公开(公告)号：US09147740B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US13540711

申请日：2012-07-03

申请人： Ralf Siemieniec ,  Gilberto Curatola

发明人： Ralf Siemieniec ,  Gilberto Curatola

IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L29/42372 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/84

摘要： A transistor device includes a heterostructure body having a source, a drain spaced apart from the source and a two-dimensional charge carrier gas channel between the source and the drain. The transistor device further includes a piezoelectric gate on the heterostructure body. The piezoelectric gate is operable to control the channel below the piezoelectric gate by increasing or decreasing a force applied to the heterostructure body responsive to a voltage applied to the piezoelectric gate.

摘要翻译： 晶体管器件包括具有源极，与源极间隔开的漏极和源极与漏极之间的二维电荷载流子通道的异质结构体。 晶体管器件还包括异质结构体上的压电栅极。 压电栅极可操作以通过响应于施加到压电栅极的电压增加或减小施加到异质结构体的力来控制压电栅极下方的沟道。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US08587059B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13092546

申请日：2011-04-22

申请人： Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/8083

摘要： A semiconductor arrangement includes a MOSFET having a source region, a drift region and a drain region of a first conductivity type, a body region of a second conductivity type arranged between the source region and the drift region, a gate electrode arranged adjacent the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric, and a source electrode contacting the source region and the body region. The semiconductor arrangement further includes a normally-off JFET having a channel region of the first conductivity type that is coupled between the source electrode and the drift region and extends adjacent the body region so that a p-n junction is formed between the body region and the channel region.

摘要翻译： 半导体装置包括具有第一导电类型的源极区域，漂移区域和漏极区域的MOSFET，设置在源极区域和漂移区域之间的第二导电类型的体区域，邻近体区域布置的栅电极 并通过栅极电介质与体区电介质绝缘，以及与源区和身体区接触的源电极。 该半导体装置还包括常闭JFET，其具有第一导电类型的沟道区，该沟道区耦合在源电极和漂移区之间并且在身体区附近延伸，使得在体区和通道之间形成pn结 地区。

公开(公告)号：US08558308B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13517658

申请日：2012-06-14

申请人： Oliver Blank ,  Michael Hutzler ,  David Laforet ,  Ralf Siemieniec

发明人： Oliver Blank ,  Michael Hutzler ,  David Laforet ,  Ralf Siemieniec

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： In a semiconductor die, source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed. Both the source and the body zones adjoin a first surface of the semiconductor die in first sections. An impurity source is provided in contact with the first sections of the first surface. The impurity source is tempered so that atoms of a metallic recombination element diffuse out from the impurity source into the semiconductor die. Then impurities of the second conductivity type are introduced into the semiconductor die to form body contact zones between two neighboring source zones, respectively. The atoms of the metallic recombination element reduce the reverse recovery charge in the semiconductor die. Providing the body contact zones after tempering the platinum source provides uniform and reliable body contacts.

摘要翻译： 在半导体管芯中，形成第一导电类型的源区和第二导电类型的体区。 在第一部分中源极体区域和主体区域都与半导体管芯的第一表面邻接。 提供与第一表面的第一部分接触的杂质源。 杂质源被回火，使得金属复合元件的原子从杂质源扩散到半导体管芯中。 然后将第二导电类型的杂质引入到半导体管芯中，以在两个相邻源极区之间分别形成接触区。 金属复合元件的原子减少半导体晶片中的反向恢复电荷。 在铂源回火后提供身体接触区域提供均匀可靠的身体接触。

公开(公告)号：US08476712B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12894239

申请日：2010-09-30

申请人： Roman Baburske ,  Josef Lutz ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Roman Baburske ,  Josef Lutz ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A bipolar semiconductor component, in particular a diode, comprising an anode structure which controls its emitter efficiency in a manner dependent on the current density in such a way that the emitter efficiency is low at small current densities and sufficiently high at large current densities, and an optional cathode structure, which can inject additional holes during commutation, and production methods therefor.

摘要翻译： 双极半导体元件，特别是二极管，其包括以取决于电流密度的方式控制其发射极效率的阳极结构，使得发射极效率在小电流密度下低，并且在大电流密度下足够高，以及 可选择的阴极结构，其可以在换向期间注入额外的孔，以及其制造方法。

公开(公告)号：US20120153386A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13330205

申请日：2011-12-19

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is disclosed. One embodiment includes a semiconductor body including a first semiconductor layer having at least one active component zone, a cell array with a plurality of trenches, and at least one cell array edge zone. The cell array edge zone is only arranged in an edge region of the cell array, adjoining at least one trench of the cell array, and being at least partially arranged below the at least one trench in the cell array.

