公开(公告)号：CN118738196A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410721781.7

申请日：2024-06-05

申请人： 浙江富乐德石英科技有限公司 ,  浙江理工大学

发明人： 杨军 ,  王顺利 ,  吴然红 ,  郭道友 ,  张鑫江 ,  郑明山 ,  夏紫辉

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336

摘要： 本发明公开了一种β‑Ga2O3/Lu2O3异质结自供电深紫外探测器及制备方法，依次包括石英衬底，剥离法获得的单晶β‑Ga2O3微米线，位于单晶β‑Ga2O3微米线上的Lu2O3薄膜层，位于Lu2O3薄膜层上的第一测试电极，以及位于单晶β‑Ga2O3微米线上的第二测试电极，所述单晶β‑Ga2O3微米线与Lu2O3薄膜层接触面形成β‑Ga2O3/Lu2O3核壳异质结，构成内建电场，以分离光生载流子。本发明的探测器可在0V偏压下工作，具有自供电工作的特点，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的深紫外光的有效探测。

公开(公告)号：CN118738167A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410721839.8

申请日：2024-06-05

申请人： 浙江富乐德石英科技有限公司 ,  浙江理工大学

发明人： 杨军 ,  张鑫江 ,  吴超 ,  王顺利 ,  郭道友 ,  吴然红 ,  郑明山

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种石英衬底/β‑Ga2O3基偏振敏感光电突触及其制备方法，依次包括作为衬底的单晶石英衬底，设置于单晶石英衬底上的各向异性β‑Ga2O3外延薄膜层，设置于β‑Ga2O3外延薄膜层上的电极Ti/Au薄膜层，所述的石英衬底为与β‑Ga2O3各向异性周期性匹配的m或r面单晶石英衬底,所述的β‑Ga2O3外延薄膜层兼具各向异性和高氧空位缺陷。本发明制得偏振敏感突触器件可以模拟一系列偏振敏感的突触活动和偏振相关的图像感知、学习和识别，在偏振成像、加密光通信等方面显示出巨大的潜力。

公开(公告)号：CN118980261A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411044905.9

申请日：2024-08-01

申请人： 浙江富乐德石英科技有限公司

发明人： 姜一 ,  王亦博 ,  吴然红 ,  杨军

IPC分类号： F27D19/00 ,  C03B25/00 ,  C03B29/00

摘要： 本申请涉及石英制品生产技术领域，且更为具体地，涉及一种氢氧焰的温度控制方法及石英玻璃制品的局部退火方法。其中退火方法包括如下步骤：S1、采用800‑1000℃的氢氧焰对石英制品进行预热，并持续一定时间；S2、对预热后的石英制品以阶梯式进行升温；S3、采用1100‑1200℃的氢氧焰对石英制品进行退火，并持续一定时间；S4、对退火后的石英制品以阶梯式进行降温；S5、对降温后的石英制品进行自然降温。该方法能够实现对石英玻璃制品的局部退火处理。