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公开(公告)号：CN115274906B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210903894.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥，然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸，得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液；再在石英衬底上旋涂前驱体溶液，经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层；最后经过光刻、磁控溅射，在光敏感层上得到Au金属叉指电极；从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN115274932B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210954059.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 一种基于FTO/α‑Ga2O3/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、在FTO上生长的Ga2O3纳米线、在Ga2O3纳米线空隙填充MgZnO纳米材料形成的Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层、在光敏感层上制备的Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO衬底一侧入射，其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层的厚度为2～3μm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明水热法简单易行、成本低廉、对设备要求低，制备出的器件对紫外光有较高的响应，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN115274932A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210954059.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 一种基于FTO/α‑Ga2O3/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、在FTO上生长的Ga2O3纳米线、在Ga2O3纳米线空隙填充MgZnO纳米材料形成的Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层、在光敏感层上制备的Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO衬底一侧入射，其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层的厚度为2～3μm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明水热法简单易行、成本低廉、对设备要求低，制备出的器件对紫外光有较高的响应，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN115274906A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210903894.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥，然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸，得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液；再在石英衬底上旋涂前驱体溶液，经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层；最后经过光刻、磁控溅射，在光敏感层上得到Au金属叉指电极；从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。
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