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公开(公告)号：CN119252733A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411359420.9
申请日：2024-09-27
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种异质复合衬底及其制作方法，所述制作方法包括：(1)对Si衬底进行O离子注入形成O注入层，然后进行C离子注入，以在所述O注入层上形成C注入层，从而得到复合衬底前驱体；(2)对所述复合衬底前驱体进行退火修复，使所述O注入层转变为SiO2层，同时使所述C注入层转变为SiC层，然后进行后处理，得到复合衬底；所述复合衬底包括依次层叠设置的Si层、SiO2层和SiC层；(3)将所述复合衬底中SiC层远离SiO2层的一侧表面与SiC衬底的待键合面进行键合，得到所述异质复合衬底。采用本发明的方法，可提高异质复合衬底的键合强度，提升异质复合衬底的质量。
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公开(公告)号：CN118977194A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411065950.2
申请日：2024-08-05
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制备方法。所述制备方法包括：(1)使用抛光液分别对支撑衬底的待键合面和单晶碳化硅衬底的待键合面进行抛光，得到抛光支撑衬底和抛光单晶碳化硅衬底；其中，所述抛光液的成分包括氧化剂、碳化钛、pH调节剂、分散剂和溶剂；所述抛光液的pH值为10‑11；(2)对所述抛光支撑衬底和所述抛光单晶碳化硅衬底分别进行预处理，然后进行键合，得到碳化硅复合衬底。本发明采用上述抛光液进行抛光，可提升抛光速率及抛光质量，提高碳化硅复合衬底的键合质量。
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公开(公告)号：CN117393422B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311685913.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种制造碳化硅复合衬底的方法，所述方法包括如下步骤：具有离子注入损伤层的碳化硅供体材料与半导体衬底材料键合，形成碳化硅复合结构；然后对碳化硅复合结构进行化学腐蚀，热处理后得到碳化硅复合衬底与碳化硅回收供体。离子注入损伤层的应力集中、应变能更大、其发生化学反应更加强烈，因此更容易发生化学腐蚀；本发明提供的方法能够实现因晶圆R型倒角或T型倒角而未键合的离子注入区域的完全腐蚀，最终所得碳化硅回收供体无需进行倒角或机械减薄，可再次作为供体材料进行使用。
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公开(公告)号：CN117091489B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311330450.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的顶膜厚度检测装置及检测方法，该顶膜厚度检测装置包括电极、光源、电压源、检测电路以及控制器；控制器用于控制电压源向复合电容结构输出第一电压信号以对复合电容结构进行第一次充电；控制器还用于在复合电容结构第一次放电完成后控制光源照射顶膜，同时控制电压源向复合电容结构输出第二电压信号以对复合电容结构进行第二次充电；检测电路用于检测第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间，并将第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间传输至控制器；控制器根据第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间确定顶膜的厚度。采用上述手段，通过
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公开(公告)号：CN116959947B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311219550.8
申请日：2023-09-21
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115867107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310166191.8
申请日：2023-02-27
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
Inventor： 母凤文
Abstract: 本发明提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，包括：（1）提供压电材料、第一支撑衬底和第二支撑衬底；（2）将压电材料和第一支撑衬底进行键合，得到第一复合衬底；（3）对第一复合衬底的压电层进行减薄处理后，将第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底进行键合，得到第二复合衬底；（4）将第二复合衬底进行热处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层断开，得到两片复合压电衬底。本发明提供的方法一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
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公开(公告)号：CN115867106B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310165971.0
申请日：2023-02-27
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
Inventor： 母凤文
Abstract: 本发明提供一种复合压电衬底及其制备方法与应用，所述复合压电衬底包括层叠设置的压电层、键合反应层和支撑层；所述制备方法包括：1）将压电材料和虚拟支撑衬底进行键合，得到压电供体；（2）对压电供体的压电层一侧表面进行离子注入，即在压电层的表面形成损伤层；（3）将压电供体与支撑衬底进行键合，得到键合体；4）将键合体进行热处理，使得键合体沿着损伤层断开，得到复合压电衬底和压电供体剩余部分，且压电供体剩余部分重复利用。所述制备方法消除了热退火过程中由热膨胀系数差异导致的形变，实现了压电材料的重复利用，简化了工艺流程，提升了产品良率。
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公开(公告)号：CN117091489A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311330450.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的顶膜厚度检测装置及检测方法，该顶膜厚度检测装置包括电极、光源、电压源、检测电路以及控制器；控制器用于控制电压源向复合电容结构输出第一电压信号以对复合电容结构进行第一次充电；控制器还用于在复合电容结构第一次放电完成后控制光源照射顶膜，同时控制电压源向复合电容结构输出第二电压信号以对复合电容结构进行第二次充电；检测电路用于检测第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间，并将第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间传输至控制器；控制器根据第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间确定顶膜的厚度。采用上述手段，通过复合电容结构放电时间差确定顶膜厚度，能够提高对顶膜厚度的检测精度。
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公开(公告)号：CN116721966B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311007183.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: H01L21/762 , H10N30/08 , H10N30/082 , H10N30/086 , H03H3/08
Abstract: 本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复合衬底；（4）复合衬底经过高温处理及静置后沿着缺陷层裂开，得到压电衬底半成品；（5）将压电衬底半成品依次进行化学机械抛光和离子束蚀刻，得到压电衬底；所述压电衬底中压电薄膜的表面粗糙度≤0.2nm，厚度≤10A。本发明提供的方法改善了压电薄膜的厚度均匀性，降低了压电薄膜的表面粗糙度，保证了光刻影像传递的精确度和分辨率，同时简化了工艺流程，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN116959947A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311219550.8
申请日：2023-09-21
Applicant: 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
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