半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号:CN118983231A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202410999633.1

    申请日:2024-07-24

    摘要: 方法包括:在第一再分布结构上方形成金属杆;将第一器件管芯附接至第一再分布结构,第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔;将金属杆和第一器件管芯密封在密封剂中,密封剂的第一顶面与半导体衬底的第二顶面齐平;使第二顶面凹进以暴露通孔;在通孔周围形成介电隔离层;在介电隔离层上方形成介电层;蚀刻介电层以在介电层中形成第一开口和第二开口;在第一开口中形成第一金属通孔并且在第二开口中形成第二金属通孔;以及在介电层上方形成第二再分布结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

    一种芯片封装结构、芯片封装的方法和电路系统

    公开(公告)号:CN118969762A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411441149.3

    申请日:2024-10-16

    IPC分类号: H01L23/498 H01L21/48

    摘要: 本申请实施例涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种芯片封装结构、芯片封装的方法和电路系统,芯片封装结构包括依次叠置的晶圆、表面金属层、第一聚合物层、重分布层、第二聚合物层和球下金属层;其中,表面金属层包括焊盘,第一聚合物层具有第一通孔,重分布层通过第一通孔与焊盘电连接;第二聚合物层具有第二通孔,球下金属层通过第二通孔与重分布层电连接。重分布层的第一边缘至表面金属层的边缘的距离为第一距离d1;当第一距离d1满足d1≤200μm时,第一边缘开设有多个间隔设置的第一凹槽,第二聚合物层通过第一凹槽与第一聚合物层连接,则第一凹槽形成锚固效应且形成应力缓释区,从而降低因重分布层变形造成的短路风险。

    一种半导体产品的孔洞加工方法

    公开(公告)号:CN118969610A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411043197.7

    申请日:2024-07-31

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/48

    摘要: 本发明属于半导体产品技术领域,公开了一种半导体产品的孔洞加工方法。半导体产品上设置有冷却通道以及与冷却通道连通的进水口和出水口,该半导体产品的孔洞加工方法用于加工半导体产品的孔洞。该半导体产品的孔洞加工方法包括以下步骤:封堵出水口,经由进水口向冷却通道注入冷却水,待冷却通道充满冷却水后,封堵进水口;冷冻半导体产品,直至冷却水由液态变为固态;在半导体产品上加工出孔洞,并清理加工孔洞产生的碎屑;加热半导体产品,以使冷却通道内的冷却水由固态融化为液态;打开出水口,经由出水口排出冷却通道内的冷却水。固态的冷却水能够填满冷却通道,避免碎屑进入冷却通道,提高了半导体产品的合格率。

    一种引脚加工设备

    公开(公告)号:CN118950889A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411342758.3

    申请日:2024-09-25

    摘要: 本发明为一种引脚加工设备,涉及半导体加工生产技术领域。本发明包括底座和通过支架设置在底座上方的安装板,它包括引脚切割模块,所述引脚切割模块包括固定在底座与安装板之间的第一升降座,安装板上方固定有第一气缸,第一气缸的活塞杆穿过安装板并与之动配合,第一气缸活塞杆与第一升降座连接;第一升降座的下部固定有至少一组第一上模座,每个第一上模座的下表面均设置一组第一沉孔,其中分别装有第一弹簧,每个第一沉孔内设置与第一弹簧配合的第一导向柱,第一导向柱下端与其下方的对应的一个第一上模固定连接。本发明中的下模座能够安装多组不同的下模具,并设置有结构、位置对应的上模,能够对不同结构的半导体芯片进行引脚加工工序。

    半导体器件的封装结构、封装方法及计算设备

    公开(公告)号:CN118943093A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411046527.8

    申请日:2024-07-31

    摘要: 本申请实施例提供一种半导体器件的封装结构、封装方法及计算设备,所述封装结构包括:基板;键合于基板上的至少一个芯片;在基板上环绕芯片的支撑结构,支撑结构与芯片的侧壁之间具有流体材料容纳空间,且支撑结构的顶面高于芯片的顶面;填充于流体材料容纳空间内的流体散热材料;在基板上覆盖支撑结构的包括顶面结构和侧壁结构的封装构件,顶面结构包括中心区和环绕中心区的边缘区,在中心区,顶面结构朝向基板一侧设置有液位调节腔;边缘区,顶面结构朝向基板一侧与支撑结构的顶面相接,以使得顶面结构与支撑结构朝向基板一侧形成与液位调节腔连通的目标容纳空间,从而提升半导体器件的封装结构中热界面材料的覆盖率,提高其散热效果。