公开(公告)号：CN115224134B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202210792791.0

申请日：2022-07-05

申请人： 浙江大学

发明人： 林宏焘 ,  马辉 ,  钟础宇 ,  魏茂良 ,  巨泽朝

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  G02B6/10

公开(公告)号：CN118943208A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310517673.3

申请日：2023-05-09

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 陈润 ,  黄北举 ,  程传同 ,  吕晓庆 ,  马正泰 ,  卢凯威

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。

公开(公告)号：CN118156339B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202311827938.6

申请日：2023-12-28

申请人： 云南师范大学

发明人： 谭秋红 ,  王前进 ,  马然 ,  刘应开

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光成像技术领域，公开了一种MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器及制备方法，该器件包括MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结；所述CdS0.42Se0.58薄片包括：Cd、S和Se。本发明制备了一个基于少层MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结的高性能光电探测器。该光电探测器的高响应率为7221A/W，电流的开态与关态比为1.73×104，快速响应速度为90/120μs，外量子效率(EQE)最高可达1.52×106％和探测率(D*)达到1.67×1015Jonse。通过光电流映射测试和第一性原理计算，分析了异质结光电探测器的优异性能。在MoTe2/CdS0.42Se0.58上成功地获得了可见光成像功能，这表明该器件具有实际的成像应用前景，本研究结果为基于超高性能光电探测器MoTe2的设计提供了参考。

公开(公告)号：CN118888629A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410921206.1

申请日：2024-07-10

申请人： 福州大学

发明人： 邓辉 ,  程树英 ,  林霄 ,  康裕滨 ,  陈泽坤

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。所述光电探测器从衬底到表面分别为FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。双面光电探测器结构为玻璃/FTO/Sb2Se3/Sb2S3/CdS/ZnO/ITO/Ag其中硫化锑和硒化锑薄膜采用快速热蒸发法制备，引入硒化锑作为空穴传输层，有利于提高载流子分离的效率，实现良好的能带匹配。本发明制备的硫化锑薄膜双面光电探测器，可实现自供电并探测双面光照信号，识别区分光源波段与光强，可应用于定位探测。该探测器制备成本低廉、绿色环保，应用前景大。

公开(公告)号：CN118880492A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410953251.5

申请日：2024-07-16

申请人： 陕西科技大学

发明人： 王盼 ,  尉国栋 ,  丁利苹 ,  苏莹 ,  娄瑞 ,  牛永

IPC分类号： D01F9/08 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  C01B25/00

摘要： 本发明提供一种一维硅掺杂黑磷纤维及其制备方法和紫外光电器件，包括：(1)将碘与硅粉混合并置于石英管中，对石英管进行真空密封后，将石英管埋入玻璃粉末中，并加热到700～900℃，保温，得到硅碘化合物；(2)将无定形红磷、锡粉、硅碘化合物混合并置于石英管中，对石英管进行真空密封，将石英管埋入玻璃粉末中，并加热到620～650℃，保温；随后降温至450～500℃，并保温；得到一维BP‑Si纤维。该方法可以有效引入硅元素并实现一维BP纤维的可控生长，在此基础上与Ag形成肖特基结以提高其光电探测性能，有利于BP基光电器件的大规模生产及产业化应用。

公开(公告)号：CN115274932B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202210954059.9

申请日：2022-08-10

申请人： 吉林大学

发明人： 阮圣平 ,  周瑞恒 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  马艳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109

摘要： 一种基于FTO/α‑Ga2O3/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、在FTO上生长的Ga2O3纳米线、在Ga2O3纳米线空隙填充MgZnO纳米材料形成的Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层、在光敏感层上制备的Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO衬底一侧入射，其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层的厚度为2～3μm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明水热法简单易行、成本低廉、对设备要求低，制备出的器件对紫外光有较高的响应，适于大批量生产。

公开(公告)号：CN118867034A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310475441.6

申请日：2023-04-26

申请人： 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 ,  庆鼎精密电子(淮安)有限公司

发明人： 徐筱婷 ,  何明展

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L31/109

摘要： 一种UV传感器的制作方法，包括以下步骤：提供一线路基板，线路基板包括介质层以及位于介质层表面的第一线路层；在第一线路层的表面形成油墨层，油墨层中含有对紫外线敏感的半导体材料；以及从油墨层背离介质层的一侧对油墨层进行激光处理，以使背离介质层的部分油墨层变成具有空腔结构的烧结油墨层。本申请还提供一种UV传感器以及终端装置。本申请实施例提供的UV传感器的制作方法，通过激光处理油墨层以形成烧结油墨层，代替相关技术中采用退火工艺形成半导体结构的制程，则本申请实施例的UV传感器的制作方法既能用于制作硬板，又能用于制作软板。

公开(公告)号：CN118749137A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202380023471.1

申请日：2023-02-23

申请人： 电导魔方股份有限公司

发明人： 洪正洙 ,  姜兑咏 ,  姜现奇 ,  庆信秀 ,  林裕承

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/101

摘要： 本发明涉及一种基于异质结的日盲光电探测器。一种制造基于氧化银/β‑氧化镓异质结的日盲光电探测器的方法可以包括如下步骤：在第一导电型β‑氧化镓晶片上生长第一导电型β‑氧化镓外延层；将所述第一导电型β‑氧化镓晶片放置在溅射室中；在惰性气体与氧气的混合气氛中在所述第一导电型β‑氧化镓外延层上沉积第二导电型氧化银层；阻断向所述溅射室的氧气供应；和在惰性气体气氛中在所述第二导电型氧化银层上沉积银层以形成上电极。

公开(公告)号：CN118738196A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410721781.7

申请日：2024-06-05

申请人： 浙江富乐德石英科技有限公司 ,  浙江理工大学

发明人： 杨军 ,  王顺利 ,  吴然红 ,  郭道友 ,  张鑫江 ,  郑明山 ,  夏紫辉

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336

摘要： 本发明公开了一种β‑Ga2O3/Lu2O3异质结自供电深紫外探测器及制备方法，依次包括石英衬底，剥离法获得的单晶β‑Ga2O3微米线，位于单晶β‑Ga2O3微米线上的Lu2O3薄膜层，位于Lu2O3薄膜层上的第一测试电极，以及位于单晶β‑Ga2O3微米线上的第二测试电极，所述单晶β‑Ga2O3微米线与Lu2O3薄膜层接触面形成β‑Ga2O3/Lu2O3核壳异质结，构成内建电场，以分离光生载流子。本发明的探测器可在0V偏压下工作，具有自供电工作的特点，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的深紫外光的有效探测。

公开(公告)号：CN118658921A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410751553.4

申请日：2024-06-12

申请人： 沈阳工程学院

发明人： 曲延华 ,  朱玥

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明属于半导体技术领域，提出一种自供电紫外探测器及其制备方法，包括：衬底；紫外光吸收层，布置于衬底上，该紫外光吸收层被赋予为异质纳米结晶结构；其中，紫外光吸收层能够阵列生长于衬底表明，且沿竖直方向分布有若干层；第一电极，分布在衬底表面分布有紫外光吸收层的部分上，且将紫外光吸收层包覆；第二电极，分布在衬底表面未分布有紫外光吸收层的部分上，且将衬底包覆，紫外光吸收层沉积在衬底上，且沿衬底至紫外光吸收层顶端形成有台阶，该台阶被赋予以刻蚀制备而成，衬底为Si、ScA l MgO4或者蓝宝石的一种，且衬底的厚度为360‑430μm。本发明不仅能够提高紫外探测器响应效率，还可以有效减少器件尺寸提高应用范围。