,  G06F3/041 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/0488 ,  G06F1/16

CPC分类号： G06F3/041 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133305 ,  G06F1/1652 ,  G06F3/04886 ,  G06F2203/04102

摘要： A display apparatus for a portable terminal includes an expandable flexible display unit, a sensing unit including of a plurality of magnets and a plurality of sensors sensing the magnets to sense an amount of display unit area accommodated in an accommodation unit of the display unit, and a controller setting pixel values according to sensed amount of the display unit area.

摘要翻译： 用于便携式终端的显示装置包括可扩展的柔性显示单元，包括多个磁体的感测单元和感测磁体以感测容纳在显示单元的容纳单元中的显示单元区域的量的多个传感器，以及 控制器根据感测到的显示单元区域的量来设置像素值。

公开(公告)号：US09018776B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US13241479

申请日：2011-09-23

申请人： Jee-Yun Song ,  Min-Soo Kim ,  Hwan-Sung Cheon ,  Seung-Bae Oh ,  Yoo-Jeong Choi

发明人： Jee-Yun Song ,  Min-Soo Kim ,  Hwan-Sung Cheon ,  Seung-Bae Oh ,  Yoo-Jeong Choi

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/308 ,  C09D7/12 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271

摘要： A hard mask composition includes a solvent and an aromatic ring-containing compound represented by the following Chemical Formula 1:

摘要翻译： 硬掩模组合物包括溶剂和由以下化学式1表示的含芳环的化合物：

公开(公告)号：US08928059B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13605213

申请日：2012-09-06

申请人： Sung-Jin Whang ,  Dong-Sun Sheen ,  Seung-Ho Pyi ,  Min-Soo Kim

发明人： Sung-Jin Whang ,  Dong-Sun Sheen ,  Seung-Ho Pyi ,  Min-Soo Kim

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7889

摘要： A nonvolatile memory device includes a substrate; a channel layer projecting from a surface of the substrate, in a direction perpendicular to the surface; a tunnel dielectric layer surrounding the channel layer; a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of control gate electrodes alternately formed along the channel layer; floating gate electrodes interposed between the tunnel dielectric layer and the plurality of control gate electrodes, the floating gate electrodes comprising a metal-semiconductor compound; and a charge blocking layer interposed between each of the plurality of control gate electrodes and each of the plurality of floating gate electrodes.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括：衬底; 从所述基板的表面在垂直于所述表面的方向上突出的沟道层; 围绕所述沟道层的隧道介电层; 多个层间电介质层和沿沟道层交替形成的多个控制栅电极; 插入在隧道介电层和多个控制栅电极之间的浮置栅电极，浮置栅电极包括金属 - 半导体化合物; 以及插入在所述多个控制栅极电极和所述多个浮栅电极中的每一个之间的电荷阻挡层。

公开(公告)号：US08860119B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13604073

申请日：2012-09-05

申请人： Min-Soo Kim ,  Dong-Sun Sheen ,  Seung-Ho Pyi ,  Sung-Jin Whang

发明人： Min-Soo Kim ,  Dong-Sun Sheen ,  Seung-Ho Pyi ,  Sung-Jin Whang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L27/11582

摘要： A nonvolatile memory device includes a substrate including a surface, a channel layer formed on the surface of the substrate, which protrudes perpendicularly from the surface, and a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of gate electrode layers alternately stacked along the channel layer, wherein the plurality of gate electrode layers protrude from the plurality of interlayer dielectric layers.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括：衬底，其包括表面，形成在所述衬底的表面上的从所述表面垂直突出的沟道层，以及沿所述沟道层交替堆叠的多个层间电介质层和多个栅极电极层， 其中所述多个栅极电极层从所述多个层间电介质层突出。