公开(公告)号：CN118922464A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380028626.0

申请日：2023-03-09

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 上林哲

IPC分类号： C08G59/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312

摘要： 具有下述式(1)所示的部分结构、下述式(2)所示的部分结构和下述式(3)所示的部分结构的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烃环或脂肪族烃环的2价有机基。在式(3)中，R11表示碳原子数1～10的亚烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118915404A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411353134.1

申请日：2024-09-26

申请人： 信利(仁寿)高端显示科技有限公司

发明人： 宁国森 ,  吴杰明

IPC分类号： G03F7/40 ,  G02F1/1335

摘要： 本发明公开了一种超窄线宽的CF制作方法及液晶显示装置，工艺包括：对白色玻璃基板进行清洗后涂胶，得到第一CF基板，对第一CF基板进行预固化处理，得到第二CF基板；对第二CF基板依次进行曝光处理、显影处理，得到第三CF基板；将UV光均匀照射在第三CF基板上，进行UV固化，得到第四CF基板；对第四CF基板进行流平处理，然后将第四CF基板放入预热好的烘箱中，进行主固化，得到最终CF基板。通过在对CF基板的负性光刻胶在UV光照射后曝光显影之后，再次发生表面固化反应，从而使线宽图形维持曝光显影后原状，从而再进行主固化、将负性光刻胶材料在高温设备中烘烤时，不再容易产生形变或者坍塌，从而解决了线宽底部出现的BM胶残留问题。

公开(公告)号：CN118830065A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025248.0

申请日：2023-02-21

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 上林哲

IPC分类号： H01L21/312 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/308

摘要： 一种前处理用组合物，是在使用保护膜形成用组合物在半导体基板上形成保护膜前，涂布在上述半导体基板上的前处理用组合物，其含有选自具有芳香族环和芳香族性羟基的化合物、有机还原剂、和螯合剂中的至少1种化合物(A)、以及溶剂(B)。

公开(公告)号：CN118696274A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380021809.X

申请日：2023-02-15

申请人： 默克专利有限公司

发明人： 矢野友嗣 ,  滨祐介 ,  仁川裕

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40

摘要： [问题]本发明提供一种正型剥离抗蚀剂组合物。[解决方案]一种正型剥离抗蚀剂组合物，其包含具有特定的结构且cLogP为2.76～3.35的聚合物(A)、光酸产生剂(B)、及溶剂(C)。

公开(公告)号：CN118450773A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410029884.7

申请日：2024-01-09

申请人： 德山新勒克斯有限公司

发明人： 裵俊 ,  李昌珉 ,  李连洙 ,  文成允 ,  金庆洙

IPC分类号： H10K71/12 ,  H10K71/20 ,  H10K71/40 ,  H10K59/122 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40

摘要： 像素分隔层用于OLED显示器，常规塑性硬度为500N/mm2以上，模量为7,000Mpa以上，由于偏光板是必备的构成，存在不弯曲、沉重的物理弊端。与此相反，根据本发明的像素分隔层具有以下优点：可以实现柔性显示器，可以减少显示器的厚度和重量，并且，可以通过外部反射光的阻断及吸收增加可见性，将塑性硬度和模量改善至传统像素分隔层的水平，从而实现即使受到外部冲击也不会出现裂纹的显示器。最终，本发明在电极基板上实现光学密度高的着色图案，从而使色彩变鲜明的同时，提高显示器的耐冲击性、可靠性，延长显示器的寿命。

公开(公告)号：CN118377199A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410029503.5

申请日：2024-01-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 下青木刚 ,  A·A·J·多安道尔费尔 ,  吉田圭佑 ,  川上真一路 ,  龟井佑矢 ,  冈田聪一郎 ,  丹羽崇文

IPC分类号： G03F7/40

摘要： 本发明提供能够获得无机抗蚀剂的良好图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理装置。基片处理方法包括：利用显影液对在基底膜之上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影，形成上述无机抗蚀剂的图案的工序；向显影后的上述基片供给埋入液，使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序；使填充了的上述埋入液干燥，在上述基片上形成埋入膜的工序；和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。

公开(公告)号：CN118210206A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410535562.X

申请日：2024-04-29

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 冯春 ,  钱睿

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40

摘要： 本发明提供一种提高光刻胶填充性和显影、清洗效果的装置，包括晶圆承载台，其用于对晶圆光刻过程中的吸附或解吸附；超声波振动装置，其包括超声振子、超声电源和主轴，用于在晶圆上旋涂光刻胶、显影或清洗时，将超声电源产生的超声波频信号通过主轴传输至超声振子，超声振子带动光刻胶、显影液或清洗液形成机械振动；控制器，其用于控制晶圆的吸附或解吸附，以及超声频信号的预设程式，预设程式包括时间和频率的参数设置。本发明能够提高光刻胶的填充性和减少图形负载，尤其对于高深宽比图形效果更佳；使显影液与光酸更加充分反应，尤其是高深宽比区域，提高显影效果；使清洗液与晶圆表面充分接触，使清洗更充分，减少缺陷。

公开(公告)号：CN118210201A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202211582288.9

申请日：2022-12-09

申请人： 张江国家实验室

发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40

摘要： 本发明涉及一种用于半导体工艺的多重图案化方法，其至少进行两次曝光图案不同的效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的光刻工艺，从而实现了图案密度的进一步增加以及图案尺寸的进一步微缩。

公开(公告)号：CN118169968A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211572644.9

申请日：2022-12-08

申请人： 张江国家实验室

发明人： 请求不公布姓名

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/34 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

摘要： 本发明公开了用于形成半导体结构的方法和计算设备。一种用于形成半导体结构的方法，其包括：对表面包含硬掩膜层的晶圆执行光刻材料涂覆和图案化光刻，以形成基于轮廓图案的第一经图案化的硬掩膜层，该轮廓图案基于光刻中使用的曝光图案的轮廓；通过光刻对第一经图案化的硬掩膜层执行线性切割或终端切割，以形成基于目标图案的第二经图案化的硬掩膜层；以及基于第二经图案化的硬掩膜层，将目标图案转移到晶圆的基底。

公开(公告)号：CN118159909A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071076.6

申请日：2022-10-27

申请人： 元平台技术有限公司

发明人： 费扎·杜达尔·阿利索伊 ,  约书亚·安德鲁·凯茨 ,  安吉特·沃拉 ,  艾略特·弗兰克 ,  张可人 ,  约翰·斯波雷 ,  张栩

IPC分类号： G03F7/022 ,  G03F7/023 ,  G02B27/01 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  G06F3/01

摘要： 本文的公开涉及用于制造具有均匀或非均匀光栅深度的直的或倾斜的表面浮雕光栅的技术。根据某些实施方案，灰色调光刻胶包括酚醛清漆树脂、重氮萘醌(DNQ)溶解抑制剂以及一种或多种交联剂，该交联剂用于在升高的温度下使该酚醛清漆树脂交联、以提高灰色调光刻胶的玻璃化转变温度和/或降低该灰色调光刻胶的蚀刻速率。在灰色调光曝光和显影后，将灰色调光刻胶在升高的温度下烘烤以进行交联。交联的灰色调光刻胶具有更高的密度和更高的玻璃化转变温度，并且因此在蚀刻期间不会变得可流动而引起波纹或其他表面粗糙度。