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公开(公告)号：CN118957760A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410851077.3
申请日：2024-06-28
申请人： 沧州华宇特种气体科技有限公司
摘要： 本发明属于电子专用材料制造技术领域，具体为一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置及方法，包括第一玻璃圆筒和第二玻璃圆筒，所述第二玻璃圆筒设置在第一玻璃圆筒的下端，所述第一玻璃圆筒的上端固定设置有第一金属端盖，所述第二玻璃圆筒的下侧壁固定设置有第二金属端盖，通入低浓度甲基硅烷气体、周围通入惰性气体等步骤，通过调节特定参数，可以得到最小的气相分解量，减少生成的粉状无定形物，该方法的操作过程涉及旋转籽晶、引入甲基硅烷气体和冷氢气、控制电流等步骤，以实现碳化硅的表面反应生成和沉积，除了氢气，其他对甲基硅烷和热分解产物惰性的气体也可以作为保护气使用。
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公开(公告)号：CN118957743A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411040630.1
申请日：2024-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种原料位置可调的碳化硅晶体生长方法及设备。本发明依据PVT法碳化硅晶体生长基本原理和过程，在构建满足碳化硅晶体生长要求的热场温度梯度条件和工艺参数基础上，通过在晶体生长过程中调节原料位置，实现原料持续供应，为增加晶体厚度提供原料保障；与传统单纯控制装料坩埚下降延长碳化硅晶体生长空间相比较，通过本方案即能够满足碳化硅生长长度的需要，同样能够保证碳化硅原料的分层稳定、高效进行升华，保证了碳化硅晶体的质量。
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公开(公告)号：CN118932482A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426120.8
申请日：2024-10-14
申请人： 南京国盛电子有限公司 , 南京盛鑫半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片，所述生长方法包括以下步骤：S1、碳化硅衬底清洗，使用特定混合比例的溶液对衬底进行两次清洗；S2、衬底载入反应腔；S3、进行第一次刻蚀；S4、进行第二次刻蚀；S5、生长第一层缓冲层；S6、生长第二层缓冲层；S7、生长主外延层；S8、外延生长完成，取出外延片。本发明通过使用清洗溶液对碳化硅衬底进行两次清洗，消除衬底表面的颗粒和金属离子，提升衬底表面质量，从而减少外延过程中生成浅三角形缺陷的数量。
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公开(公告)号：CN116657249B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310637184.1
申请日：2023-05-31
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。
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公开(公告)号：CN118895564A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410964458.2
申请日：2024-07-18
申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要： 本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种低电阻复合衬底结构及制备方法。一种低电阻复合衬底结构，包括支撑层及形成于所述支撑层上的膜层；所述膜层为单晶碳化硅，晶型为4H型；所述支撑层为单晶碳化硅，晶型为3C型；所述支撑层电阻率小于1mΩ·cm。采用本发明的复合衬底，因为支撑衬底的电阻率非常低，背面减薄量大大减少，甚至可以不需要背面减薄步骤，大大降低了功率器件的制造周期和成本，提升器件良品率。
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公开(公告)号：CN118223119B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410604850.6
申请日：2024-05-15
申请人： 华南农业大学
发明人： 邓诺
摘要： 本发明实施例的主要目的在于提供一种基于机器学习的晶圆外延生长控制方法，包括：进程一和进程二，将进程一中输入的工艺参数与进程二中修改后的工艺参数以及进程二中返回的晶圆特征存储到工艺参数数据库；根据所述样本数据通过训练学习得到晶圆外延生长模型，所述晶圆外延生长模型用于拟合输出工艺参数及晶圆特征的函数关系；根据所述晶圆外延生长模型对输入的工艺参数进行对晶圆特征实时调整以执行晶圆外延生长。根据本发明实施例可以大幅降低晶圆外延生长的生产过程中的控制误差。
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公开(公告)号：CN118880447A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411355720.X
申请日：2024-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 韩江山
摘要： 本发明实施例提供了一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括：坩埚本体、坩埚盖、籽晶托、籽晶、导流罩以及碳化硅衬底片。其中，坩埚盖可拆卸地连接于坩埚本体的顶部，并与坩埚本体共同形成原料腔。籽晶托设置于坩埚盖的内侧壁。籽晶固定连接于籽晶托。导流罩设置于原料腔内，导流罩的顶端罩设于籽晶外，导流罩的底端具有导流口。碳化硅衬底片设置于导流罩的底端，用于封闭导流口，并能够随坩埚本体内温度升高而发生熔化并掉落，从而打开导流口。该碳化硅晶体生长装置能够避免预先升华的硅氛对籽晶上生长的碳化硅质量造成不良影响，保证了籽晶上生长的碳化硅晶体质量。
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公开(公告)号：CN118854445A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410883692.2
申请日：2024-07-03
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种碳化硅外延生长温度的控制方法，一种碳化硅外延生长温度的控制方法，其特征在于，步骤包括：获取标准缺陷分布图；控制样片在外延炉炉腔内生长，对生长后的样片进行缺陷分析，以获取实际缺陷分布图；比对实际缺陷分布图与标准缺陷分布图，以判断样片生长时的实际温度与目标温度是否有偏差；基于判断结果，调整成片生长时的实际温度本申请一种碳化硅外延生长温度的控制方法，通过对比样片表面的缺陷分布情况，可精准获取外延炉腔内生长温度与标准温度的偏差范围，从而可快速且精确地调整外延炉腔内的实际温度，以对腔室温度进行实时补偿。
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