摘要翻译： 公开了半导体部件。 一个实施例包括半导体本体，其包括具有至少一个有源分量区的第一半导体层，具有多个沟槽的单元阵列和至少一个单元阵列边缘区。 单元阵列边缘区域仅布置在单元阵列的边缘区域中，邻接单元阵列的至少一个沟槽，并且至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽的下方。

公开(公告)号：US20120037920A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US12854974

申请日：2010-08-12

申请人： Michael Treu ,  Ralf Siemieniec

发明人： Michael Treu ,  Ralf Siemieniec

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device as described herein includes a silicon carbide semiconductor body. A trench extends into the silicon carbide semiconductor body at a first surface. A gate dielectric and a gate electrode are formed within the trench. A body zone of a first conductivity type adjoins to a sidewall of the trench, the body zone being electrically coupled to a contact via a body contact zone including a higher maximum concentration of dopants than the body zone. An extension zone of the first conductivity type is electrically coupled to the contact via the body zone, wherein a maximum concentration of dopants of the extension zone along a vertical direction perpendicular to the first surface is higher than the maximum concentration of dopants of the body zone along the vertical direction. A distance between the first surface and a bottom side of the extension zone is larger than the distance between the first surface and the bottom side of the trench.

摘要翻译： 如本文所述的半导体器件包括碳化硅半导体本体。 沟槽在第一表面延伸到碳化硅半导体本体中。 栅极电介质和栅电极形成在沟槽内。 第一导电类型的身体区域与沟槽的侧壁相邻，身体区域通过身体接触区域电耦合到接触区，该身体接触区域包括比身体区域更高的掺杂剂浓度。 第一导电类型的延伸区域经由体区电耦合到接触，其中延伸区域沿垂直于第一表面的垂直方向的掺杂剂的最大浓度高于体区的掺杂剂的最大浓度 沿垂直方向。 延伸区域的第一表面和底侧之间的距离大于沟槽的第一表面和底侧之间的距离。

公开(公告)号：US08101506B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12719487

申请日：2010-03-08

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Josef Lutz ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Ralf Siemieniec

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Josef Lutz ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Ralf Siemieniec

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

摘要： A method for producing a buried n-doped semiconductor zone in a semiconductor body. In one embodiment, the method includes producing an oxygen concentration at least in the region to be doped in the semiconductor body. The semiconductor body is irradiated via one side with nondoping particles for producing defects in the region to be doped. A thermal process is carried out. The invention additionally relates to a semiconductor component with a field stop zone.

摘要翻译： 一种用于在半导体本体中制造掩埋的n掺杂半导体区的方法。 在一个实施例中，该方法包括至少在要在半导体本体中掺杂的区域中产生氧浓度。 半导体体经由一侧用非掺杂粒子照射，以在要掺杂的区域中产生缺陷。 进行热处理。 本发明还涉及具有场停止区域的半导体部件。

公开(公告)号：US08975662B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13517661

申请日：2012-06-14

申请人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

发明人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/221 ,  H01L21/76889 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： Source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed in a semiconductor die. The source zones directly adjoin a first surface of the semiconductor die. A dielectric layer adjoins the first surface. Polysilicon plugs extend through the dielectric layer and are electrically connected to the source and the body zones. An impurity source containing at least one metallic recombination element is provided in contact with deposited polycrystalline silicon material forming the polysilicon plugs and distant to the semiconductor die. Atoms of the metallic recombination element, for example platinum atoms, may be diffused out from the impurity source into the semiconductor die to reliably reduce the reverse recovery charge.

摘要翻译： 第一导电类型的源区和第二导电类型的体区形成在半导体管芯中。 源区直接邻接半导体管芯的第一表面。 介电层邻接第一表面。 多晶硅插头延伸穿过电介质层并且电连接到源极和体区。 提供含有至少一种金属复合元件的杂质源，其与形成多晶硅插塞并远离半导体管芯的沉积的多晶硅材料接触。 金属复合元件（例如铂原子）的原子可以从杂质源扩散到半导体管芯中以可靠地减少反向恢复电荷。

公开(公告)号：US20130248993A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。