Invention Publication
- Patent Title: 一种低电阻复合衬底结构及制备方法
-
Application No.: CN202410964458.2Application Date: 2024-07-18
-
Publication No.: CN118895564APublication Date: 2024-11-05
- Inventor: 母凤文 , 郭超 , 刘福超 , 谭向虎
- Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
- Applicant Address: 天津市滨海新区滨海高新区滨海科技园汉港路与高泰道交口高泰道4号10号厂房-101、102
- Assignee: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
- Current Assignee: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
- Current Assignee Address: 天津市滨海新区滨海高新区滨海科技园汉港路与高泰道交口高泰道4号10号厂房-101、102
- Agency: 北京旭路知识产权代理有限公司
- Agent 谢志超
- Main IPC: C30B29/36
- IPC: C30B29/36 ; C30B15/00 ; C30B33/06 ; C30B33/04 ; C30B27/02
Abstract:
本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种低电阻复合衬底结构及制备方法。一种低电阻复合衬底结构，包括支撑层及形成于所述支撑层上的膜层；所述膜层为单晶碳化硅，晶型为4H型；所述支撑层为单晶碳化硅，晶型为3C型；所述支撑层电阻率小于1mΩ·cm。采用本发明的复合衬底，因为支撑衬底的电阻率非常低，背面减薄量大大减少，甚至可以不需要背面减薄步骤，大大降低了功率器件的制造周期和成本，提升器件良品率。
Information query
IPC分类:
